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以氧化鋁及硅作為LED集成封裝基板材料的熱阻比較分析

發(fā)布時間:2011-01-20 來源:采鈺科技

中心議題:

  • 氧化鋁基板封裝在熱阻的表現(xiàn)
  • 硅基LED板封裝在熱阻的表現(xiàn)


圖1為目前高功率LED封裝使用的結構, LED芯片會先封裝在導熱基板上,再打金線及封膠,這LED封裝結構體具備輕巧,高熱導及電路簡單等優(yōu)點,可應用在戶外及室內(nèi)照明。基板的選擇中,氧化鋁 (Al2O3) 及硅 (Si) 都是目前市面上已在應用的材料,其中氧化鋁基板因是絕緣體,必須有傳導熱設計,藉由電鍍增厚銅層達75um;而硅是優(yōu)良導熱體,但絕緣性不良,必須在表面做絕緣處理。
                             LED封裝結構
                                                                 圖 1  LED封裝結構

氧化鋁基板及硅基板目前皆已應用于高功率LED的封裝,由于LED發(fā)光效率仍有待提升,熱仍是使用LED燈具上必須解決的重要問題,因此LED導熱功能必須仔細分析。要分析導熱功能必須使用熱阻儀來量測,以下的分析將細分LED封裝體結構,包括芯片層,接合層及基板層,來分析每層熱阻,分析工具則是目前世界公認最精確的T3Ster儀器。

本文將簡單解析氧化鋁基板及硅基LED板封裝在熱阻的表現(xiàn) (T3Ster儀器實測),其中專有名詞定義如下:

Rth: 熱阻,單位是 (℃/W),公式為T / KA;
T: 導熱基板的厚度 (um);
K: 導熱基板的導熱系數(shù) (W/mC);
A: 導熱面積 (mm x mm)。
                        E公司氧化鋁基板的LED封裝熱阻分析
                                               圖 2  E公司氧化鋁基板的LED封裝熱阻分析

將氧化鋁應用在LED封裝主要是因為氧化鋁材料高絕緣性及可制作輕小的組件, 然而,氧化鋁基板應用在電子組件,會因為氧化鋁材料導熱系數(shù)低(約 20K/W),造成高熱阻。圖2為T3Ster 熱阻儀測試E公司氧化鋁基板封裝 LED( LED area: 1 x 1 mm; LED emitter: 3.15x3.5 mm)) 的結果,在25℃環(huán)境溫度下測試時,各封裝層的熱阻如下:

1.      Chip: 2 ℃/W
2.      Bonding layer : 3 ℃/W
3.      氧化鋁基板: 20 ℃/W (高熱阻, 基板制作不佳)

當175mA小電流通入在1 x 1 mm² 的LED芯片上,氧化鋁基板因熱阻的溫升為10.5℃(=20x175mAx3.0V), 熱不易傳導出LED芯片;當350mA電流通入在1 x 1 mm² 的LED芯片上, 氧化鋁基板因熱阻的溫升為23℃(=20 x 350mAx3.3 V),此時氧化鋁基板會無法將熱傳導出LED芯片,LED芯片會產(chǎn)生大量光衰; 而當 500 mA大電流通入在1 x 1 mm² 的LED芯片上時,氧化鋁基板因熱阻的溫升大約為36℃(20 x (500 Ax3.6 V),此時氧化鋁基板也會無法將熱傳導出LED芯片,LED芯片會快速光衰。因此,LED芯片封裝若選擇氧化鋁基板,因其熱阻高,封裝組件只適合使用在低功率 (~ 175 mA, 約0.5W)。
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                            R公司氧化鋁基板的LED封裝熱阻分析
                                                    圖 3  R公司氧化鋁基板的LED封裝熱阻分析

圖3為T3Ster 熱阻儀測試氧化鋁基板封裝 LED( LED area: 1 x 1 mm; LED emitter: 3.15x3.5 mm)) 的結果,在25℃環(huán)境溫度下測試時,各封裝層的熱阻如下:

1.      Chip : 2℃/W
2.      Bonding layer : 1.5℃/W
3.      氧化鋁基板 : 4.7℃/W (氧化鋁基板厚度: 400um, 銅層厚度75um)

當175mA小電流通入下,其基板因熱阻溫升為 4.7℃; 當電流來到 350mA,基板溫升為6.9℃,當500mA電流通入時,基板溫升大約為8.1℃, 及當700mA大電流通入下,基板因熱阻溫升大約為11℃。

當氧化鋁基板溫升大于8℃, 此時氧化鋁基板會不易將熱傳導出LED芯片,LED芯片會快速光衰。 LED芯片封裝在氧化鋁基板,封裝組件只適合始使用功率 (~ 350mA, 約 1watt)。
                      VisEra硅基板LED封裝熱阻分析
                                                        圖 4  VisEra硅基板LED封裝熱阻分析

應用以硅為導熱基板的LED封裝,如圖4所示,在3.37 x3.37 mxm2 的小尺寸面積上,具有快速導熱的性能, 可大幅解決因為使用氧化鋁造成的高熱阻問題。以精密的量測熱阻設備 (T3Ster)量測到的熱阻值,在25℃環(huán)境溫度下測試時,各封裝層的熱阻如下:

1.      Chip: 1℃/W
2.      Bonding layer: 1.5℃/W
3.      Si substrate: 2.5℃/W

當大電流 (700 mA) 通入在 1 x 1 mm² 的 LED芯片上, 硅基板因熱阻的溫升為 6. 3℃ (=2.5 x 700mA x 3.6 V),硅基板會快速將熱傳導出LED芯片,LED芯片只會有小量光衰。 硅藉由優(yōu)良導熱性能將熱傳導出LED芯片,LED芯片會只會有小許光衰。 因此,LED芯片封裝在硅基板上適合于大功率使用 ( ~700 mA,約 3 W)。 因為硅基板制作及LED封裝在硅基板, 技術難度非常高, 目前只有少許公司具備。硅作為LED集成封裝基板材料的熱阻低于氧化鋁基板材料, 應用于大功率時, 硅基板為好的選擇。

總體LED封裝熱阻經(jīng)T3Ster實測結果比較如下:

LED Si 封裝: VisEra : 5 ℃/W
LED氧化鋁,E公司 : 25 ℃/W
LED 氧化鋁封裝,R公司 : 8.2 ℃/W

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