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CDMA：在新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)中前進(jìn)
截至2008年12月，全球CDMA用戶總數(shù)已達(dá)4.65億， 107個(gè)EV-DORel.0商業(yè)網(wǎng)絡(luò)遍布全球；其中EV-DO Rev.A網(wǎng)絡(luò)達(dá)到62個(gè)，規(guī)模呈現(xiàn)新的發(fā)展。然而在中國(guó)，一直以來CDMA卻處于不溫不火的狀態(tài)
2009-08-21
CDMA 賽迪顧問
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CDMA：在新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)中前進(jìn)
截至2008年12月，全球CDMA用戶總數(shù)已達(dá)4.65億， 107個(gè)EV-DORel.0商業(yè)網(wǎng)絡(luò)遍布全球；其中EV-DO Rev.A網(wǎng)絡(luò)達(dá)到62個(gè)，規(guī)模呈現(xiàn)新的發(fā)展。然而在中國(guó)，一直以來CDMA卻處于不溫不火的狀態(tài)
2009-08-21
CDMA 賽迪顧問
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CDMA：在新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)中前進(jìn)
截至2008年12月，全球CDMA用戶總數(shù)已達(dá)4.65億， 107個(gè)EV-DORel.0商業(yè)網(wǎng)絡(luò)遍布全球；其中EV-DO Rev.A網(wǎng)絡(luò)達(dá)到62個(gè)，規(guī)模呈現(xiàn)新的發(fā)展。然而在中國(guó)，一直以來CDMA卻處于不溫不火的狀態(tài)
2009-08-21
CDMA 賽迪顧問
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移動(dòng)通信卡：3G時(shí)代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟(jì)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)型，移動(dòng)通信技術(shù)得到迅猛發(fā)展，手機(jī)普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動(dòng)電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長(zhǎng)，截止到2008年底，移動(dòng)電話用戶數(shù)量已經(jīng)達(dá)到6.41億戶，與2004年相比增長(zhǎng)了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國(guó)移動(dòng)
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移動(dòng)通信卡：3G時(shí)代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟(jì)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)型，移動(dòng)通信技術(shù)得到迅猛發(fā)展，手機(jī)普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動(dòng)電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長(zhǎng)，截止到2008年底，移動(dòng)電話用戶數(shù)量已經(jīng)達(dá)到6.41億戶，與2004年相比增長(zhǎng)了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國(guó)移動(dòng)
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移動(dòng)通信卡：3G時(shí)代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟(jì)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)型，移動(dòng)通信技術(shù)得到迅猛發(fā)展，手機(jī)普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動(dòng)電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長(zhǎng)，截止到2008年底，移動(dòng)電話用戶數(shù)量已經(jīng)達(dá)到6.41億戶，與2004年相比增長(zhǎng)了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國(guó)移動(dòng)
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FDZ371PZ：飛兆半導(dǎo)體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench?工藝 技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導(dǎo)損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費(fèi)電子 Fairchild 飛兆半導(dǎo)體
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FDZ371PZ：飛兆半導(dǎo)體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench?工藝 技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導(dǎo)損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費(fèi)電子 Fairchild 飛兆半導(dǎo)體
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FDZ371PZ：飛兆半導(dǎo)體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench?工藝 技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導(dǎo)損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費(fèi)電子 Fairchild 飛兆半導(dǎo)體
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