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VBUS052BD-HT:Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前,Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列,旨在保護(hù)兩個高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態(tài)電壓信號干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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STC03DE220HV:意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開關(guān)
意法半導(dǎo)體宣布推出STC03DE220HV ESBT(發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管)功率開關(guān),新產(chǎn)品使設(shè)計工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開關(guān)電源的能效,降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管
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STC03DE220HV:意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開關(guān)
意法半導(dǎo)體宣布推出STC03DE220HV ESBT(發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管)功率開關(guān),新產(chǎn)品使設(shè)計工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開關(guān)電源的能效,降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管
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TJ3-HT:Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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STGxL6NC60D:意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT,新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi),應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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STGxL6NC60D:意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT,新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi),應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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DG系列:Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開關(guān)
日前,Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復(fù)用器與開關(guān)
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ACAS 0612 AT:Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列,該器件已通過AEC-Q200測試,并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對溫度和濕度的新要求,同時可為工業(yè)、電信及消費(fèi)電子提供較高的重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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STW55NM60ND:意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列,用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能,同時還使導(dǎo)通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應(yīng)管
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