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2015年OLED產(chǎn)值達(dá)60億美元
據(jù)某顯示器市調(diào)機(jī)構(gòu)估計(jì)，到2015年時(shí)，全球有機(jī)發(fā)光二極管 (OLED)產(chǎn)值將達(dá)到60億美元，年復(fù)合成長率達(dá)40%，相較同期間整體平面顯示器產(chǎn)值復(fù)合成長率僅3%。
2009-02-24
OLED AMOLED 平面顯示器 成本
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安徽首個(gè)非晶硅太陽能光伏發(fā)電示范工程年內(nèi)運(yùn)營
據(jù)報(bào)道，2月12日，安徽省首個(gè)非晶硅太陽能光伏發(fā)電示范工程項(xiàng)目建設(shè)條件已全部得到落實(shí)，將于年內(nèi)在蚌埠市竣工運(yùn)營。根據(jù)設(shè)計(jì)，該工程投資131.5萬元，發(fā)電總?cè)萘繛?兆瓦.
2009-02-23
非晶硅太陽能 光伏電站
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東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達(dá)36%
面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達(dá)到了36%。發(fā)光波長為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。
2009-02-23
近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(五)
本文闡述了電磁干擾和電磁兼容的定義、傳導(dǎo)干擾的定義以及回路電流產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾的機(jī)理和抑制方法。
2009-02-23
電磁兼容 電磁干擾 傳導(dǎo)干擾 輻射干擾 回路電流
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STx42N65M5：ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
ST MOSFET RDS(ON) 節(jié)能 導(dǎo)通電阻
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聚焦電源模塊
這次半月談聚焦電源模塊，網(wǎng)友積極幫了很多忙。有網(wǎng)友自己的體會、有難得的行業(yè)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)、有電源模塊選擇方式也有電源模塊市場分析。通過我們的認(rèn)真整理和添加，這些電源模塊好文章又來社區(qū)中間。
2009-02-20
電源模塊 開關(guān)電源 節(jié)能 共建共享
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(四）
本文介紹了電磁感應(yīng)和干擾的發(fā)生機(jī)理以及磁通量和電磁干擾強(qiáng)度的計(jì)算方法。
2009-02-20
電磁兼容 電磁干擾 磁通量 磁感應(yīng)系數(shù)
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IPC與JEDEC幫助產(chǎn)業(yè)向無鉛化過渡
滿足RoHS(在電氣與電子設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì))指令要求,成功實(shí)施電子無鉛化組裝工藝對于電子連接器產(chǎn)業(yè)是一個(gè)持續(xù)的挑戰(zhàn)。為了幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)符合指令要求的目標(biāo)，IPC與JEDEC兩家協(xié)會將于2009年3月3-5日在美國加州圣塔克拉拉聯(lián)合舉辦為時(shí)三天的會議：向無鉛化過渡——實(shí)施戰(zhàn)略。
2009-02-20
無鉛化 IPC JEDEC 電子連接器 連接器
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泰科電子推出1206封裝額定大電流快斷式片狀保險(xiǎn)絲
泰科電子今天推出一新系列適用于高額定電流的片狀快速熔斷保險(xiǎn)絲。這種片狀表面貼裝保險(xiǎn)絲電弧抑制特性強(qiáng)，在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1206封裝尺寸具有極高的額定電流，為電源、服務(wù)器、通信設(shè)備、電壓調(diào)節(jié)模塊以及其他空間受限的產(chǎn)品提供過電流保護(hù)。
2009-02-20
保險(xiǎn)絲 泰科電子 快速熔斷 電弧抑制 1206 鹵素 RoHS
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