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經(jīng)驗(yàn)分享:模擬集成電路設(shè)計(jì)的九個(gè)層次
你開始知道什么叫電路設(shè)計(jì),天天捧著本教科書在草稿紙上狂算一氣。你也經(jīng)常開始提起一些技術(shù)參數(shù),Vdsat、lamda、early voltage、GWB、ft之類的??傆X得有時(shí)候電路和手算得差不多,有時(shí)候又覺得差別挺大。本文主要給大家介紹模擬集成電路設(shè)計(jì)的九個(gè)層次。
2016-12-19
模擬集成電路 電路設(shè)計(jì)
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從理論到實(shí)踐談?wù)勲S機(jī)噪聲對(duì)時(shí)序抖動(dòng)的影響
時(shí)序抖動(dòng)和時(shí)序噪聲屬于人們了解甚少的工程概念,而它們又是模擬設(shè)計(jì)和數(shù)字設(shè)計(jì)中最重要的參數(shù)。尤其是在高速通信系統(tǒng)中,惡劣的抖動(dòng)性能會(huì)導(dǎo)致更高的誤碼率,并限制系統(tǒng)速度。時(shí)序抖動(dòng)一般定義為數(shù)字信號(hào)在某一重要時(shí)刻相對(duì)于其理想時(shí)間位置的短時(shí)間偏離。
2016-12-19
隨機(jī)噪聲 抖動(dòng) 相位噪聲
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利用Snubber電路消除開關(guān)電源和Class D功放電路中的振鈴
開關(guān)電源和Class D功放,因?yàn)殡娐饭ぷ髟陂_關(guān)狀態(tài),大大降低了電路的功率損耗,在當(dāng)今的電子產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用。由于寄生電感和寄生電容的存在,電路的PWM開關(guān)波形在跳變時(shí),常常伴隨著振鈴現(xiàn)象。這些振鈴常常會(huì)帶來令人煩惱的EMC問題。本文對(duì)振鈴進(jìn)行探討,并采用snubber電路對(duì)PWM開關(guān)信號(hào)上的...
2016-12-19
開關(guān)電源 Class?D功放 振鈴
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電路設(shè)計(jì):超寬帶EMI濾波器的設(shè)計(jì)
文章介紹超寬帶EMI濾波器的設(shè)計(jì)思路,該濾波器的濾波頻率可以達(dá)到40GHz甚至更高,在頻率低端采用LC反射式濾波原理,在頻率高端采用高性能吸波材料的吸收式濾波原理。
2016-12-16
超寬帶 EMI濾波器
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深度剖析8種電源管理IC芯片類型
在日常生活中,人們對(duì)電子設(shè)備的依賴越來越嚴(yán)重,電子技術(shù)的更新?lián)Q代,也同時(shí)意味著人們對(duì)電源的技術(shù)發(fā)展寄予厚望,下面就為大家介紹電源管理技術(shù)的主要分類。
2016-12-16
電源管理 IC芯片
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專家剖析:太陽能電池晶體硅光伏組件封裝
從事光伏組件封裝多年,一路走來經(jīng)歷了無數(shù)的荊棘、坎坷、鮮花、掌聲,驀然回首還歷歷在目,本篇將從工藝控制著手論述,找出組件封裝過程中的關(guān)鍵點(diǎn),從而進(jìn)行重點(diǎn)控制,保證組件的各項(xiàng)性能及可靠度。
2016-12-15
太陽能電池 晶體硅 光伏組件
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如何檢測(cè)照明產(chǎn)品電磁兼容測(cè)試問題?
根據(jù)市場(chǎng)質(zhì)檢專項(xiàng)抽查,LED照明產(chǎn)品不合格率達(dá)到73.9%,其中不合格項(xiàng)主要集中在諧波電流、浪涌沖擊、騷擾電壓等電磁兼容測(cè)試(EMC測(cè)試)項(xiàng)目。電磁兼容性(EMC)是影響LED照明產(chǎn)品可靠性的重要因素。本文就為大家介紹檢測(cè)方法。
2016-12-15
照明產(chǎn)品 電磁兼容
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細(xì)數(shù)強(qiáng)光LED不同封裝形式的優(yōu)缺點(diǎn)
采用LEDs制造的汽車前大燈燈泡具有壽命長、亮度高、投射距離遠(yuǎn)等顯著優(yōu)點(diǎn),己經(jīng)成為大面積替代鹵素?zé)艉碗瘹鉄舻膬?yōu)選光源,由多光束智能強(qiáng)光LEDs制造的自適應(yīng)汽車前大燈亦已成為下一代汽車前大燈的趨勢(shì)。
2016-12-15
LED LED封裝
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差異化分析:斷路器不等于空開
生活中很多人會(huì)把空氣開關(guān)直接當(dāng)成斷路器,其實(shí)不然,空氣開關(guān)只是斷路器的其中一種,二者需要區(qū)別開來。如果你還是一知半解的話,下面就來給你具體分析斷路器和空開的區(qū)別。
2016-12-15
斷路器 空開
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的?
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