從應(yīng)用來看，高運(yùn)算量相關(guān)應(yīng)用持續(xù)帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對先進(jìn)工藝的需求，2017年10nm工藝節(jié)點(diǎn)開始放量，估計(jì)2017年全年10nm節(jié)點(diǎn)營收將占晶圓代工整體市場的6.5%。而2017年半導(dǎo)體整體產(chǎn)值年成長率7.1%當(dāng)中，超過95%的成長動能來自10nm的銷售貢獻(xiàn)，顯示10nm工藝的開出成為2017年晶圓代工產(chǎn)值成長最重要的引擎。

 

觀察2017年全球前十大晶圓代工業(yè)者排名，整體排名與2016年相同，臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電分居前三，其中臺積電產(chǎn)能規(guī)模龐大加上高于全球平均水平的年成長率，市占率達(dá)55.9%，持續(xù)拉大與競爭者的距離；全球排名第二的格羅方德受惠于新產(chǎn)能的開出與產(chǎn)能利用率提升，2017年?duì)I收呈現(xiàn)年增8.2%的相對高成長表現(xiàn)。

 

 

在晶圓代工市場排名第三的聯(lián)電于今年量產(chǎn)14nm，但僅占全年?duì)I收約1%，然而，在整體產(chǎn)能提升與產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)換帶動下，實(shí)際營收年成長率達(dá)6.8%；而與臺積電同為10nm工藝技術(shù)先驅(qū)的三星(Samsung)，則因采用的大客戶僅有高通(Qualcomm)，致使成長受限，排名第四；排名第五的中芯雖然持續(xù)擴(kuò)大資本支出，然而，受限于2017年實(shí)際開出的產(chǎn)能有限與28nm良率的瓶頸未突破，使得成長率低于全球市場平均。

 

高塔半導(dǎo)體(TowerJazz)及華虹宏力則透過產(chǎn)能擴(kuò)增，在市場對8吋廠需求持續(xù)暢旺下，帶來大于10%的年成長；力晶則因調(diào)升代工業(yè)務(wù)比重，交出高成長率成績單。

 

另一方面，在5G與電動車的需求驅(qū)使下，可觀察到晶圓代工業(yè)者積極的投入第三代半導(dǎo)體材料GaN及SiC的開發(fā)，如臺積電提供GaN的代工服務(wù)及X-Fab公布SiC晶圓代工業(yè)務(wù)將于2017第四季貢獻(xiàn)營收。

 

展望2018年，除7nm先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)將帶動整體產(chǎn)值之外，在2018年為5G試營運(yùn)重要的觀察年下，第三代半導(dǎo)體的代工服務(wù)所帶來的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈變化，同為市場值得關(guān)注的重點(diǎn)。

 

 






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