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帶你走進(jìn)碳化硅元器件的前世今生!

發(fā)布時(shí)間:2017-07-25 來源:于灝、蔡永香、卜雨洲、謝潛思 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種??梢苑Q為金鋼砂或耐火砂。
 
一、碳化硅的前世今生
 
碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途,例如:以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁,可提高其耐磨性而延長使用壽命1~2倍;用以制成的高級耐火材料,耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高,節(jié)能效果好。低品級碳化硅(含SiC約85%)是極好的脫氧劑,用它可加快煉鋼速度,并便于控制化學(xué)成分,提高鋼的質(zhì)量。此外,碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。
 
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級),具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,是一種半導(dǎo)體,高溫時(shí)能抗氧化。
 
碳化硅歷程表
 
  1. 1905年 第一次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅
  2. 1907年 第一只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生
  3. 1955年 理論和技術(shù)上重大突破,LELY提出生長高品質(zhì)碳化概念,從此將SiC作為重要的電子材料
  4. 1958年 在波士頓召開第一次世界碳化硅會議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流
  5. 1978年 六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年首次采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長方法。
  6. 1987年~至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線,供應(yīng)商開始提供商品化的碳化硅基。
  7. 2001年德國Infineon公司推出SiC二極管產(chǎn)品,美國Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。在日本,羅姆、新日本無線及瑞薩電子等投產(chǎn)了SiC二極管。
  8. 2013年9月29日,碳化硅半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM 2013”召開,24個(gè)國家的半導(dǎo)體企業(yè)、科研院校等136家單位與會,人數(shù)達(dá)到794人次,為歷年來之最。國際知名的半導(dǎo)體器件廠商,如科銳、三菱、羅姆、英飛凌、飛兆等在會議上均展示出了最新量產(chǎn)化的碳化硅器件。
 
到現(xiàn)在已經(jīng)有很多廠商生產(chǎn)碳化硅器件比如Cree公司、Microsemi公司、Infineon公司、Rohm公司。
 
二、碳化硅器件的優(yōu)勢特性
 
碳化硅(SiC)是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃,而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
 
與普通硅相比,采用碳化硅的元器件有如下特性:
 
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  • 高壓特性
  • 碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍
  • 碳化硅肖特基管耐壓可達(dá)2400V。
  • 碳化硅場效應(yīng)管耐壓可達(dá)數(shù)萬伏,且通態(tài)電阻并不很大。
 
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  • 高頻特性
 
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  • 高溫特性
 
在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性,一直被視為“理想器件”而備受期待。然而,相對于以往的Si材質(zhì)器件,SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求,將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。
 
目前,低功耗的碳化硅器件已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入了實(shí)用器件生產(chǎn)階段。目前碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多。通過不斷的研究開發(fā),預(yù)計(jì)到2010年前后,碳化硅器件將主宰功率器件的市場。但實(shí)際上并非如此。
 
三、最受關(guān)注的碳化硅MOS
 
SiC器件分類
 
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SiC-MOSFET
 
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。
 
在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性,一直被視為“理想器件”而備受期待。然而,相對于以往的Si材質(zhì)器件,SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求,將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。
 
碳化硅MOS的結(jié)構(gòu)
 
碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式,在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。另一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C兩種原子存在,需要非常特殊的柵介質(zhì)生長方法。其溝槽星結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢如下:
 
平面vs溝槽
 
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SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。
 
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碳化硅MOS的優(yōu)勢
 
硅IGBT在一般情況下只能工作在20kHz以下的頻率。由于受到材料的限制,高壓高頻的硅器件無法實(shí)現(xiàn)。碳化硅MOSFET不僅適合于從600V到10kV的廣泛電壓范圍,同時(shí)具備單極型器件的卓越開關(guān)性能。相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在開關(guān)電路中不存在電流拖尾的情況具有更低的開關(guān)損耗和更高的工作頻率。
 
20kHz的碳化硅MOSFET模塊的損耗可以比3kHz的硅IGBT模塊低一半, 50A的碳化硅模塊就可以替換150A的硅模塊。顯示了碳化硅MOSFET在工作頻率和效率上的巨大優(yōu)勢。
 
碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示,同一額定電流900V的器件,碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等電壓規(guī)格硅基MOSFET的5%。對于橋式電路來說(特別當(dāng)LLC變換器工作在高于諧振頻率的時(shí)候),這個(gè)指標(biāo)非常關(guān)鍵,它可以減小死區(qū)時(shí)間以及體二極管的反向恢復(fù)帶來的損耗和噪音,便于提高開關(guān)工作頻率。
 
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碳化硅MOS管的應(yīng)用
 
碳化硅MOSFET模塊在光伏、風(fēng)電、電動汽車及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢。碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢,可以突破現(xiàn)有電動汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制,這是目前國內(nèi)外電動汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)。如電裝和豐田合作開發(fā)的混合電動汽車(HEV)、純電動汽車(EV)內(nèi)功率控制單元(PCU),使用碳化硅MOSFET模塊,體積比減小到1/5。三菱開發(fā)的EV馬達(dá)驅(qū)動系統(tǒng),使用SiC MOSFET模塊,功率驅(qū)動模塊集成到了電機(jī)內(nèi),實(shí)現(xiàn)了一體化和小型化目標(biāo)。預(yù)計(jì)在2018年-2020年碳化硅MOSFET模塊將廣泛應(yīng)用在國內(nèi)外的電動汽車上。
 
四、碳化硅肖特二極管
 
碳化硅肖特基二極管
 
碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)
 
碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)的器件采用了結(jié)勢壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)(JBS),可以有效降低反向漏電流,具備更好的耐高壓能力。
 
碳化硅肖特基二極管優(yōu)勢
 
碳化硅肖特基二極管是一種單極型器件,因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管(Si FRD),碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。在器件從正向?qū)ㄏ蚍聪蜃钄噢D(zhuǎn)換時(shí),幾乎沒有反向恢復(fù)電流(如圖1.2a),反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns,甚至600V10A的碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間在10ns以內(nèi)。因此碳化硅肖特基二極管可以工作在更高的頻率,在相同頻率下具有更高的效率。另一個(gè)重要的特點(diǎn)是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù),隨著溫度的上升電阻也逐漸上升,這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯(lián)實(shí)用,增加了系統(tǒng)的安全性和可靠性。
 
概括碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)勢,有如下特點(diǎn):
 
  • 幾乎無開關(guān)損耗
  • 更高的開關(guān)頻率
  • 更高的效率
  • 更高的工作溫度
  • 正的溫度系數(shù),適合于并聯(lián)工作
  • 開關(guān)特性幾乎與溫度無關(guān)
 
碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用
 
碳化硅肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正(PFC)電路、不間斷電源(UPS)、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。在PFC電路中用碳化硅SBD取代原來的硅FRD,可使電路工作在300kHz以上,效率基本保持不變,而相比下使用硅FRD的電路在100kHz以上的效率急劇下降。隨著工作頻率的提高,電感等無源原件的體積相應(yīng)下降,整個(gè)電路板的體積下降30%以上。
 
五、人們是如何評價(jià)碳化硅的?
 
幾乎凡能讀到的文章都是這樣介紹碳化硅:
 
碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。由碳化硅制成的肖特基二極管及MOS場效應(yīng)晶體管,與相同耐壓的硅器件相比,其漂移電阻區(qū)的厚度薄了一個(gè)數(shù)量級。其雜質(zhì)濃度可為硅的2個(gè)數(shù)量級。由此,碳化硅器件的單位面 積的阻抗僅為硅器件的100分之一。它的漂移電阻幾乎就等于器件的全部電阻。因而碳化硅器件的發(fā)熱量極低。這有助于減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,工作頻率一般也要比硅器件高10倍以上。此外,碳化硅半導(dǎo)體還有的固有的強(qiáng)抗輻射能力。
 
近年利用碳化硅材料制作的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)等功率器件,已可采用少子注入等工藝,使其通態(tài)阻抗減為通常硅器件的十分之一。再加上碳化硅器件本身發(fā)熱量小,因而碳化硅器件的導(dǎo)熱性能極優(yōu)。還有,碳化硅功率器件可在400℃的高溫下正常工作。其可利用體積微小的器件控制很大的電流。工作電壓也高得多。
 
六、目前碳化硅器件發(fā)展情況如何?
 
1,技術(shù)參數(shù):舉例來說,肖特基二極管電壓由250伏提高到1000伏以上,芯片面積小了,但電流只有幾十安。工作溫度提高到180℃,離介紹能達(dá)600℃相差很遠(yuǎn)。壓降更不盡人意,與硅材料沒有差別,高的正向壓降要達(dá)到2V。
 
2,市場價(jià)格:約為硅材料制造的5到6倍。
 
七、碳化硅(SiC)器件發(fā)展中的難題在哪里?
 
綜合各種報(bào)道,難題不在芯片的原理設(shè)計(jì),特別是芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解決好并不難。難在實(shí)現(xiàn)芯片結(jié)構(gòu)的制作工藝。
 
舉例如下:
 
1,碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一種肉眼都可以看得見的宏觀缺陷,在碳化硅晶體生長技術(shù)發(fā)展到能徹底消除微管缺陷之前,大功率電力電子器件就難以用碳化硅來制造。盡管優(yōu)質(zhì)晶片的微管密度已達(dá)到不超過15cm-2 的水平。但器件制造要求直徑超過100mm的碳化硅晶體,微管密度低于0.5cm-2 。
 
2,外延工藝效率低。碳化硅的氣相同質(zhì)外延一般要在1500℃以上的高溫下進(jìn)行。由于有升華的問題,溫度不能太高,一般不能超過1800℃,因而生長速率較低。液相外延溫度較低、速率較高,但產(chǎn)量較低。
 
3,摻雜工藝有特殊要求。如用擴(kuò)散方法進(jìn)行慘雜,碳化硅擴(kuò)散溫度遠(yuǎn)高于硅,此時(shí)掩蔽用的SiO2層已失去了掩蔽作用,而且碳化硅本身在這樣的高溫下也不穩(wěn)定,因此不宜采用擴(kuò)散法摻雜,而要用離子注入摻雜。如果p型離子注入的雜質(zhì)使用鋁。由于鋁原子比碳原子大得多,注入對晶格的損傷和雜質(zhì)處于未激活狀態(tài)的情況都比較嚴(yán)重,往往要在相當(dāng)高的襯底溫度下進(jìn)行,并在更高的溫度下退火。這樣就帶來了晶片表面碳化硅分解、硅原子升華的問題。目前,p型離子注入的問題還比較多,從雜質(zhì)選擇到退火溫度的一系列工藝參數(shù)都還需要優(yōu)化。
 
4,歐姆接觸的制作。歐姆接觸是器件電極引出十分重要的一項(xiàng)工藝。在碳化硅晶片上制造金屬電極,要求接觸電阻低于10- 5Ωcm2,電極材料用Ni和Al可以達(dá)到,但在100℃ 以上時(shí)熱穩(wěn)定性較差。采用Al/Ni/W/Au復(fù)合電極可以把熱穩(wěn)定性提高到600℃、100h ,不過其接觸比電阻高達(dá)10- 3Ωcm2 。所以要形成好的碳化硅的歐姆接觸比較難。
 
5,配套材料的耐溫。碳化硅芯片可在600℃溫度下工作,但與其配套的材料就不見得能耐此高溫。例如,電極材料、焊料、外殼、絕緣材料等都限制了工作溫度的提高。
 
以上僅舉數(shù)例,不是全部。還有很多工藝問題還沒有理想的解決辦法,如碳化硅半導(dǎo)體表面挖槽工藝、終端鈍化工藝、柵氧層的界面態(tài)對碳化硅MOSFET器件的長期穩(wěn)定性影響方面,行業(yè)中還有沒有達(dá)成一致的結(jié)論等,大大阻礙了碳化硅功率器件的快速發(fā)展。
 
八、為什么SIC器件還不能普及?
 
早在20世紀(jì)60年代,碳化硅器件的優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)為人們所熟知。之所以目前尚未推廣普及,是因?yàn)榇嬖谥S多包括制造在內(nèi)的許多技術(shù)問題。直到現(xiàn)在SIC材料的工業(yè)應(yīng)用主要是作為磨料(金剛砂)使用。
 
SIC在能夠控制的壓力范圍內(nèi)不會融化,而是在約2500℃的升華點(diǎn)上直接轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)。所以SIC 單晶的生長只能從氣相開始,這個(gè)過程比SIC的生長要復(fù)雜的多,SI在大約1400℃左右就會熔化。使SIC技術(shù)不能取得商業(yè)成功的主要障礙是缺少一種合適的用于工業(yè)化生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件的襯底材料。對SI的情況,單晶襯底經(jīng)常指硅片(wafer),它是從事生產(chǎn)的前提和保證。一種生長大面積 SIC襯底的方法以在20世紀(jì)70年代末研制成功。但是用改進(jìn)的稱為Lely方法生長的襯底被一種微管缺陷所困擾。
 
只要一根微管穿過高壓PN結(jié)就會破壞PN結(jié)阻斷電壓的能力,在過去三年中,這種缺陷密度已從每平方毫米幾萬根降到幾十根。除了這種改進(jìn)外,當(dāng)器件的最大尺寸被限制在幾個(gè)平方毫米時(shí),生產(chǎn)成品率可能在大于百分之幾,這樣每個(gè)器件的最大額定電流為幾個(gè)安培。因此在SIC功率器件取得商業(yè)化成功之前需要對SIC的襯底材料作更大技術(shù)改進(jìn)。
 
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SIC工業(yè)生產(chǎn)的晶片和最佳晶片的微管密度的進(jìn)展
 
制造不同器件成品率為40% 和90% 的微管密度值
 
上圖看出,現(xiàn)在SIC材料,光電子器件已滿足要求,已經(jīng)不受材料質(zhì)量影響,器件的工業(yè)生產(chǎn)成品率,可靠性等性能也符合要求。高頻器件主要包括MOSFET SCHOTTKY二極管內(nèi)的單極器件。SIC材料的微管缺陷密度基本達(dá)到要求,僅對成品率還有一定影響。高壓大功率器件用SIC材料大約還要二年的時(shí)間,進(jìn)一步改善材料缺陷密度??傊徽摤F(xiàn)在存在什么困難,半導(dǎo)體如何發(fā)展, SIC無疑是新世紀(jì)一種充滿希望的材料。
 
史上最全第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展介紹(附世界各國研究概況解析)
 
第3代半導(dǎo)體是指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,各類半導(dǎo)體材料的帶隙能比較見表1。與傳統(tǒng)的第1代、第2代半導(dǎo)體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第3代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,是世界各國半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
 
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一、主要應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展概況
 
目前,第3代半導(dǎo)體材料正在引起清潔能源和新一代電子信息技術(shù)的革命,無論是照明、家用電器、消費(fèi)電子設(shè)備、新能源汽車、智能電網(wǎng)、還是軍工用品,都對這種高性能的半導(dǎo)體材料有著極大的需求。根據(jù)第3代半導(dǎo)體的發(fā)展情況,其主要應(yīng)用為半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個(gè)領(lǐng)域,每個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)成熟度各不相同(見圖1)。
 
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圖1. 第3代半導(dǎo)體各應(yīng)用領(lǐng)域示意圖
 
半導(dǎo)體照明
 
在4個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中,半導(dǎo)體照明行業(yè)發(fā)展最為迅速,已形成百億美元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。半導(dǎo)體照明所使用的材料體系主要分為3種:藍(lán)寶石基GaN、SiC基GaN、Si基GaN,每種材料體系的產(chǎn)品都對應(yīng)不同的應(yīng)用。其中,藍(lán)寶石基GaN是最常用的,也是最為成熟的材料體系,大部分LED照明都是通過這種材料體系制造的。SiC基GaN制造成本較高,但由于散熱較好,非常適合制造低能耗、大功率照明器件。Si基GaN是3種材料體系中制造成本最低的,適用于低成本顯示。
 
電力電子器件
 
在電力電子領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用剛剛起步,市場規(guī)模僅為幾億美元。其應(yīng)用主要集中在軍事尖端裝備領(lǐng)域,正逐步向民用領(lǐng)域拓展。微波器件方面,GaN高頻大功率微波器件已開始用于軍用雷達(dá)、智能武器和通信系統(tǒng)等方面。在未來,GaN微波器件有望用于4G~5G移動通訊基站等民用領(lǐng)域。功率器件方面,GaN和SiC兩種材料體系的應(yīng)用領(lǐng)域有所區(qū)別。Si基GaN器件主要的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橹械蛪海?00~1 200V), 如筆記本、高性能服務(wù)器、基站的開關(guān)電源;而SiC基GaN則集中在高壓領(lǐng)域(>1 200V),如太陽能發(fā)電、新能源汽車、高鐵運(yùn)輸、智能電網(wǎng)的逆變器等器件。
 
激光器和探測器
 
在激光器和探測器應(yīng)用領(lǐng)域,GaN基激光器可以覆蓋到很寬的頻譜范圍,實(shí)現(xiàn)藍(lán)、綠、紫外激光器和紫外探測的制造。紫色激光器可用于制造大容量光盤,其數(shù)據(jù)存儲盤空間比藍(lán)光光盤高出20倍。除此之外,紫色激光器還可用于醫(yī)療消毒、熒光激勵(lì)光源等應(yīng)用,總計(jì)市場容量為12億美元。藍(lán)色激光器可以和現(xiàn)有的紅色激光器、倍頻全固化綠色激光器一起,實(shí)現(xiàn)全真彩顯示,使激光電視實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。目前,藍(lán)色激光器和綠光激光器產(chǎn)值約為2億美元,如果技術(shù)瓶頸得到突破,潛在產(chǎn)值將達(dá)到500億美元。GaN基紫外探測器可用于導(dǎo)彈預(yù)警、衛(wèi)星秘密通信、各種環(huán)境監(jiān)測、化學(xué)生物探測等領(lǐng)域,但尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
 
其他應(yīng)用
 
在前沿研究領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體可用于太陽能電池、生物傳感器、水制氫媒介、及其他一些新興應(yīng)用,目前這些熱點(diǎn)領(lǐng)域還處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段。
 
在以上4個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中,半導(dǎo)體照明和電力電子器件2個(gè)領(lǐng)域成為了2014年初關(guān)注焦點(diǎn)。前者是因?yàn)槊绹?ldquo;白熾燈”禁令于2014年1月1日開始實(shí)施,停止銷售市場最暢銷的40W和60W白熾燈,此舉旨在推廣緊湊型熒光燈、LED燈和其他高能效比節(jié)能燈泡。隨著世界各國相繼出臺全面淘汰白熾燈的政策法規(guī),預(yù)計(jì)2014年將成為半導(dǎo)體照明近期發(fā)展最快的一年。后者是受到美國政府“國家制造業(yè)創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)”計(jì)劃的影響。2014年1月15日,奧巴馬總統(tǒng)宣布成立“新一代電力電子器件國家制造創(chuàng)新中心”,在未來5年內(nèi),該中心通過美國能源部投資7 000萬美元,帶動企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)投入7 000萬美元以上匹配資金,致力于研發(fā)和制造高性能并具有價(jià)格競爭優(yōu)勢的半導(dǎo)體電力電子器件。中心將由美國北卡羅來納州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo),會同阿西布朗勃法瑞公司(ABB)、科銳公司(Cree, Inc)、射頻微器件公司(RF Mico Devices, Inc.)、臺達(dá)公司(Delta Products Inc.)、阿肯色電力電子國際公司(Arkansas Power Electronics International, Inc.)、東芝國際公司(Toshiba International Corporation)、美國海軍研究實(shí)驗(yàn)室(U.S. Naval Research Laboratory)等超過25家公司、大學(xué)及政府機(jī)構(gòu),此舉將極大地加速寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件在民用領(lǐng)域的應(yīng)用,并引發(fā)全球的關(guān)注?;谶@些原因,本文將重點(diǎn)對上述2個(gè)領(lǐng)域近期的發(fā)展情況進(jìn)行進(jìn)一步的介紹。
 
二、半導(dǎo)體照明
 
隨著照明科技的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)作為一種固體照明光源,以其高光效、長壽命、節(jié)能環(huán)保、應(yīng)用廣泛等諸多優(yōu)勢,正在逐步替代傳統(tǒng)的白熾燈,成為繼白熾燈、熒光燈之后的又一次光源革命。LED燈比傳統(tǒng)的白熾燈發(fā)光效率高80%左右,壽命長2倍,且不含汞、鉛等有害物質(zhì),可以安全觸摸,屬于典型的綠色照明光源。根據(jù)美國能源部研究報(bào)告,一個(gè)價(jià)值15美元的LED燈,在其生命周期內(nèi),將比白熾燈節(jié)省超過140美元的電費(fèi)。
 
近年來,隨著LED發(fā)光效率的大幅度提升,單位流明的價(jià)格逐步下降,各類創(chuàng)新產(chǎn)品不斷涌現(xiàn),照明質(zhì)量不斷提高。其應(yīng)用已從最初的指示燈,逐步拓展到室內(nèi)照明、舞臺照明、景觀照明等各個(gè)照明領(lǐng)域。目前,照明耗能約占整個(gè)電力消耗的20%左右,降低照明用電已成為節(jié)省能源的重要途徑。為此,發(fā)達(dá)國家紛紛宣布白熾燈淘汰計(jì)劃,積極推廣LED照明,應(yīng)對逐年的全球溫室效應(yīng)。美國、歐盟、日本、加拿大、澳大利亞、韓國等國相繼宣布停止銷售白熾燈。我國也將于2012-2016年,逐步淘汰白熾燈。
 
國外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
 
美國是半導(dǎo)體照明技術(shù)的領(lǐng)跑者,一直處于技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。為了減少照明電力的能源消耗,緩解能源枯竭,美國能源局自2000年就開始推動固態(tài)照明技術(shù)研究,逐步實(shí)現(xiàn)固態(tài)照明對傳統(tǒng)照明的替代。隨后,奧巴馬的“美國能源新政”把發(fā)展新能源和可再生能源、提高能源使用效能、推動能源結(jié)構(gòu)的調(diào)整作為促進(jìn)美國經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇和創(chuàng)造就業(yè)最重要的舉措。半導(dǎo)體照明技術(shù)被認(rèn)為是能源應(yīng)用領(lǐng)域中重要的技術(shù)創(chuàng)新之一,在美國能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型中發(fā)揮重要作用。
 
美國能源部的固態(tài)照明發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃共獲得美國國會2.98 億美元的撥款,資助了超過200個(gè)研究項(xiàng)目。此計(jì)劃取得了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會效益,根據(jù)相關(guān)研究報(bào)道,2012年LED燈為美國節(jié)省了71萬億BTU(英國熱量單位),相當(dāng)于節(jié)省了6.75億美元的能源開支。預(yù)計(jì)2030 年美國 LED照明的普及能夠?qū)⒛茉聪墓?jié)省近半,2010-2030年期間所節(jié)省的累計(jì)電量將達(dá)2 700TWh,相當(dāng)于剩下2 500億美元的開銷,也等同于18億t二氧化碳排放量(見圖2)。
 
除美國以外,其他發(fā)達(dá)國家也積極推動LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。日本早在1998年就推出了“21世紀(jì)光計(jì)劃”,投入60億日元用于開發(fā)白光LED照明光源,計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)100%的照明產(chǎn)品為新一代高效率照明。歐洲則于2000年開始的“彩虹計(jì)劃”,通過歐盟補(bǔ)貼來推廣LED的應(yīng)用。在隨后推出的“地平線2020”計(jì)劃中,固體照明和OLED都被囊括其中,光電子領(lǐng)域的投入將達(dá)到7億歐元。韓國在2002年提出“GaN半導(dǎo)體開發(fā)計(jì)劃”,國家投入1億美元推動LED照明發(fā)展。在隨后的“15/30計(jì)劃”中,又投入50億韓元經(jīng)費(fèi),進(jìn)行LED照明的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范擬定作業(yè),并規(guī)劃在2015年前將境內(nèi)30%的照明淘汰換成LED照明。
 
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圖2 美國能源部LED照明預(yù)測圖
 
中國LED產(chǎn)業(yè)概況
 
我國LED產(chǎn)業(yè)起步于20世紀(jì)70年代,發(fā)展迅速。在政府的大力扶持下,經(jīng)過30多年的發(fā)展,已經(jīng)初步形成了外延片、芯片、封裝及產(chǎn)品應(yīng)用完成產(chǎn)業(yè)鏈,成為全球照明產(chǎn)業(yè)變革中轉(zhuǎn)型升級發(fā)展最快的區(qū)域之一。通過科技部推出的“十城萬盞”半導(dǎo)體照明應(yīng)用示范工程,截至2011年底,已經(jīng)有420萬盞以上LED燈具得到示范應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)年節(jié)電4.2億kWh。根據(jù)國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)的最新數(shù)據(jù)顯示,2013年,我國功率型白光LED產(chǎn)業(yè)化光效達(dá)140 lm/W,擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的功率型硅基LED 芯片產(chǎn)業(yè)化光效達(dá)到130 lm/W,芯片的國產(chǎn)化率達(dá)到75% 。
 
2013 年,我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)到2 576 億元,較2012 年的1 920 億元增長34%。其中上游外延芯片生產(chǎn)產(chǎn)值規(guī)模達(dá)到105億元,增長率為31.5%;中游封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到403 億元,增長率為26%;下游應(yīng)用領(lǐng)域整體規(guī)模達(dá)到2 068 億元,增長率達(dá)到36%。根據(jù)聯(lián)盟預(yù)計(jì),2014 年,國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持高速增長,預(yù)計(jì)增長率達(dá)到40%左右。外延芯片產(chǎn)值增長率預(yù)計(jì)達(dá)到35%左右,封裝產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增速在20%左右,應(yīng)用環(huán)節(jié)產(chǎn)值增長率超過50%。
 
未來技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向
 
現(xiàn)階段LED燈的整體發(fā)光效率可達(dá)130~160 lm/W,已經(jīng)具有取代傳統(tǒng)照明市場實(shí)力,預(yù)計(jì)發(fā)光效率還將快速提升,2015年將達(dá)到160~190 lm/W,2020年將達(dá)到235 lm/W左右(見表2)。目前,制約LED大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵仍然是價(jià)格因素。雖然在過去的5年中,LED照明產(chǎn)品的售價(jià)有了大幅度的下降,但和普通的節(jié)能燈相比仍不具備價(jià)格優(yōu)勢(見圖3)。近幾年來,隨著生產(chǎn)成本下降和資本大量流入的影響,這種局面開始產(chǎn)生變化,LED照明與傳統(tǒng)照明產(chǎn)品之間的價(jià)格差距正在逐漸縮小。2013年末到2014年初,在許多國家和區(qū)域,無論是取代40W或是60W的LED燈最低售價(jià)都已經(jīng)跌破10美元,全球這兩種LED燈平均價(jià)格也分別下降到15美元和21美元的低位。許多人認(rèn)為10美元的價(jià)格區(qū)間將是家庭住宅大規(guī)模選擇使用LED燈具的一個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn),因此2014年很有可能將成為LED照明需求快速增長的一年,成為LED照明產(chǎn)品的拐點(diǎn)年。預(yù)計(jì)2014年LED照明滲透率也將由8%~10%提升至32.7%,LED照明市場產(chǎn)值達(dá)到為353億美元,較2013年成長 47.8%。到2020年,全球LED照明市場份額有望增長到840億美元。
 
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圖3 取代60W的LED球泡燈價(jià)格預(yù)期
 
三、電力電子器件
 
在20世紀(jì),硅基半導(dǎo)體電力電子器件被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信和能源等行業(yè),為人們帶來了各種強(qiáng)大的電子設(shè)備,深刻地改變著每一個(gè)人的生活,在過去的幾十年中一直推動著科學(xué)的進(jìn)步和發(fā)展。隨著硅基電力電子器件逐漸接近其理論極限值,利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件顯示出比Si和GaAs更優(yōu)異的特性,給電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了新的生機(jī)。相對于Si材料,使用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造新一代的電力電子元件,可以變得更小、更快、更可靠和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本,允許設(shè)備在更高的溫度、電壓和頻率下工作,使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實(shí)現(xiàn)更高的性能?;谶@些優(yōu)勢,寬禁帶半導(dǎo)體在家用電器、電力電子設(shè)備、新能源汽車、工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備、移動電話基站等系統(tǒng)中都具有廣泛的應(yīng)用前景。
 
軍事方面的應(yīng)用
 
最初,針對禁帶半導(dǎo)體的研究與開發(fā)主要是為了滿足軍事國防方面的需求。早在1987年,美國政府和相關(guān)研究機(jī)構(gòu)就促成了科銳公司(Cree)的成立,專門從事SiC半導(dǎo)體的研究。隨后,美國國防部和能源部先后啟動了“寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)計(jì)劃”和“氮化物電子下一代技術(shù)計(jì)劃”,積極推動SiC和GaN寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。美國政府一系列的部署引發(fā)了全球范圍內(nèi)的激烈競爭,歐洲和日本也相繼開展了相關(guān)研究。歐洲開展了面向國防和商業(yè)應(yīng)用的“KORRIGAN”計(jì)劃和面向高可靠航天應(yīng)用的“GREAT2”計(jì)劃。日本則通過“移動通訊和傳感器領(lǐng)域半導(dǎo)體器件應(yīng)用開發(fā)”、“氮化鎵半導(dǎo)體低功耗高頻器件開發(fā)”等計(jì)劃推動第3代半導(dǎo)體在未來通信系統(tǒng)中的應(yīng)用。經(jīng)過多年的發(fā)展,發(fā)達(dá)國家在寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及系統(tǒng)的研究上取得了豐碩的成果,實(shí)現(xiàn)了在軍事國防領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
 
由于SiC和GaN兩種材料的特性不同,它們的應(yīng)用領(lǐng)域也有所區(qū)別:GaN主要是用作微波器件,而SiC主要是作為大功率高頻功率器件。GaN材料的功率密度是現(xiàn)有GaAs器件的10倍,是制造微波器件的理想材料,被應(yīng)用于雷達(dá)、電子對抗、智能化系統(tǒng)及火控裝備,用來提高雷達(dá)性能和減小體積。根據(jù)報(bào)道,美國海軍新一代干擾機(jī)吊艙、空中和導(dǎo)彈防御雷達(dá)AMDR正在采用GaN來替代GaAs 器件,以取代洛馬公司的SPY-1相控陣?yán)走_(dá)(宙斯盾系統(tǒng)核心雷達(dá))。SiC則應(yīng)用于高壓、高溫、強(qiáng)輻照等惡劣條件下工作的艦艇、飛機(jī)及智能武器電磁炮等眾多軍用電子系統(tǒng),起到抵抗極端環(huán)境和降低能耗的作用。美國新型航空母艦CVN-21級福特號配備的4個(gè)電磁彈射系統(tǒng)均靠電力驅(qū)動,能在300英尺的距離內(nèi)把飛機(jī)速度提高到160海里/h。其區(qū)域配電系統(tǒng)采用全SiC器件為基礎(chǔ)的固態(tài)功率變電站,這使得每個(gè)變壓器的質(zhì)量從6t減少為1.7t,體積從10m3減少為2.7m3。
 
民用領(lǐng)域應(yīng)用
 
隨著在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用逐步成熟,寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用開始逐步拓展到民用應(yīng)用領(lǐng)域,其節(jié)能效應(yīng)也將惠及到國民經(jīng)濟(jì)的方方面面。近年來,信息技術(shù)在原有基礎(chǔ)上又得到快速發(fā)展,大量的以新技術(shù)為基礎(chǔ)的新產(chǎn)品、新應(yīng)用正在迅速普及,所帶來的電力電子設(shè)備的能源消耗量也快速增長。根據(jù)預(yù)測,美國電力電子設(shè)備用電量占總量的比例將從2005年的30%增長到2030年的80%。半導(dǎo)體在節(jié)能領(lǐng)域中應(yīng)用最多就是功率器件,絕大多數(shù)電子產(chǎn)品都會使用到一顆或多顆功率器件產(chǎn)品。寬禁帶半導(dǎo)體的帶隙明顯大于硅半導(dǎo)體,從而可有效減小電子跨越的鴻溝,減少能源損耗。其相關(guān)器件的推廣應(yīng)用將給工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、新能源等領(lǐng)域帶來深遠(yuǎn)的影響(見圖4)。
 
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圖4 寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域示意圖
 
(1)工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)
 
在傳統(tǒng)工業(yè)控制領(lǐng)域,交流電機(jī)控制、工業(yè)傳動裝置、機(jī)車與列車用電源以及供暖系統(tǒng)傳動裝置等都需要功率器件。對于工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)來說,更高效、更緊湊的寬禁帶半導(dǎo)體變頻驅(qū)動器可使電機(jī)的轉(zhuǎn)速實(shí)現(xiàn)動態(tài)調(diào)整,這將使得泵、風(fēng)機(jī)、壓縮機(jī)及空調(diào)系統(tǒng)所用的各類驅(qū)動電機(jī)變得更加高效、節(jié)能。根據(jù)報(bào)道,在美國,電機(jī)系統(tǒng)用電量占制造業(yè)的70%左右,通過使用寬禁帶半導(dǎo)體變頻驅(qū)動器,美國每年直接節(jié)省的電力相當(dāng)于100萬戶美國家庭用電的年消耗量。隨著寬禁帶半導(dǎo)體變頻驅(qū)動器的應(yīng)用逐步擴(kuò)展,最終節(jié)省的電力可供690萬戶美國家庭使用。
 
(2)消費(fèi)電子產(chǎn)品
 
消費(fèi)電子產(chǎn)品將是寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用的另一大領(lǐng)域。目前,家庭擁有的電器總量驚人,各類家電通常都需要各種不同的功率器件控制;公共場所空調(diào)、照明、裝飾、顯示、計(jì)算機(jī)、自動控制等也需要大量的功率器件。筆記本電腦、智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)和服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品所使用的電源轉(zhuǎn)換器雖然單個(gè)能耗不大,但其使用數(shù)量龐大,損耗總和相當(dāng)驚人。寬禁帶半導(dǎo)體芯片可以消除整流器在進(jìn)行交直流轉(zhuǎn)換時(shí)90%的能量損失,還可以使筆記本電源適配器體積縮小80%。通過使用寬禁帶半導(dǎo)體,美國在此領(lǐng)域節(jié)約的電力可供130萬戶美國家庭使用。
 
(3)新能源領(lǐng)域
 
為了擺脫對化石燃料的依賴、減少溫室氣體的排放,各國政府都開始大力發(fā)展可再生能源產(chǎn)業(yè)。太陽能發(fā)電和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)所產(chǎn)生的電力需要從直流電源轉(zhuǎn)換成交流電,繼而才能與電網(wǎng)相連接使用。由于風(fēng)能的不穩(wěn)定性,風(fēng)力發(fā)電機(jī)輸出非固定頻率的交流電,需要進(jìn)行交-直-交的轉(zhuǎn)換才能并網(wǎng)使用。寬禁帶半導(dǎo)體逆變器可以使得這個(gè)過程的效率更高,美國每年節(jié)省的電力足夠供美國75萬戶家庭使用。此外,對于智能電網(wǎng)來說,使用寬禁帶半導(dǎo)體制成的逆變器、變壓器和晶體管等,有助于克服發(fā)電、輸電、配電及終端使用所面臨的一系列問題,幫助建立一個(gè)更智能、更可靠、更具彈性的新一代電網(wǎng)。例如,一個(gè)寬禁帶半導(dǎo)體逆變器,其性能是傳統(tǒng)逆變器性能的4倍,同時(shí)成本和質(zhì)量分別減少50%和25%。對于較大規(guī)模的逆變器,寬禁帶半導(dǎo)體逆變器的質(zhì)量可以減輕大約3 600kg。
 
在電動汽車和混合動力汽車領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體可以把直流快充電站縮小到微波爐一樣大小,并減少2/3的電力損失。由于這些電子產(chǎn)品可以承受更高的工作溫度,可使得車輛冷卻系統(tǒng)的體積減少60%,甚至消除了二次液體冷卻系統(tǒng)。
 
市場前景
 
基于寬禁帶半導(dǎo)體的廣闊應(yīng)用前景、巨大的市場需求和經(jīng)濟(jì)效益,繼半導(dǎo)體照明以后,美國將第三代半導(dǎo)體材料的電子電力器件應(yīng)用提升到國家戰(zhàn)略的高度,確保美國在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢地位。相對于半導(dǎo)體照明行業(yè),寬禁帶半導(dǎo)體在電子電力領(lǐng)域的應(yīng)用剛剛起步,但預(yù)計(jì)其潛在市場容量超過300億美元。
 
功率器件方面,2012年全球SiC和GaN基功率器件市場的銷售規(guī)模僅為1億多美元,大部分應(yīng)用集中在電源。其中,SiC基器件的市場規(guī)模達(dá)到9 000萬美元,而GaN基器件僅為1 000多萬。2013年,各大企業(yè)紛紛推出GaN功率器件樣品,這標(biāo)志著其在民用市場的商業(yè)化進(jìn)程開始加速。隨著價(jià)格下降和產(chǎn)量的增加,預(yù)計(jì)市場拐點(diǎn)或?qū)⒊霈F(xiàn)在2015年。SiC基器件的價(jià)格有望下降到2012年的一半左右,GaN基器件的價(jià)格也可能進(jìn)一步下降,屆時(shí)市場規(guī)模有望接近5億美元。2020年,市場規(guī)模將達(dá)到20億美元,相比2012年提高20倍。微波器件方面,2012年GaN基微波器件市場收入接近9 000萬美元,預(yù)計(jì)GaN整體市場微波及功率器件到2015年達(dá)到3.5億美元。
 
我國開展SiC和GaN材料及器件方面的研究工作比較晚,在科技部及軍事預(yù)研項(xiàng)目的支持下,取得了一定的成果,逐步縮小了與國外先進(jìn)技術(shù)的差距,在軍工領(lǐng)域已取得了一些應(yīng)用。但是,研究的主要成果還停留在實(shí)驗(yàn)室階段,器件性能離國外的報(bào)道還有很大差距。目前,已有少數(shù)企業(yè)成功開發(fā)SiC和GaN材料及器件,GaN微波器件和SiC功率器件于2013年進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段,預(yù)計(jì)在未來2~3年內(nèi)將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
 
來源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟。作者:于灝、蔡永香、卜雨洲、謝潛思
 
 
 
 
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