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技術(shù)解析:二極管浪涌電流測試方案設計

發(fā)布時間:2015-02-02 責任編輯:echolady

【導讀】本文主要講述了二極管浪涌電流的測試方案,及其基本要求和標準測試方法。文中對標準測試中方法的不足之處提出了見解,并設計出能夠?qū)崿F(xiàn)大功率場效應管晶體管電流驅(qū)動的設計方案。

正弦半波脈沖電流的產(chǎn)生

二極管的規(guī)格繁多,常見的額定通態(tài)電流從數(shù)百毫安到數(shù)百安培甚至更高,IFSM測試需要的峰值脈沖電流要求達到數(shù)十倍的額定通態(tài)電流值。標準的測試方法是采用大容量工頻變壓器,截取市電交流波形來產(chǎn)生時間常數(shù)為10ms、導通角為0°~180°的正弦半波脈沖,如圖1。

技術(shù)解析:二極管浪涌電流測試方案設計
圖1 正向浪涌電流測試電路

用這種方法產(chǎn)生幾百上千安培的正弦脈沖電流,所用到的變壓器體積重量都非??捎^,安裝與使用十分不便。一些國外公司的產(chǎn)品對浪涌沖擊電流波形有特殊要求,比如要求在正向整流電流的基礎上再加一個時間常數(shù)為10ms或8.3ms、導通角為0°~180°的正弦半波脈沖電流,或者要求施加連續(xù)兩個時間常數(shù)為10ms或8.3ms、導通角為0°~180°的正弦半波脈沖電流等。顯然再采用市電截取的方法,已經(jīng)很難滿足不同器件的測試要求了。

設計思路

大功率場效應管晶體管是一類標準的電壓控制電流器件,在VDMOS管的線性工作區(qū)內(nèi),漏極電流受柵極電壓控制:IDS=GFS*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形,在漏極就會輸出相應的電流波形。因此,選用大功率VDMOS管適合用于實現(xiàn)所需的浪涌電流波形,電路形式如圖2所示。

技術(shù)解析:二極管浪涌電流測試方案設計
圖2 VDMOS電流驅(qū)動電路

運放組成基本的反向運算電路,驅(qū)動VDMOS管的柵極,漏源電流通過VDMOS管源極取樣電阻,加到運放反向輸入端,與輸入波形相加形成反饋,運放輸出電壓控制VDMOS管的柵極電壓VGS,進而控制漏極輸出電流IDS。這個IDS就是施加給待測二極管(DUT)的正向浪涌電流。

單只VDMOS管的功率和電流放大能力是有限的,無法達到上千安培的輸出電流能力,采用多只并聯(lián)的方式可以解決這個問題,以達到所需要的峰值電流。常見的連接方法如圖3所示。

技術(shù)解析:二極管浪涌電流測試方案設計
圖3 VDMOS并聯(lián)方式

本測試方案采用了成熟的電路控制技術(shù),簡潔而有效地實現(xiàn)了各種浪涌沖擊測試的要求。使用的都是常規(guī)易得的元器件,組建的裝置體積小重量輕,可以很方便地安裝在普通儀器箱中,成為一件標準測試儀器。具有使用靈活、易操作,測試精準度高,安全可靠等特點。

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