【導讀】富士通半導體日前宣布,推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off),相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件,品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件,用戶可以設(shè)計出體積更小,效率更高的電源組件。
富士通新型GaN功率器件可廣泛的運用于ICT設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域,將于2013年7月起開始提供新品樣片。
富士通半導體今日宣布,推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off),相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件,品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半?;诟皇客ò雽w的GaN功率器件,用戶可以設(shè)計出體積更小,效率更高的電源組件,可廣泛的運用于ICT設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域。
MB51T008A具有許多優(yōu)點,包括:1)導電阻13 mΩ,總柵極電荷為16 nC,使用相同的擊穿電壓,實現(xiàn)的品質(zhì)因數(shù)(FOM)大約是基于硅的電源芯片產(chǎn)品的一半;2)使用WLCSP封裝,最小的寄生電感和高頻率操作;3) 專有的柵極設(shè)計,可實現(xiàn)默認關(guān)閉狀態(tài),可進行常關(guān)操作。新產(chǎn)品是數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)產(chǎn)品和汽車電源中使用的DC-DC轉(zhuǎn)換器的高邊開關(guān)和底邊開關(guān)的理想選擇。此外,由于其支持電源電路中更高的開關(guān)頻率,電源產(chǎn)品可實現(xiàn)整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導體計劃于2013年7月起開始提供樣片,并于2014年開始批量生產(chǎn)。
除了提供150 V的耐壓值產(chǎn)品,富士通半導體還開發(fā)了耐壓為600 V 和 30 V的產(chǎn)品,從而有助于在更寬廣的產(chǎn)品領(lǐng)域提高電源效率。這些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世紀80年代來牽頭開發(fā)的HEMT (高電子遷移率晶體管)技術(shù)。富士通半導體在GaN領(lǐng)域擁有大量的專利技術(shù)和IP,可迅速將GaN功率器件產(chǎn)品推向市場。富士通半導體還計劃與客戶在各個行業(yè)建立合作伙伴關(guān)系,以進一步拓展業(yè)務。
富士通半導體于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN產(chǎn)品。時間:2013年7月17-19日,地點:日本東京國際博覽中心。公司會提供性能有進一步提高的具有2.5KW輸出功率的電源原形產(chǎn)品和測試數(shù)據(jù), 該產(chǎn)品的高頻PFC模塊和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器采用了600V耐壓的GaN功率器件。
富士通MB51T008A主要規(guī)格