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Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容

發(fā)布時間:2013-07-20 責(zé)任編輯:Cynthiali

【導(dǎo)讀】中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰,這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流,壽命超過30萬小時,可耐105℃高溫。

Vishay推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M,該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上,容量從0.047µF到10µF,可在+105℃高溫下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7個電壓等級。
 
Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容
 
MKP386M可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流,壽命超過30萬小時,可減少由切換IGBT引起的電壓和電流尖峰,這種尖峰是電磁干擾(EMI)的重要來源。典型應(yīng)用包括功率轉(zhuǎn)換器、頻率轉(zhuǎn)換器,以及風(fēng)力機逆變器、中功率和高功率太陽能逆變器、汽車動力總成中的電機驅(qū)動。

Vishay還提供結(jié)構(gòu)長度58mm的器件,用于高功率IGBT模塊。緩沖電容器的ESR低至1.5mΩ,容量公差±5 %,引線間隔的每毫米自感為0.7nH,RMS電流高達(dá)20A。器件采用阻燃塑料外殼和環(huán)氧樹脂密封,無鉛、無鹵素,符合RoHS指令。

MKP386M現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為十周到十二周。
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