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富士通推出小型化1 Mbit和2 Mbit FRAM產(chǎn)品

發(fā)布時間:2013-03-26 來源:電子元件技術網(wǎng) 責任編輯:hedyxing

【導讀】富士通近日宣布,推出兩款新型FRAM產(chǎn)品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器,是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM,適用于智能電表、工業(yè)設備和醫(yī)療器械。

兩款新型產(chǎn)品保證有10萬億次的讀寫次數(shù),大約是現(xiàn)有芯片的10倍,適合用于智能電表、工業(yè)機械和醫(yī)療設備。與容量相同的EEPROM相比,寫入時可減少92%的功耗。另外,由于新款FRAM可以把所有系統(tǒng)存儲器器件(主要包括EEPROM、SRAM和用于保持數(shù)據(jù)的電池)所需的技術集成到單一芯片上,因此可大幅降低器件成本,占板面積和功耗。這相應地極大地有助于開發(fā)小型和節(jié)能設備,使維修更加簡易,因此不再需要備用電池。

MB85RS1MT和MB85RS2MT
圖1:MB85RS1MT和MB85RS2MT

FRAM具有兩種特性:非易失性,即使關閉電源也能保存數(shù)據(jù);隨機存取,可以快速寫入數(shù)據(jù)。即使發(fā)生突然電源故障和停電時,F(xiàn)RAM也可以安全存儲正在寫入的數(shù)據(jù),所以可以在斷電前保證立刻保護芯片信息和存儲數(shù)據(jù)。憑借該能力,自從1999年量產(chǎn)后,富士通半導體的FRAM產(chǎn)品一直廣泛應用于工業(yè)自動化設備、測量設備、銀行終端以及醫(yī)療設備等。

對于包括智能電表和其它測量設備、工業(yè)機械以及醫(yī)療設備(如助聽器)-所有的這些設備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲器-現(xiàn)在可以使用富士通半導體的新型FRAM產(chǎn)品取代傳統(tǒng)的EEPROM。在快速寫入方面的改善可以使性能更高,同時可使由于電壓突然下降或者停電引起的數(shù)據(jù)丟失風險降至最低。針對寫入時所消耗的電量,新產(chǎn)品比EEPROM少消耗92%的電量,可以延長電池壽命。

作為對其FRAM 產(chǎn)品陣容的更新,富士通半導體最近開發(fā)了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit),這兩款產(chǎn)品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品讀寫次數(shù)提高到10萬億次,是富士通現(xiàn)行FRAM產(chǎn)品的10倍,因此可為實時連續(xù)數(shù)據(jù)記錄提供更好的支持。

讀寫次數(shù)比較
圖 2:讀寫次數(shù)比較

功耗比較
圖 3:功耗比較
 
占板面積比較
圖 4:占板面積比較

樣品發(fā)布日期



展望未來,富士通半導體將繼續(xù)提供解決方案,幫助客戶提高終端產(chǎn)品的性能,促進客戶現(xiàn)場設備的維護,并最大程度地降低風險。
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