意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST)新組件包括首個(gè)可承受950V峰值電壓的超接面(super-junction)晶體管(MOSFET)、同類(lèi)產(chǎn)品中能效最高的900V晶體管以及唯一采用省空間 PowerFLAT 8x8 HV 超薄封裝的850V組件。超接面技術(shù)可提高 MOSFET 的工作電壓，降低導(dǎo)通電阻-芯片尺寸比，使電源產(chǎn)品在縮減總體封裝尺寸的同時(shí)提高系統(tǒng)可靠性和能效。

在展示 SuperMESH 5 組件的高能效的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還公布首個(gè)成功應(yīng)用超高壓 MOSFET 的客戶(hù)設(shè)計(jì)。意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI在其最新的 LED 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中采用 LEDIPAK 封裝的950V STU6N95K5 做主電源開(kāi)關(guān)，為設(shè)計(jì)先進(jìn)且功能豐富的LED照明燈提供電源，使其成為高成本效益的小型 LED 照明市場(chǎng)的能效標(biāo)竿。

 意法半導(dǎo)體新的超接面 MOSFET 的其它主要應(yīng)用包括平面電視、PC電源、 LED 照明驅(qū)動(dòng)器及氣體放電式燈(HID)的電子安定器(electronic ballast)。 MOSFET 將讓設(shè)計(jì)人員能夠達(dá)到能源之星和歐洲的能源相關(guān)產(chǎn)品法規(guī)(ErP) 等生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)中日益嚴(yán)格的能效上限和下限要求。

例如，最新能源之星電視產(chǎn)品技術(shù)要求(5.3版)提出了更嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)定，50吋以上的平面電視的最大絕對(duì)功率為108.0瓦。同時(shí) ErP 的照明法規(guī)提高了2012-2017年間制造的各類(lèi) HID 燈的能效下限標(biāo)準(zhǔn)。

意法半導(dǎo)體新的超接面 MOSFET 耐高壓特性可提高系統(tǒng)安全性和可靠性。對(duì)于 HID 燈安定器和其它以電源線或更高電壓為電源的系統(tǒng)，例如太陽(yáng)能微轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)汽車(chē)充電站，耐高壓是一個(gè)重要優(yōu)勢(shì)。為最大幅度減少電動(dòng)汽車(chē)的充電時(shí)間和工作成本，充電站需要極高的功率轉(zhuǎn)換效率。在微型發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)換器內(nèi)，高能效的 MOSFET 讓設(shè)計(jì)人員能夠使用更高的開(kāi)關(guān)頻率，輸出高質(zhì)量的 AC 電能，同時(shí)降低能耗和解決方案尺寸。

新的 MOSFET 晶體管是首批采用意法半導(dǎo)體的 SuperMESH 5 第五代超接面技術(shù)的產(chǎn)品。新產(chǎn)品包括采用不同封裝的900V STx21N90K5 、950V STx20N95K5 以及950V STx6N95K5 。 STL23N85K5 850V 采用 PowerFLAT 8x8 HV 高壓表面安裝封裝，占板面積為64mm2，較業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 D2PAK 封裝小56%。此外，這款產(chǎn)品的高度為1mm，較標(biāo)準(zhǔn) D2PAK 封裝低77%，適用于超薄型應(yīng)用設(shè)計(jì)。

900V STP21N90K5 的靈敏值(FOM)反映了該產(chǎn)品開(kāi)啟電源以及開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)的總體能效，較市場(chǎng)上唯一可比產(chǎn)品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5，設(shè)計(jì)人員即可大幅提高能效。

新 SuperMESH 5 產(chǎn)品已開(kāi)始提供樣品或接受訂單，該系列產(chǎn)品未來(lái)還將增加新款800V組件。