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BAV99BRV/LP:Diodes推出微型高速開(kāi)關(guān)二極管

發(fā)布時(shí)間:2012-03-21

產(chǎn)品特性:

  • 有助減小電路板尺寸、采用低剖面封裝
  • 具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓
  • 總電容性能從2pF到最高4pF

適用范圍:

  • 手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等


Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開(kāi)關(guān)二極管,有助大幅降低器件數(shù)量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝,以供顧客選擇。

這些單二極管、雙二極管和雙雙(串聯(lián)及共陰極)二極管配置能發(fā)揮多種功能,包括交流信號(hào)整流、數(shù)據(jù)線(xiàn)保護(hù)、反向電池保護(hù)和直流-直流轉(zhuǎn)換,適用于對(duì)輕巧和纖薄產(chǎn)品設(shè)計(jì)有較高要求的手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦。

該開(kāi)關(guān)二極管系列的總電容性能從2pF到最高4pF,確保把高帶寬輸入信號(hào)的失真或衰減情況減至最少。此外,這些二極管還具備高達(dá)85V的擊穿電壓,可從容應(yīng)對(duì)最強(qiáng)烈的開(kāi)關(guān)電路瞬態(tài)峰值。

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