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微電子所在石墨烯電子器件研制上獲得整體突破

發(fā)布時(shí)間:2011-08-17 來(lái)源:中國(guó)科學(xué)院

新聞事件:
  • 微電子所在石墨烯電子器件研制上獲得整體突破
事件影響:
  • 采用微機(jī)械剝離石墨烯器件
  • SiC外延生長(zhǎng)石墨烯器件件
  • 化學(xué)氣相淀積(CVD)法石墨烯器件

石墨烯材料具有優(yōu)良的物理特性和易于與硅技術(shù)相結(jié)合的特點(diǎn),被學(xué)術(shù)界和工業(yè)界認(rèn)為是推進(jìn)微電子技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的極具潛力的材料。日前,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)石墨烯研究小組成員(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究員和劉新宇研究員的帶領(lǐng)下,分別在采用微機(jī)械剝離方法、SiC外延生長(zhǎng)法和化學(xué)氣相淀積(CVD)法生長(zhǎng)出的新型石墨烯材料上,成功研制出高性能的石墨烯電子器件。

(一)微機(jī)械剝離石墨烯器件

研究小組首先采用微機(jī)械剝離法得到幾百平方微米的大面積石墨烯材料,在此基礎(chǔ)上,創(chuàng)新的采用了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的復(fù)合柵介質(zhì)結(jié)構(gòu),開(kāi)發(fā)了細(xì)柵條器件工藝,解決了器件制備中的關(guān)鍵工藝問(wèn)題,開(kāi)發(fā)出完整的石墨烯器件工藝流程,實(shí)現(xiàn)了石墨烯電子器件的制備,如圖1(左)所示。測(cè)試數(shù)據(jù)表明,器件最高截止頻率達(dá)到18GHz(圖1(右)所示),達(dá)到國(guó)內(nèi)石墨烯電子器件的最高水平。

(二)SiC外延生長(zhǎng)石墨烯器件

研究小組在SiC外延生長(zhǎng)法制備的2英寸晶圓級(jí)石墨烯材料上,開(kāi)發(fā)了完整的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的石墨烯雙柵器件工藝流程,實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)石墨烯電子器件的大規(guī)模制備,如圖2(a)所示。測(cè)試數(shù)據(jù)表明,器件整體性能達(dá)到GHz以上,最高截止頻率達(dá)到4.6GHz(圖2(b)所示),器件成品率達(dá)到90%以上,成為國(guó)內(nèi)首家公開(kāi)報(bào)道在SiC外延方法生長(zhǎng)石墨烯上制備出截止頻率達(dá)GHz以上的團(tuán)隊(duì)。

(三)化學(xué)氣相淀積(CVD)石墨烯器件

在銅箔上采用化學(xué)氣相淀積(CVD)方法制備的大面積石墨烯材料上,實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)石墨烯電子器件的規(guī)?;苽?。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,器件整體性能在500MHz以上,最高截止頻率達(dá)到1.1GHz(圖3所示),器件成品率達(dá)到80%以上,成為國(guó)內(nèi)首個(gè)公開(kāi)報(bào)道的在CVD方法生長(zhǎng)石墨烯上制備出截止頻率達(dá)到GHz以上的團(tuán)隊(duì)。

在晶圓級(jí)石墨烯材料上制備出電子器件,不同于以往常用的微機(jī)械剝離法制備石墨烯上實(shí)現(xiàn)單個(gè)電子器件,它的實(shí)現(xiàn)為今后更深入的研究不同特征尺寸器件性能,為實(shí)現(xiàn)石墨烯基集成電路提供了重要的基礎(chǔ),也是石墨烯基電子器件大規(guī)模制備的先決條件,具有非常重大的意義。

在電子器件研制的過(guò)程中,研究小組非常重視自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù),已經(jīng)申請(qǐng)近20項(xiàng)專利,并有數(shù)篇論文已遞交國(guó)際頂級(jí)科學(xué)雜志,極大提升了微電子所在石墨烯電子器件方面的科研實(shí)力。研究小組認(rèn)為,應(yīng)該把握石墨烯優(yōu)異的物理特性與硅集成電路相結(jié)合,給集成電路帶來(lái)革命性變革這一重大機(jī)遇,突破石墨烯材料和器件發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù),打造石墨烯從材料到器件的完整科研鏈條,實(shí)現(xiàn)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和跨越。
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