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新型材料的電力電子器件:碳化硅功率器件

發(fā)布時間:2010-12-16 來源:中采網(wǎng)ic160.com

碳化硅的機(jī)遇與挑戰(zhàn):
  • 是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料
  • 將對半導(dǎo)體材料產(chǎn)生革命性的影響
  • 將成為功率器件研究領(lǐng)域的主要潮流之一
  • 技術(shù)需要時間磨合
碳化硅的市場數(shù)據(jù):
  • 將在今后5~10年內(nèi)出現(xiàn)SIC的新器件

碳化硅是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電力電子方面也是很重要的,可制作出性能更加優(yōu)異的高溫(300℃~500℃)、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SIC高功率、高壓器件對于公電輸運和電動汽車等設(shè)備的節(jié)能具有重要意義。采用SIC的新器件將在今后5~10年內(nèi)出現(xiàn),并將對半導(dǎo)體材料產(chǎn)生革命性的影響。

SIC可以用來制造射頻和微波功率器件、高頻整流器、MESFET、MOSFET和JFET等。SIC高頻功率器件已在Motorola公司研發(fā)成功,并應(yīng)用于微波和射頻裝置;美國通用電氣公司正在開發(fā)SIC功率器件和高溫器件;西屋公司已經(jīng)制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻MESFET;ABB公司正在研制用于工業(yè)和電力系統(tǒng)的高壓、大功率SIC整流器和其他SIC低頻功率器件。

理論分析表明,SIC功率器件非常接近理想的功率器件。我們可以預(yù)見,各種SIC器件的研發(fā)必將成為功率器件研究領(lǐng)域的主要潮流之一。但是我們也要清醒的看到,SIC材料和功率器件的機(jī)理、理論和制造工藝均有大量的問題需要去解決,它要真正給電力電子技術(shù)領(lǐng)域帶來新的革命,估計還需要時間的等待。
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