- 晶圓處理能力未能大幅提高
- 半導(dǎo)體超滿負荷運轉(zhuǎn)
- 半導(dǎo)體整體為同比(YoY)減少0.2%
- 環(huán)比(QoQ)增長0.6%
日前,國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(SICAS)2010年第二季度(4~6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開始了增產(chǎn)投資,但因老生產(chǎn)線廢棄,晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下,由于晶圓投入量增加,半導(dǎo)體的整體開工率達到了可以說是滿負荷的95%以上。一部分甚至超過了98%,呈 “超滿負荷運轉(zhuǎn)”狀態(tài)。
晶圓處理能力方面,半導(dǎo)體整體為同比(YoY)減少0.2%,環(huán)比(QoQ)增長0.6%,MOS IC整體為同比增長0.1%,環(huán)比增長0.6%,繼續(xù)持平。旨在從0.12~0.06μm生產(chǎn)線向0.06μm以下生產(chǎn)線過渡的細微化投資十分活躍,但是為擴大晶圓處理能力的增產(chǎn)投資卻稍顯遜色:其沖抵了老生產(chǎn)線廢棄導(dǎo)致的晶圓處理能力下降。增產(chǎn)投資的實施,從半導(dǎo)體廠商的企業(yè)形態(tài)看,主要是硅代工廠商,從晶圓直徑來看,主要面向300mm晶圓進行。而在硅代工廠商之外的垂直整合型半導(dǎo)體廠商(IDM)因進行重組,廢棄了200mm以下的量產(chǎn)線。
晶圓的實際投入量方面,除部分特例外,均持續(xù)了YoY增20~30%、QoQ增近10%的增長率。其中,從半導(dǎo)體廠商的企業(yè)形態(tài)來看,硅代工廠商的增長率比較顯著,而從工藝技術(shù)來看,60nm以下工藝的增長率較為顯著。硅代工廠商的投入量為YoY增67.8%,QoQ增10.6%,達到40萬2200 片/周(以200mm晶圓換算,下同)。60nm以下工藝晶圓的投入量為QoQ增13.0%,達到78萬500片/周。
綜上所述,半導(dǎo)體整體的量產(chǎn)線開工率為YoY增18.6個百分點,QoQ增2.1個百分點,達到95.6%,MOS IC整體為YoY增17.1個百分點,QoQ增長2.5個百分點,達到95.7%,均超過了95%。尤其是需求量較大的80nm以下工藝、300mm晶圓以及硅代工廠商的開工率更是達到了超過98%的“超滿負荷運轉(zhuǎn)”狀態(tài)。