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EFC4612R/EFC4615R:三洋上市鋰離子電池充放電保護電路用MOSFET

發(fā)布時間:2010-04-30 來源:技術(shù)在線

產(chǎn)品特性:
  • 與首款BGA封裝產(chǎn)品相比,其封裝面積減小了39%,封裝高度降低了33%
  • EFC4612R在4.5V時的導(dǎo)通電阻為24/39/45mΩ,封裝尺寸為1.26mm×1.26mm×0.37mm
  • EFC4615R的導(dǎo)通電阻為19/27/31mΩ,封裝尺寸為1.46mm×1.46mm×0.37mm
應(yīng)用范圍:

三洋半導(dǎo)體上市了可供手機鋰離子電池組(1~2個電池單元)等使用的充放電保護電路用MOS FET新產(chǎn)品“EFC4612R/EFC4615R”。該產(chǎn)品在4個焊球的BGA封裝上各封裝了一個放電用和一個充電用FET。與該公司2年前推出的首款BGA封裝產(chǎn)品(EFC4601R)相比,此次產(chǎn)品(EFC4612R)的封裝面積減小了39%,封裝高度降低了33%。


面向新聞媒體的發(fā)布會。三洋半導(dǎo)體的吉村充弘(高端器件事業(yè)部小型器件開發(fā)部課長)介紹了此次的產(chǎn)品。攝影:Tech-On!。投影顯示的是三洋半導(dǎo)體的數(shù)據(jù)。上部的大尺寸封裝為EFC4615R,下部的小尺寸封裝為EFC4612

該公司近日于東京面向新聞媒體舉行的發(fā)布會上表示,此次的產(chǎn)品在功能及性能相同的BGA封裝產(chǎn)品中為“業(yè)界最小最輕”(高端器件事業(yè)部小型器件開發(fā)部部長秋庭隆史)。雖然LGA封裝有更小型的產(chǎn)品,但“從用戶封裝工時的角度看,不會輕易選擇LGA。一般都會考慮選擇BGA產(chǎn)品”(秋庭隆史)。


此次產(chǎn)品的應(yīng)用示例。藍色虛線內(nèi)的部分為此次的產(chǎn)品

EFC4612R與EFC4615R相比,導(dǎo)通電阻和封裝尺寸不同。EFC4612R在4.5V時的導(dǎo)通電阻RSSon為24/39/45(最小/平均/最大)mΩ,封裝尺寸為1.26mm×1.26mm×0.37mm。EFC4615R的導(dǎo)通電阻為19/27/31(最小/平均/最大)mΩ,封裝尺寸為1.46mm×1.46mm×0.37mm。2010年5月開始樣品供貨,樣品價格方面,EFC4612R為100日元,EFC4615R為150日元。從2010年6月開始以3000萬個/月(兩型號合計)的規(guī)模實施量產(chǎn)。


封裝面積和高度的變化趨勢

半導(dǎo)體工藝和封裝均采用新技術(shù)

此次產(chǎn)品的開發(fā)過程中,上游的半導(dǎo)體工藝和下游的封裝工序均采用了新技術(shù)。前者采用了該公司最新的第五代溝道工藝。由此,與現(xiàn)有產(chǎn)品相比降低了導(dǎo)通電阻,并減小了封裝面積。性能指標(標準化導(dǎo)通電阻)保持在71.5mΩ·mm2


改變焊錫球的形狀

后者的封裝采用了兩項扁平化技術(shù)。一是改變了焊錫球的形狀。從原來的球狀改為了半球狀,高度降低了120μm。第二項是封裝背面的保護膜技術(shù)。將Si部分的高度比原產(chǎn)品降低80μm,并為確保強度而在背面粘貼了20μm的保護膜。這減少了60μm的高度。兩項技術(shù)加起來,此次將高度從已有的EFC4601R的550μm降低了33%至370μm。


在背面增加保護膜

該公司的實驗表明,在粘貼保護膜之后,抗沖擊性提高到了無保護膜時的2倍。另外,在板卡等上封裝此次的產(chǎn)品時,不易發(fā)生破裂及缺損。而且,此次還在黑色樹脂上配合使用了白色文字,與已有產(chǎn)品在金色封裝上采用黑色文字相比,文字的視認性得以提高。
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