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恩智浦半導體推出新一代高效率低VCEsat晶體管

發(fā)布時間:2010-03-10 來源:EDN

產(chǎn)品特性:
  • 超低VCEsat
  • 高速開關(guān)
  • 電壓范圍為20 V - 60 V
  • 低功率損耗
應用范圍:
  • 大批量消費者應用、通信應用、計算應用和汽車應用

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支:超低VCEsat 晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V,采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。

這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管,正如其名,它們?yōu)闇p少打開導通電阻確立了新的基準,使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明,雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低開關(guān)損耗的應用提供了理想選擇。

恩智浦半導體小信號晶體管產(chǎn)品市場經(jīng)理Frank Thiele說,“通過推出采用杰出的低電阻基底技術(shù)的第四代BISS晶體管,恩智浦為采用小型SMD封裝的低VCEsat 晶體管確立了行業(yè)發(fā)展方向,為雙極晶體管技術(shù)打開了新的應用。”

新的BISS-4晶體管提供了高電路效率、低功率損耗,產(chǎn)生的熱量要小于相同封裝的標準晶體管。這些新產(chǎn)品的DC集電極電流為4.3 A (峰值 ICM 8 A),采用小型SOT23封裝,其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶體管的兩倍。新的BISS-4晶體管是為大批量消費者應用、通信應用、計算應用和汽車應用中的負荷開關(guān)、開關(guān)式電源(SMPS)和電源管理功能設(shè)計的。

所有8種新型晶體管都滿足AEC-Q101標準,其封裝不含鹵化物和氧化銻,滿足UL 94V-0阻燃標準和RoHS標準。在2010年第一季度末即將推出的SMD封裝的其它類型SOT89、SOT223和SO-8,將擴大新的低VCEsat (BISS)晶體管系列。恩智浦半導體在10年前推出了BISS晶體管家族,目前是這些產(chǎn)品的領(lǐng)導供應商。

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