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CISSOID 推出了新系列高溫小信號晶體管

發(fā)布時間:2009-12-02 來源:電子產(chǎn)品世界

產(chǎn)品特性:
  •  輸入電容僅為 32pF
  • 在225度其柵極洩漏限于 5.6μA
  • 在225度這種邏輯級 MOSFET 可到 230mA
應(yīng)用范圍:
  •   高溫度傳感器接口

高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID 推出了新產(chǎn)品的行星家族高溫晶體管和開關(guān)。汞是一種高溫80V 的小信號N 溝道 MOSFET 晶體管,其保證的工作溫度范圍為攝氏負(fù)55 度至225 度。憑藉其極端溫度的魯棒性,其輸入電容僅為 32pF,在225度其柵極洩漏限于5.6μA,這80V 的晶體管非常適合用于高溫度傳感器接口,如壓電式傳感器或執(zhí)行一個保護(hù)放大器。

在225度這種邏輯級 MOSFET 可到230mA,也可用于切換中或高電阻,例如:轉(zhuǎn)換3.3V/5V的邏輯信號至高壓開汲極輸出而開啟/關(guān)閉時間低于5ns。最后,源極綁在閘極,在高溫度范圍下水銀可被用作高可靠性的80V 小電流二極管。

汞,引用為 CHT-SNMOS80,在TO-39 金屬封裝的評估用之樣品現(xiàn)在已可提供。數(shù)量在200 粒以上,起步價為歐元129一個。
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