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Si8461DB/5DB系列:Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-11-06 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 器件最大尺寸僅為1mm x 1mm
  • 導(dǎo)通電阻比非芯片級器件提高10倍
應(yīng)用范圍:
  • 負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET--- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。

在種類繁多的便攜式設(shè)備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。

在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下,Si8461DB的導(dǎo)通電阻為0.1Ω,比非芯片級器件提高了10倍,而且具有相近的占位尺寸,為節(jié)約便攜設(shè)備中的電池能量提供了極大幫助。除4.5V的電壓等級,Si8461DB還確定了在2.5V、1.8V和1.5V電壓時(shí)的最大導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻與采用便攜式系統(tǒng)中常見的更小輸入信號的設(shè)備相匹配。對于充電開關(guān)等需要更高輸入電壓的應(yīng)用,Si8465DB具有12V的柵源電壓,在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)的導(dǎo)通電阻分別為0.104Ω和0.148Ω。
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