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能源電力

硅薄膜太陽能技術(shù)具先天優(yōu)勢(shì) 準(zhǔn)確定位是關(guān)鍵

在薄膜太陽能技術(shù)中，硅薄膜太陽能是業(yè)界投入最普遍的技術(shù)；市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch指出，由于全球?qū)璞∧げ牧涎芯肯鄬?duì)成熟，且無缺料問題，再加上面板產(chǎn)業(yè)可借重在硅薄膜領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)，國際大廠如夏普(Sharp)、三星電子(SamsungElectronics)與樂金電子(LGElectronics)等均投入硅薄膜太陽能量...

2009-10-15

硅薄膜太陽能先天優(yōu)勢(shì) 定位

工信部:電子制造業(yè)虧損企業(yè)數(shù)增長近三成

10日，工信部公布了1～8月電子信息制造業(yè)的整體運(yùn)行情況：全部企業(yè)的主營業(yè)務(wù)收入29617.79億元，小幅下降了4.8%，但利潤總額僅為892億元，下滑了21.5%。其中，相當(dāng)部分原因是由于出口的下降。統(tǒng)計(jì)顯示，電子制造業(yè)的出口交貨值與去年同期相比下降了11.3%。

2009-10-14

電子制造業(yè) 工信部虧損

歐盟提出新的WEEE和RoHS指令修訂草案

2009年9月3日，歐盟理事會(huì)秘書處向歐盟成員國代表提出新的RoHS指令和WEEE指令修訂草案文本。去年12月3日，歐洲委員會(huì)首次提出RoHS指令和WEEE指令的修訂草案（COM(2008)809和COM(2008)810），修訂的目的在于收緊現(xiàn)行法規(guī)、提高生產(chǎn)商責(zé)任以及加強(qiáng)歐盟27國的市場(chǎng)監(jiān)管。第一次修訂草案提出后，由于收到...

2009-10-14

歐盟 RoHS WEEE

圖文詳解電子元件焊接技術(shù)

在電子制作中，元器件的連接處需要焊接。焊接的質(zhì)量對(duì)制作的質(zhì)量影響極大。所以，學(xué)習(xí)電于制作技術(shù)，必須掌握焊接技術(shù)，練好焊接基本功。本文將圖文并茂的詳細(xì)講解電子制作中使用電烙鐵的焊接技術(shù)。

2009-10-14

圖電子元件焊接技術(shù) 測(cè)試工作坊元器件電烙鐵

全球測(cè)試測(cè)量巨頭安捷倫成都基地投用

世界最大的測(cè)試與測(cè)量公司、美國上市公司安捷倫科技10月9日宣布，其投入上千萬美元在成都高新區(qū)建設(shè)的研發(fā)制造基地一期工程投入使用，這將解決近千人的就業(yè)。這意味著它計(jì)劃將成都作為在中國西部最重要的制造研發(fā)中心。

2009-10-14

安捷倫

太陽誘電推出0201封裝1μF積層陶瓷電容器

太陽誘電推出了靜電容量為1μF的小型0201尺寸（0.6×0.3×0.3mm）尺寸積層陶瓷電容器“AMK063BJ105MP”。與該公司的原產(chǎn)品相比，體積縮小了約78％，高度降低了40％。在該尺寸產(chǎn)品中，靜電容量達(dá)到了業(yè)界最高水平。

2009-10-14

電容太陽誘電 0201

諾貝爾獎(jiǎng)當(dāng)之無愧，CCD傳感器已無處不在

“影像傳感器技術(shù)對(duì)世界和整個(gè)社會(huì)帶來了巨大且深遠(yuǎn)的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說?！坝跋駛鞲衅鞯膽?yīng)用范圍甚廣，如數(shù)字相機(jī)、手機(jī)，已經(jīng)成為現(xiàn)代文化密不可分的一部份，也影響了社交媒體和視訊共享革命的發(fā)展?！?/p>

2009-10-14

傳感器 CCD 諾貝爾獎(jiǎng)

DMM4000系列：高精度臺(tái)式數(shù)字萬用表

DMM4000系列5.5和6.5數(shù)位分辨率的數(shù)字萬用表(DMM)，通過精確的測(cè)量和深入分析功能，幫助工程師調(diào)試復(fù)雜的電子器件，驗(yàn)證電路設(shè)計(jì)。此外，該數(shù)字萬用表系列集成了National Instruments LabVIEW SignalExpress?交互儀器軟件，能從多臺(tái)儀器中迅速采集、分析和顯示數(shù)據(jù)。

2009-10-14

DM4000 高精度數(shù)字萬用表

即將普及的碳化硅器件

隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。

2009-10-14

豐田 SiC 碳化硅 MOSFET

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