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第七屆新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會精彩圖片展播
低碳、環(huán)保推動太陽能發(fā)電、風電、新能源汽車、逆變等應(yīng)用不斷發(fā)展，對逆變器、變流器技術(shù)及其元器件支持體系提出新要求，怎樣才能把握新能源市場，進而大展拳腳？2011年8月23日由電子元件技術(shù)網(wǎng)(www.forexsooq.com）攜手中國電子展、我愛方案網(wǎng)(www.52solution.com）和China outlook consulting主...
2011-08-24
新型節(jié)能設(shè)計技術(shù) 風能 太陽能 2011西部電子論壇
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第八屆電路保護與電磁兼容技術(shù)研討會現(xiàn)場盛況直播!
西部電子的高可靠性、高防護性特點使得西部電子市場過流過壓保護、ESD防護、防雷、浪涌保護等電路保護和電磁兼容技術(shù)在電子系統(tǒng)中的重要性日益凸顯。為了提高西部電子的可靠性設(shè)計，2011年8月23日由電子元件技術(shù)網(wǎng)(www.forexsooq.com）攜手中國電子展、我愛方案網(wǎng)(www.52solution.com）和China outl...
2011-08-24
電路保護 電磁兼容 2011西部電子論壇
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瑞薩行動宣布與華為、安立知合作成果
近日消息，據(jù)外媒報道，行動通訊半導(dǎo)體解決方案與平臺供應(yīng)商瑞薩電子(Renesas Electronics)獨資子公司瑞薩通信技術(shù)公司(Renesas Mobile Corporation，以下簡稱瑞薩行動 )宣布，該公司近日與各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商積極合作、頻傳佳績，包括與全球領(lǐng)先的信息及通信解決方案供應(yīng)商華為 (HUAWEI)攜手刷新 HSUPA...
2011-08-24
通訊 半導(dǎo)體 華為 無線調(diào)制解調(diào)器
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電動車將超過電腦成為鋰離子電池最大市場
據(jù)外媒報道，本周由關(guān)鍵信息、產(chǎn)品、解決方案和服務(wù)供應(yīng)商IHS公布的報告中稱：到2015年，電動汽車市場將會超過筆記本電腦市場，成為鋰離子電池最大的銷售領(lǐng)域。
2011-08-24
鋰離子 電腦 電動車 電池
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我國鋰電池材料發(fā)展亟待突破國外專利封鎖
“日本、中國和韓國是世界3大鋰離子電池生產(chǎn)國，2010年全球鋰離子電池的產(chǎn)量約為50億只，中國生產(chǎn)了16億只，占到了32%。”中國化學與物理電源行業(yè)協(xié)會秘書長劉彥龍日前表示。然而，如此龐大的鋰電池產(chǎn)業(yè)，卻面臨極大的材料專利糾紛，這也成為懸在中國鋰電池行業(yè)頭頂?shù)睦麆Α?/p>
2011-08-24
鋰電池 磷酸鐵 錳酸鋰材料 電動車
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歐美太陽能此消彼長 中國需求拉升多晶硅價格
最近專注于全球太陽能產(chǎn)業(yè)的兩家市場研究機構(gòu)Solarbuzz和EnergyTrend接連發(fā)布報告，指出歐美太陽能市場出現(xiàn)此消彼長態(tài)勢，中國需求拉升全球多晶硅價格，各國乃至全球太陽能市場版圖重新洗牌在所難免。
2011-08-24
太陽能 多晶硅
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電磁屏蔽技術(shù)分析
近幾年來，隨著電磁兼容工作的開展，電磁屏蔽技術(shù)應(yīng)用得越來越廣泛。為了對電磁屏蔽技術(shù)有更深入的理解，應(yīng)當對屏蔽材料的性能和應(yīng)用場合、屏蔽技術(shù)的注意事項、屏蔽效能的檢測以及特殊部位的屏蔽措施等進行更深入的探討。
2011-08-24
電磁屏蔽 屏蔽 EMC EMI
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串聯(lián)電池電壓及溫度測量方法研究
在提倡節(jié)能減排的時代背景下，新能源的研究正成為公眾關(guān)注的焦點，以電為動力的電動車就是研究的熱點之一。電池是電動車的能量之源，為確保電池組性能良好并延長其使用壽命，需要對電池組進行管理和控制，其前提是必須準確而又可靠的獲得電池現(xiàn)存的容量參數(shù)。
2011-08-24
串聯(lián)電池 寄存陣 C語言 溫度測量
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電平位移電路應(yīng)用于負電源的設(shè)計
本文設(shè)計了一種應(yīng)用于負電源的電平位移電路。實現(xiàn)從0～8V低壓邏輯輸入到8～-100V高壓驅(qū)動輸出的轉(zhuǎn)換。分析了該電路的結(jié)構(gòu)和工作原理?；诖穗娐方Y(jié)構(gòu)設(shè)計了滿足應(yīng)用要求的高壓薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作狀態(tài)以及耐壓機理，并利用工藝器件聯(lián)合仿真對器件的電學特性進行了優(yōu)化設(shè)計。
2011-08-24
電平位移 薄膜SOI LDMOS 負電源 開態(tài)擊穿電壓
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
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