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英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第三代逆導(dǎo) (RC) 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 產(chǎn)品系列,推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品,以因應(yīng)市場對高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-25
英飛凌 IGBT 逆導(dǎo)IGBT
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自適應(yīng)防雷技術(shù)工作原理詳解
浪涌保護(hù)日益重要,但就目前的浪涌防護(hù)技術(shù)來講還是有很多問題的,例如不能準(zhǔn)確選擇相應(yīng)電壓等級的浪涌防護(hù)器。歐申公司的自適應(yīng)防雷技術(shù)就可以解決這一問題。
2012-10-25
自適應(yīng)防雷 AEM
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旁路電容設(shè)計的13條規(guī)則
考慮到了電路布局對性能的所有可能的影響,設(shè)計人員可以做些什么來確保版圖避免振蕩、失真和總體信號質(zhì)量低下呢?下面的基本版圖和旁路電容設(shè)計指南“設(shè)計規(guī)則13條”可能頗有裨益。
2012-10-24
旁路電容 電容 振蕩
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功率型NTC如何抑制浪涌電流
功率型NTC抑制浪涌電流的原理:在電子電路電源部分(LED驅(qū)動板,熒光燈換流器,加熱器等),開機(jī)的瞬間會產(chǎn)生一個比正常工作電流高出百倍的浪涌電流。
2012-10-24
NTC 浪涌電流 電路保護(hù)
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D類功放和與AB類功放優(yōu)缺點(diǎn)對比
“數(shù)字功放”的基本電路是早已存在的D類放大器(國內(nèi)稱丁類放大器)。以前,由于價格和技術(shù)上的原因,這種放大電路只是在實(shí)驗(yàn)室或高價位的測試儀器中應(yīng)用。這幾年的技術(shù)發(fā)展使數(shù)字功放的元件集成到一兩塊芯片中,價格也在不斷下降。理論證明,D類放大器的效率可達(dá)到100%。然而,迄今還沒有找到理想...
2012-10-24
D類功放 AB類功放 數(shù)字功放
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半導(dǎo)體三極管技術(shù)參數(shù)分析
中國、印度等新興市場的成長將帶動消費(fèi)電子產(chǎn)品如LCD TV、筆記本電腦、臺式電腦、雙模數(shù)碼相機(jī)(DSC)、手機(jī),汽車電子,智能手機(jī)等終端產(chǎn)品需求量上升的強(qiáng)大助力,而3G建設(shè)等新產(chǎn)品新行業(yè)的的快速發(fā)展,進(jìn)而帶動上游半導(dǎo)體三極管的市場成長,給電子行業(yè)帶來巨大商機(jī)。那么很多電子行業(yè)的生產(chǎn)企業(yè)在...
2012-10-24
半導(dǎo)體 三極管
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TDK的熱輔助記錄實(shí)現(xiàn)每平方英寸1.5Tbit
TDK公開了能夠提高硬盤記錄密度的新型磁頭的開發(fā)成果。通過使用采用近場光的熱輔助記錄方式的磁頭技術(shù),實(shí)現(xiàn)了1.5Tbit/inch2的面記錄密度,誤碼率(BER)為10-2。
2012-10-24
TDK 磁頭 硬盤
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第一講:解析雷電和浪涌的產(chǎn)生、危害及防護(hù)措施
眾所周知,雷電具有極大地破壞性,其電壓高達(dá)數(shù)百萬伏,瞬間電流可高達(dá)數(shù)十萬安培?,F(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越強(qiáng),電路越來越復(fù)雜,元器件密度也越來越高,但承受電磁干擾或感應(yīng)電壓的能力越來越低。尤其是監(jiān)控系統(tǒng),多數(shù)都裝在室外,更易受到雷擊及浪涌的破壞,如不對這些電子設(shè)備進(jìn)行雷電感應(yīng)保護(hù),...
2012-10-24
雷電 浪涌 保護(hù)
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中國電子展發(fā)展的見證者
隨著工業(yè)控制、汽車、軌道交通、物流設(shè)備、金融機(jī)具、航空及軍用電子設(shè)備、安防、照明、測試、醫(yī)療儀器等新應(yīng)用市場的興起,供應(yīng)商高利潤業(yè)務(wù)被迅速拉動。針對先進(jìn)制造業(yè)的工業(yè)電子市場,展會現(xiàn)場將開設(shè)眾多熱點(diǎn)產(chǎn)品展示區(qū)域和專業(yè)活動。值得一提的是,在中國電子展舉辦八十屆之際,展會將增加一系...
2012-10-24
中國電子展
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