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中國電子展6月亮相成都 展示面向工業(yè)應(yīng)用和軍工的電子技術(shù)解決方案
成都是西部電子行業(yè)的重鎮(zhèn)，全國重要的基礎(chǔ)電子裝備基地，在工業(yè)電子、新能源、嵌入式、航空航天、國防等領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累和人才儲備，近年來在西部大開發(fā)戰(zhàn)略的推動下，西部電子行業(yè)已經(jīng)形成有自己獨(dú)特需求特征的、潛力巨大的市場。
2013-05-13
中國電子展
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儲能新技術(shù)：超級電容器市場前景一片看好
超級電容器是一種新型儲能器件，其放電過程基本為物理過程，因此性能穩(wěn)定且綠色環(huán)保。超級電容器的超大容量、高功率密度、快速充放電、循環(huán)壽命長等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、風(fēng)能發(fā)電、工程機(jī)械、軌道交通以及國防等領(lǐng)域。
2013-05-11
超級電容器 儲能設(shè)備 電動汽車
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IGBT在風(fēng)光互補(bǔ)發(fā)電設(shè)計中新型應(yīng)用
風(fēng)光互補(bǔ)系統(tǒng)主要由風(fēng)力發(fā)電機(jī)、太陽能電池板、風(fēng)光互補(bǔ)控制器、逆變系統(tǒng)等組成，是新型的環(huán)保能源系統(tǒng)。逆變器是風(fēng)光互補(bǔ)發(fā)電系統(tǒng)的關(guān)鍵設(shè)備，直接關(guān)系到供電質(zhì)量和系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性。本文提出一種新的IGBT逆變器控制方法，能夠較好的控制逆變器系統(tǒng)的穩(wěn)定，提供高質(zhì)量的供電。
2013-05-11
IGBT 風(fēng)光互補(bǔ)發(fā)電 逆變系統(tǒng)
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一種更精確的IGBT防護(hù)設(shè)計探究
在使用和設(shè)計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題，這一直是IGBT領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，給廣大設(shè)計者帶來了不少麻煩。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計的解決方案。
2013-05-10
IGBT 電路保護(hù)
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第二講：基于IGBT的高能效電源設(shè)計
時至今日，綠色、環(huán)保、低能耗、高能效等理念時刻影響著消費(fèi)者的決策。為此，廣大設(shè)計人員在設(shè)計產(chǎn)品時就需要盡量降低能耗，實現(xiàn)高能效。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產(chǎn)品設(shè)計者應(yīng)對他們所面臨的設(shè)計具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。本文就為大家分析基于IGBT的高能效電源設(shè)計。
2013-05-10
IGBT 高能效
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半月談：IGBT應(yīng)用設(shè)計全面剖析
IGBT是電力電子重要大功率主流器件之一，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。那么該如何做好IGBT的保護(hù)及設(shè)計呢？國內(nèi)市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好，今后的發(fā)展趨勢又將如何？
2013-05-09
IGBT IGBT保護(hù) IGBT設(shè)計
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基于UCC27531的電源開關(guān)驅(qū)動設(shè)計
德州儀器UCC27531單通道柵極驅(qū)動器可以非?？拷娫撮_關(guān)柵極放置。相比在一塊單IC中組合高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動器，它的靈活度更高，可幫助最小化驅(qū)動器和電源開關(guān)之間的電感，并讓設(shè)計人員能夠更好地控制開關(guān)柵極。
2013-05-09
開關(guān)電源 驅(qū)動器 可再生能源
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IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用對比
IGBT因其電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)被廣泛用于變頻器的逆變電路中,但隨著電力電子制造技術(shù)的發(fā)展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大，本文將針對IGCT、IEGT與IGBT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行對比。
2013-05-08
晶體管 IGBT 變頻器
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SiC BJT：比同類產(chǎn)品實現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開關(guān)頻率，傳導(dǎo)和開關(guān)損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。
2013-05-08
飛兆 SIC BJT IGBT
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