你的位置:首頁 > EMC安規(guī) > 正文

MLCC的選擇標準 不要盲目依靠工具來選擇組件

發(fā)布時間:2022-03-27 來源:Rutronik 責任編輯:wenwei

【導讀】小型化一直是多層陶瓷片式電容器(MLCC)產(chǎn)品的熱門趨勢。但縮小尺寸并非易事,特別是需要考慮到許多臨界條件。雖然數(shù)字工具可以為用戶提供很多的協(xié)助,但如果用戶完全依賴這些工具,住往會忽略一些關鍵的技術問題。


多層陶瓷片式電容器(MLCC)的體積很小,有利于實現(xiàn)小型化。然而,考慮ESD保護、EM干擾和熱管理等因素,以及與這些因素相關的典型特性和漂移,也是很重要的。雖然越來越多的開發(fā)人員使用數(shù)字工具來簡化選擇組件的過程,但仍然需要考慮到上述各個方面,才能夠快速實現(xiàn)設計目標并避免不必要的重復設計。

 

首先,建議用戶在縮小尺寸時,不要簡單地沿用MLCC的現(xiàn)值組合,尤其是在電容(C值)和電壓方面,而是要根據(jù)應用的實際需求甚至單個組件的功能來做出決定。理想情況下,應當考慮供應商的首選型款。除了C值和電壓外,其他的重要數(shù)值還包括阻抗和等效串聯(lián)電阻(ESR)。

 

特別是對于高電容(hi-cap)器件,即C值以μF為單位的MLCC產(chǎn)品,其直流偏置效應也是需要考慮的重要因素。直流偏置是基于施加的直流電壓而導致電容降低的效應。在額定電壓下,電容有可能下降到標稱值的20%左右,具體數(shù)值取決于組件,因此在操作期間必須注意絕對最小C值。

 

圖1顯示了多個直流偏置曲線示例,表明使用較小的組件可使直流偏置率提高很多。


1645094607446205.png

圖1:較小結構MLCC具有較高的直流偏置率

圖源:村田


影響直流偏置性能的另一個因素是工作溫度,如圖2的圖表所示,對于標稱值較高的較小結構MLCC電容,直流偏置的剩余電容和溫度遠遠高于標稱值較低的較大結構MLCC電容。


1645094590724401.png

圖2:相比較大結構電容,較小結構電容具有更高的剩余電容。圖源:村田


在針對標C值MLCC進行分級時,開發(fā)人員應根據(jù)基本指導數(shù)值(表1至3)進行選擇,這表示,在理想情況下應僅使用具有標準容差的首選數(shù)值。事實上,用戶已經(jīng)不用再關注Z5U和Y5V陶瓷類型電容了,因為這類器件逐漸停產(chǎn),實際上有些已經(jīng)停產(chǎn)了。


1645094556991252.png

表1:電容分級


4.png

表2:容差代碼


5.png

表3:首選MLCC參數(shù)組合(電容>1μF:首選E3系列)


除了直流偏置問題外,二類陶瓷電容器(如X7R 和X5R)還需要考慮溫度漂移和老化問題。

 

使用表4可以比較容易確定溫度漂移。例如,這個表格顯示X5RMLCC在–55°C至+85°C的溫度范圍內(nèi)具有±15%的可預測溫度漂移。


1645094528828883.png

表4:不同MLCC器件的溫度漂移

圖源:三星


1645094516134127.png

圖3:將MLCC放置在非常高的溫度下一段時間之后,可以逆轉老化效應。圖源:三星


MLCC—它們也會老化


老化現(xiàn)象會導致MLCC的電容值隨著時間的推移而損失,在每個對數(shù)尺度差距(perlogarithmic decade)下的損失大約在1%到6%之間,這意味著我們可以按此估算1小時后、10小時后、100小時后的電容數(shù)值損失,依此類推。因此,MLCC的C值越高且內(nèi)層越薄,MLCC就越容易老化。也就是說,與直流偏置和溫度漂移的影響相比,老化基本上是可以忽略不計的因素,盡管它在測量用于容差測試的C值時發(fā)揮關鍵作用。

 

與生物的老化不同,MLCC器件的老化是可逆轉的。適當?shù)募訜崽幚砜梢阅孓D老化效應。為了實現(xiàn)去老化,MLCC組件通常會放置在+150°C溫度下1小時,然后靜置24小時。電焊操作也可以去老化。

 

從整體來看各種C值漂移,很明顯應該提倡使用標稱容差范圍為±10%的二類電容器,而不是標準容差范圍為±5%的,即使一些供應商仍然提供和交付標準容差范圍為±5%的電容產(chǎn)品。這會引起對于是否遵守容差范圍的無意義辯論。在測量過程中,用戶經(jīng)常無法滿足有關測量設備和測量條件的要求。例如測量電壓(通常定義為1.0V的有效值)在測量過程中出現(xiàn)下降,從而導致顯示的電容值過低。

 

最好根據(jù)電壓要求留有余地


指定電壓通常是直流電壓(即使沒有明確標示)。如果該數(shù)值為交流電壓則會標明,例如“250V AC”。供應商通常會在其詳細數(shù)據(jù)表或規(guī)格/應用信息中提供其他的詳細信息,例如與紋波電流或峰峰值相關的信息。需要注意的是,具有相同C值但介電強度更高(不考慮可預測性或錯誤率方面)的MLCC往往具有更厚的內(nèi)層,從而減弱了直流偏置效應。

 

也就是說,一些供應商繼續(xù)為目前支持50V電壓的電容器提供較低電壓規(guī)格。在這兩種情況中,規(guī)格超過電壓要求都不是問題,例如,對于16V電壓要求,可以使用指定規(guī)范電壓為25 V或50 V的MLCC電容器。

 

除了此處考慮的基本參數(shù)外,在選擇MLCC組件時還有許多其他方面的因素,例如,取決于應用和使用領域的所需質(zhì)量水平或特性。此類特性可能包括汽車等級要求(通常符合AEC-Q200標準)或軟端接要求(也稱為flexiterm、抗撓裂、樹脂外部電極和聚合物端接,以及其他類似表達),可以防止在彎曲PCB時形成明顯可見的裂縫(圖4)。

 

8.jpg

圖4:具有特定屬性的MLCC可以滿足特殊要求

圖源:村田

 

實現(xiàn)小型化的動力


小型化背后的動機還有其他含義;雖然業(yè)界一直推動現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供越來越多的性能以滿足要求,這日益限制了PCB上的空間,然而,現(xiàn)今推動小型化的主要因素更有可能是供貨和成本效益(圖5),尤其是在供應商之間。對于開發(fā)人員來說,這意味著他們越來越需要適應供應商的步伐,如果他們想保持靈活性和成本效益,就必須留出足夠的余地,以便在需要時可找到替代品,而雙來源采購是實現(xiàn)這一目標的關鍵。在充滿挑戰(zhàn)的市場條件下尤其如此,這種情況總是會出現(xiàn),即使只是暫時的。

 

1645094482756859.png

圖 5:各種結構尺寸MLCC電容的成本效益比較

圖源:威世


(本文作者系儒卓力陶瓷電容器技術支持Jürgen Geier)



免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯(lián)系小編進行處理。


推薦閱讀:


在DC/DC電源下方鋪銅是否有益?

如何使用DMA在低功耗可穿戴設備中加快外設監(jiān)測

強魯棒性低側柵極驅動電路設計指南

集成1700V SiC MOSFET車規(guī)高壓開關不僅是多個第一

SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)

特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉