村田提供的陶瓷基體ESD保護(hù)裝置使用被稱(chēng)為「電極間放電方式」的機(jī)理。這個(gè)產(chǎn)品的內(nèi)部電極是反向構(gòu)造，通常是絕緣狀態(tài)，施加高電壓時(shí)，內(nèi)部電極間產(chǎn)生放電，電流流入地下。產(chǎn)品的特性受內(nèi)部電極間的距離和材料等控制。與電壓可變阻抗方式的抑制型相比，端子間靜電容量小，具有優(yōu)良的循環(huán)耐性，主要用于智能手機(jī)的天線和高速數(shù)據(jù)通信線。

 

半導(dǎo)體基體的ESD保護(hù)裝置使用被稱(chēng)為齊納二極管方式的機(jī)理。二極管是P型半導(dǎo)體（電子不足的狀態(tài)）和N型半導(dǎo)體（電子有余量的狀態(tài)）的結(jié)合物。

二極管在P型半導(dǎo)體側(cè)連接正極（正向偏壓），電子受正極吸引，通孔受負(fù)極吸引，因此電流流入。另一方面，在N型半導(dǎo)體側(cè)連接正極（反向偏壓），電子受正極吸引，通孔受負(fù)極吸引，P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間產(chǎn)生空隙層，電流無(wú)法流入。

　　但是，施加更高的反向偏壓時(shí)，在空隙層共同結(jié)合的電子被切斷，與其他電子的沖突不斷循環(huán)，電流突然流入。將這個(gè)突然流入的電流產(chǎn)生的電壓稱(chēng)為擊穿電壓。

　　硅材料的ESD保護(hù)裝置利用了這個(gè)二極管的技術(shù)，施加大于擊穿電壓的過(guò)電壓（ESD），電流流入地下。與陶瓷基體的產(chǎn)品相比，端子間的容量變大，具有更好地ESD保護(hù)性能。

 

　　結(jié)語(yǔ)

 

　　即使只是說(shuō)我們身邊存在的電子設(shè)備、電氣設(shè)備，需要ESD保護(hù)裝置的地方也有很多，使用合適的ESD對(duì)策與產(chǎn)品的穩(wěn)定息息相關(guān)。村田的ESD保護(hù)裝置具有高性能、高可靠性，提供能夠符合各種設(shè)備·用途的豐富產(chǎn)品陣容。