系統(tǒng)開發(fā)者在針對開發(fā)要求，開始進(jìn)行應(yīng)用方案選擇，大多會(huì)傾向?qū)ふ倚阅芨?、速度更快的解決方案，例如SoC、GPU、無線傳輸、無線充電等應(yīng)用方案，都會(huì)以更新、更快的角度進(jìn)行方案選擇，但若同時(shí)將這些應(yīng)用方案塞到設(shè)備機(jī)箱中，如果沒有針對電磁波改善方案進(jìn)行設(shè)計(jì)，完成的產(chǎn)品肯定無法通過電磁干擾(Electro Magnetic Interference，EMI)產(chǎn)品驗(yàn)證關(guān)卡，甚至可能造成產(chǎn)品無法出貨。

一般來說，電子產(chǎn)品通常若在開發(fā)過程中，未能重視EMI問題對策與改善，通常會(huì)在后段即將進(jìn)行量產(chǎn)才發(fā)現(xiàn)EMI問題必須改善，此時(shí)才在事后進(jìn)行設(shè)計(jì)檢討、測試、改善對策元件追加／試做，耗用的成本會(huì)比在開案初期即同時(shí)考量設(shè)計(jì)改善方案要來得高許多，往往在設(shè)計(jì)案的時(shí)限一步步逼近時(shí)，在時(shí)間壓力下若因EMI問題而使設(shè)計(jì)必須做某部分的妥協(xié)，更是得不償失。

利用局部金屬屏蔽 解決重點(diǎn)EMI問題

除了從模塊化元件利用金屬屏蔽方式，降低高頻、高速元件可能造成的電磁干擾噪訊外，另一個(gè)產(chǎn)生電子波干擾的重要源頭，就是PCB電路板本身，系統(tǒng)開發(fā)者必須在投入開發(fā)的初期就能預(yù)先進(jìn)行各式抑制電磁干擾源發(fā)生的設(shè)計(jì)問題，或搭配被動(dòng)元件、輔助設(shè)計(jì)措施進(jìn)行產(chǎn)品的電磁干擾問題改善。電子系統(tǒng)中，除了關(guān)鍵元件的高頻運(yùn)行下，可能產(chǎn)生電磁干擾問題外，另一大電磁干擾問題來源，就是印刷電路板本身的設(shè)計(jì)不良，使得電磁波干擾問題會(huì)有趨于惡化的現(xiàn)象。開發(fā)時(shí)必須針對不同的需求，選擇適宜的設(shè)計(jì)形式降低可能產(chǎn)生的電磁干擾影響。

圖1：針對PCB區(qū)塊產(chǎn)生的EMI干擾問題，可使用EMI改善對策元件重點(diǎn)改善。

通常PCB設(shè)計(jì)工作需要仰賴系統(tǒng)設(shè)計(jì)者多年累積的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，或利用精密的驗(yàn)證模型系統(tǒng)，在產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)行前先以機(jī)箱框體結(jié)構(gòu)、載板、元件特性、電源配置等參數(shù)，先進(jìn)行軟件參數(shù)模擬分析，試著在投入研發(fā)資源前，先初步確認(rèn)電磁干擾問題的可能影響狀態(tài)，再進(jìn)行細(xì)部的外型、機(jī)構(gòu)、電路或元件重新配置方式，盡可能將電磁干擾問題的可能成因降到最低。

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在設(shè)計(jì)過程考量EMI設(shè)計(jì)對策

一般來說，電子產(chǎn)品通常會(huì)在完成初步驗(yàn)證設(shè)計(jì)，即同步進(jìn)行電磁干擾驗(yàn)證工作，此時(shí)的設(shè)計(jì)方案在外型與機(jī)構(gòu)仍有相當(dāng)大程度的設(shè)計(jì)修改彈性，若驗(yàn)證設(shè)計(jì)測出的電磁干擾問題相當(dāng)嚴(yán)重，就必須選擇重新配置零組件、或改善部分機(jī)構(gòu)或防護(hù)材料的設(shè)置。

但若電磁干擾問題的影響采用元件重新配置的改善幅度有限，或PCB板本身就太小、根本沒有空間重新配置關(guān)鍵元件，這時(shí)能進(jìn)行電磁波干擾問題改善的設(shè)計(jì)方針，就必須朝不同設(shè)計(jì)技巧、或利用電磁波抑制對策元件進(jìn)行重點(diǎn)式設(shè)計(jì)改善。而多數(shù)設(shè)計(jì)方案為了降低后期驗(yàn)證、可能造成電磁干擾問題不易修正問題，或是減少投入修正電磁干擾問題的額外成本，較合適的作法是在每個(gè)開發(fā)階段都加入減低電磁干擾的線路設(shè)計(jì)考量，讓整體電路設(shè)計(jì)可將電磁干擾問題降低減緩。

圖2：在射頻、核心處理器、高速存儲(chǔ)器等高頻元件區(qū)塊，可使用金屬屏蔽方式改善產(chǎn)品EMI影響問題。

若以目前最熱門的智能型行動(dòng)裝置為例，一般的設(shè)計(jì)條件中，大多會(huì)選擇納入核心處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)、儲(chǔ)存記憶卡...等關(guān)鍵元件，而高頻元件以處理器、繪圖處理器、存儲(chǔ)器為主，目前行動(dòng)裝置處理器外部時(shí)脈動(dòng)輒超過1GHz，這在機(jī)構(gòu)空間相對有限的小尺寸設(shè)計(jì)方案中，并不容易改善其電磁干擾問題，而高頻運(yùn)行也容易干擾周邊元件正常運(yùn)行，較常見的作法是于PCB印刷電路板做好區(qū)塊接地、搭配金屬護(hù)罩把高頻元件利用金屬屏蔽，最大幅度地減少電磁干擾影響。

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使用改善EMI干擾對策元件 緩解設(shè)計(jì)產(chǎn)品之EMI影響

但搭配金屬屏蔽設(shè)計(jì)，必須搭配PCB印刷電路板的接地布線進(jìn)行配合，于高頻元件周邊預(yù)留金屬屏蔽可用的固定焊點(diǎn)，焊點(diǎn)除具備直接屏蔽效果外，也必須同時(shí)達(dá)到屏蔽接地設(shè)計(jì)，讓高頻電磁干擾問題有效被抑制。解決了最大的EMI問題干擾源后，對于PCB本身的干擾問題改善，就可搭配對策性電磁干擾改善元件進(jìn)行EMI問題加強(qiáng)改善設(shè)計(jì)。

例如，針對CPU線路需要的時(shí)脈電路，可以追加防止電磁干擾用的濾波電路，而據(jù)高頻資料傳輸運(yùn)行狀態(tài)的GPU高頻I/O，可以追加設(shè)置共模扼流線圈(Common mode Choke Coil)，至于也可選擇幾個(gè)關(guān)鍵IC，在其電源線路上設(shè)置旁路電容(Bypass Condenser)、或搭配Ferrite Beads(FB)元件設(shè)計(jì)。

而共模扼流線圈元件，通?？梢栽谥靼寤蜻m配卡上相當(dāng)常見，共模扼流線圈主要是針對EMI問題進(jìn)行濾波改善，尤其是針對高速信號(hào)線可能產(chǎn)生的電磁波向外輻射的抑制效果特別好，也可用于消除信號(hào)線的輸入干擾訊號(hào)、或各式環(huán)境噪訊／機(jī)箱內(nèi)噪訊的干擾問題。共模扼流線圈又稱共模電感、共模線圈，尤其在交換式電源設(shè)計(jì)方案中相當(dāng)常見，目前已有針對小型電路設(shè)計(jì)的貼片型元件。

針對高頻線路區(qū)塊 進(jìn)行重點(diǎn)EMI對策元件設(shè)置

而Ferrite Beads(磁珠)元件方面，磁珠本身具有很高的電阻率、磁導(dǎo)率，可以等效于電阻與電感的串連特性，但Ferrite Beads實(shí)際的電阻、電感值會(huì)隨著頻率產(chǎn)生變化，由于Ferrite Beads比一般電感有更好的高頻濾波特性。Ferrite Beads本身的材料為鐵氧體的立方晶格的亞鐵磁性材料，鐵氧體材料可以是鐵鎳合金或鐵鎂合金，因?yàn)檫@種材料的高頻損耗相當(dāng)大、且具備較高的磁導(dǎo)率，用于電磁干擾重點(diǎn)防治設(shè)計(jì)相當(dāng)有用。

鐵氧體材料特性也可用于電路板的EMI問題改善方面，一般來說在低頻段時(shí)，F(xiàn)errite Beads的阻抗表現(xiàn)為由電感的組抗來構(gòu)成，低頻狀態(tài)的電阻值相當(dāng)?shù)?，磁芯本身的磁?dǎo)率高、電感量表現(xiàn)較大，電磁干擾受電感反應(yīng)影響。在高頻使用段方面，F(xiàn)errite Beads的阻抗由電阻特性呈現(xiàn)，隨著外部頻率升高、磁芯之磁導(dǎo)率對應(yīng)降低，這會(huì)導(dǎo)致Ferrite Beads的電感量減小、但此時(shí)磁芯損耗會(huì)增加(電阻增加)，當(dāng)高頻信號(hào)通過鐵氧體電磁干擾反而會(huì)被吸收、轉(zhuǎn)換成熱能形式逸散能量。

至于Ferrite Beads鐵氧體的抑制元件可廣泛用于PCB印制電路板、數(shù)據(jù)線、電源線，例如，在PCB電路板電源線入口端加上Ferrite Beads鐵氧體抑制元件，即可有效濾除區(qū)塊電路的高頻干擾，另鐵氧體磁環(huán)、磁珠也可用于抑制信號(hào)線、電源線的高頻干擾／突波干擾，同時(shí)具吸收靜電放電脈沖能力。