通常，以以下方式描述IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：“ IGBT是場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極晶體管的組合，其中N溝道FET控制雙極晶體管”。盡管這句話很好地描述了基礎(chǔ)知識(shí)，但在高功率范圍的IGBT應(yīng)用中，IGBT控制電路的復(fù)雜性實(shí)際上要比控制小MOSFET時(shí)要高得多。例如，MOSFET的控制通常稱為空載，因?yàn)镸OSFET所需的開關(guān)電流通常可以忽略不計(jì)。

 

對(duì)于功率IGBT，這毫無(wú)疑問，因?yàn)榭刂仆ǔＰ枰獛淄咛?。此外，在這種情況下，不再容易忽略需要重新加載的內(nèi)部電容，而這些電容在小型MOSFET的控制中幾乎不起任何作用。

 

正確的，最重要的是，對(duì)IGBT的有效控制是一個(gè)復(fù)雜的過程，為此，需要將驅(qū)動(dòng)器調(diào)諧至IGBT。此外，大多數(shù)現(xiàn)代IGBT驅(qū)動(dòng)器提供保護(hù)電路和安全功能，以便在出現(xiàn)故障的情況下為IGBT提供保護(hù)，否則通常會(huì)導(dǎo)致IGBT完全損壞。

 

在存在較高反向電壓的情況下，必須對(duì)輸入電路（低壓）和輸出電路（高壓）進(jìn)行電壓隔離。輸出電路直接連接至高壓IGBT，而輸入電路則提供至控制電子設(shè)備的接口（圖1）。圖2顯示了具有光學(xué)控制功能的2通道IGBT驅(qū)動(dòng)器板。

IGBT的電隔離控制

 

在幾乎所有IGBT應(yīng)用中，控制信號(hào)和驅(qū)動(dòng)器電路之間的電隔離都是必不可少的。傳輸電隔離的控制信號(hào)和反饋信號(hào)（錯(cuò)誤信號(hào)）有三種可能性：

 

感應(yīng)耦合

電容耦合

光學(xué)耦合

 

盡管很少使用電容性解決方案，但電感耦合和光耦合解決方案卻被廣泛使用。在中低電壓的情況下經(jīng)常使用光耦合器，而在較高的反向電壓（> 1200 V）下使用變壓器和光纖。由于在光信號(hào)傳輸?shù)那闆r下無(wú)法傳輸足夠的功率以用于控制電子設(shè)備和IGBT控制，因此幾乎總是使用變壓器解決方案進(jìn)行功率傳輸。因此，變壓器被用于傳輸控制和反饋信號(hào)，特別是在中高壓范圍內(nèi)。從理論上講，該解決方案即使在更高的電壓下也適用，但是隨著電壓的升高，變壓器的空間要求也隨之提高，因此仍要考慮最小的電氣間隙和爬電距離。

 

因此，在較高的反向電壓（> 1200 V）下，光傳輸可以證明其優(yōu)勢(shì)。如圖3所示，根據(jù)IEC 664-1：1992標(biāo)準(zhǔn)，在較高電壓下，指定的最小距離為幾厘米。這樣的距離對(duì)于光纖耦合來(lái)說(shuō)是非常短的環(huán)節(jié)。然而，電感耦合或什至電容耦合已經(jīng)可以代表相當(dāng)大的支出，并且在板上需要很大的空間。表1再次總結(jié)了每種解決方案的優(yōu)缺點(diǎn)。

 

 

表格1。電隔離方法

 

 

光纖

 

在高壓系統(tǒng)中，通常使用光纖連接來(lái)傳輸控制信號(hào)以及狀態(tài)和錯(cuò)誤信號(hào)。與所有其他隔離技術(shù)相比，明顯的優(yōu)勢(shì)是理論上可以在可實(shí)現(xiàn)的距離內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)限隔離。從技術(shù)上講，通過使用波長(zhǎng)為850nm或1310nm的多模光纖（MM）或單模光纖（SM），幾公里的傳輸不會(huì)出現(xiàn)問題。但是更頻繁的是，僅需要傳輸幾英尺甚至幾英寸，并且在此已證明聚合物光纖（POF）和650nm波長(zhǎng)的傳輸是最佳的。使用POF不僅提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的解決方案，而且與MM和SM光纖相比，使用POF更加容易處理和準(zhǔn)備電纜。

 

使用光纖進(jìn)行傳輸?shù)牧硪粋€(gè)優(yōu)點(diǎn)是，光傳輸路徑完全不受電磁輻射的影響。因此，如工業(yè)環(huán)境中常見的那樣，如果將纖維放置在強(qiáng)電磁輻射部件附近，則根本沒有問題。

 

如果所需的隔離電壓僅為幾千伏，則也可以使用短連接作為替代。這些設(shè)備具有光纖連接的優(yōu)點(diǎn)，但可以直接安裝在板上，不需要任何組裝。此處的間隙是機(jī)械規(guī)定的。這種短鏈路的一個(gè)示例是AVAGO Technology的HFBR-3810Z，如圖4所示。