作為最主要消費(fèi)電子生產(chǎn)基地，中國(guó)已成為MLCC生產(chǎn)和消費(fèi)大國(guó)，產(chǎn)銷量位居世界最前列。從MLCC產(chǎn)品需求來(lái)看，其主要應(yīng)用于航空、船艦、兵器、電子對(duì)抗等軍工產(chǎn)品，通訊設(shè)備、工控、醫(yī)療、汽車電子、儀表儀器、石油勘探、軌道交通等工業(yè)類產(chǎn)品及電腦、相機(jī)、手機(jī)、錄音錄像設(shè)備等幾乎所有的消費(fèi)電子產(chǎn)品中。2015年，單中國(guó)市場(chǎng)， MLCC市場(chǎng)容量就已經(jīng)超過(guò)400億人民幣 。但中國(guó)每年MLCC進(jìn)出口逆差卻高達(dá)30億美金。
MLCC巨頭們，在中國(guó)歷經(jīng)多次洗牌 日企依然占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位
20世紀(jì)90年代中后期（1994-1999），大型日系MLCC制造企業(yè)開始全面搶灘中國(guó)市場(chǎng)，先后建立北京村田、無(wú)錫村田、上海京瓷、東莞太陽(yáng)誘電、東莞TDK等合資或獨(dú)資企業(yè)。在這期間，克服了困擾十余年的可靠性缺陷，以賤金屬電極(BME)核心技術(shù)為基礎(chǔ)的低成本MLCC開始進(jìn)入商業(yè)化。以天津三星電機(jī)為代表的韓資企業(yè)，也日漸崛起成為一支新興力量。
2000年，飛利浦在產(chǎn)業(yè)頂峰期，放棄并出讓被動(dòng)元件事業(yè)部給國(guó)巨，拉開了臺(tái)灣島內(nèi)MLCC業(yè)界全面普及BME技術(shù)的序幕。國(guó)巨、華新科、達(dá)方、禾伸堂等臺(tái)業(yè)全面崛起，徹底打破了日企在BME技術(shù)上的壟斷，高性價(jià)比MLCC為IT與A&V產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)和低成本化作出了重大貢獻(xiàn)。與此同時(shí)，臺(tái)系企業(yè)開始將從后至前的各道工序制程，不斷向大陸工廠轉(zhuǎn)移。
2008年爆發(fā)全球金融危機(jī)，MLCC市場(chǎng)重新“洗牌”。日本村田，先后兼并羅姆和松下MLCC事業(yè)部繼續(xù)雄居首位，而后起之秀三星電機(jī),經(jīng)過(guò)近十年突飛猛進(jìn)發(fā)展,已超越其他對(duì)手位居次席，并直逼村田形成兩強(qiáng)爭(zhēng)霸格局。太陽(yáng)誘電, TDK收購(gòu)EPCOS，京瓷/AVX（京瓷控股AVX）僅能保持第二軍團(tuán)地位。臺(tái)灣國(guó)巨集團(tuán)，兼并了華亞、宸遠(yuǎn)，臺(tái)灣華新科集團(tuán)兼并了匯僑、一等高電子后，在產(chǎn)能規(guī)模上，這兩家臺(tái)企，也都躋進(jìn)了全球MLCC第二軍團(tuán)。
新世紀(jì)以來(lái)， 中國(guó)大陸本土MLCC廠商微型化技術(shù)獲突破
成立于2001年的宇陽(yáng)科技，在短時(shí)間內(nèi)完成超薄流延工藝與BME核心技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在MLCC微型化、低成本化方面居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。2008年宇陽(yáng)科技研發(fā)成功0201超微型MLCC并批量上市，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。 2015下半年宇陽(yáng)已量產(chǎn)01005 ，0.1uF ,同時(shí)01005，0.22uF也在小批量試制研發(fā)中。2016年中，宇陽(yáng)已啟動(dòng)008004超微型MLCC的預(yù)備研發(fā)工作。
與此同時(shí)，風(fēng)華高科、潮州三環(huán)等國(guó)內(nèi)傳統(tǒng)大型元器件集團(tuán)，也相繼完成BME技術(shù)的改造和產(chǎn)業(yè)化,為MLCC主流產(chǎn)品本地化制造供應(yīng)源"三套馬車"， 與地企業(yè)兼并改制后保留的軍工及非標(biāo)特殊品種供應(yīng)點(diǎn)，共同構(gòu)成了中國(guó)大陸MLCC產(chǎn)業(yè)界的新格局。
MLCC未來(lái)幾年的發(fā)展趨勢(shì)
MLCC技術(shù)的發(fā)展歷程，充分體現(xiàn)了一個(gè)從簡(jiǎn)單到復(fù)雜、低水平向高科技系統(tǒng)集成、從不環(huán)保到環(huán)保的發(fā)展趨勢(shì)，是電子信息產(chǎn)品飛速展的一個(gè)縮影。其中采用鎳、銅等賤金屬代替銀/鈀貴金屬作為內(nèi)電極材料(即BME技術(shù))，是MLCC技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要里程碑，雖然這對(duì)MLCC的材料技術(shù)、共燒技術(shù)(采用N2氣氛保護(hù)燒結(jié))、設(shè)備技術(shù)提出了很高的要求，但賤金屬工藝可大幅度降低原材料成本，可以使生產(chǎn)成本大幅調(diào)低30%-50%左右，同時(shí)滿足了當(dāng)今日益苛刻的環(huán)保要求。
從產(chǎn)品生產(chǎn)發(fā)展上看，雖然小型化MLCC可以做到0201，甚至1005，但由于受到技術(shù)的限制，電容容量不高，需求方面主要集中在高端產(chǎn)品，整體出貨量不高，成本壓力也比較大。目前在中國(guó)市場(chǎng)，市場(chǎng)主流是0402產(chǎn)品，現(xiàn)在產(chǎn)品還處于0603向0402過(guò)渡的階段。
在整體規(guī)格尺寸不斷減小的同時(shí)，一些MLCC廠商也在努力降低產(chǎn)品厚度。以06031μ16V規(guī)格為例，宇陽(yáng)已經(jīng)可以做到0.55mm，與典型的0.8mm相比下降了30％。日本京瓷也針對(duì)于芯片下的位置和存儲(chǔ)卡應(yīng)用推出了超薄型MLCC――LT系列，其中0402規(guī)格的最大厚度只有0.356mm。
從生產(chǎn)工藝上看，制作超薄陶瓷層目前主要面臨兩方面的困難：其一是可靠性，其二是加直流電壓后的偏置情況。陶瓷電容的核心技術(shù)是介電層的厚度，薄介質(zhì)層是實(shí)現(xiàn)高容量的主要因素。這就造成了介電層厚度與電容容量之間的矛盾，針對(duì)這方面難點(diǎn)，各大生產(chǎn)廠商解決辦法是采用更精細(xì)、更均勻的陶瓷材料、細(xì)薄平滑的內(nèi)部電極以及改善MLCC制作工藝。
從近年來(lái)的市場(chǎng)發(fā)展來(lái)看，陶瓷電容正越來(lái)越多地進(jìn)入高電容領(lǐng)域，目前占主導(dǎo)地位的是10uF的陶瓷電容，未來(lái)將更多地出現(xiàn)100uF的產(chǎn)品。尺寸已達(dá)到0201-01005，是螞蟻的十分之一大小，所以它已經(jīng)部分取代片式鋁電解電容和片式鉭電容器，且比它們具有更低的損耗值和更好的可靠性。
很明顯各大MLCC廠商正在回避惡性競(jìng)爭(zhēng)，沿著不同的方向發(fā)展增創(chuàng)優(yōu)勢(shì)。
事實(shí)上，MLCC產(chǎn)業(yè)的深入發(fā)展有很多個(gè)富有市場(chǎng)價(jià)值的技術(shù)方向。如下圖：
當(dāng)然, 隨著移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代的到來(lái)，迅速帶動(dòng)移動(dòng)電子終端“薄、小、輕”化，對(duì)微型MLCC需求大幅增加，微小型化無(wú)疑是MLCC最富有市場(chǎng)價(jià)值的發(fā)展趨勢(shì)。
