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節(jié)能化與低功耗:詳析不斷發(fā)展的半導(dǎo)體功率元器件

發(fā)布時間:2015-09-23 責(zé)任編輯:susan

【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體功率元器件在功率轉(zhuǎn)換當(dāng)中是重要的一環(huán),由于其對所有電子設(shè)備的節(jié)能化都有著巨大的貢獻(xiàn),因此半導(dǎo)體功率元器件在未來的技術(shù)發(fā)展動向受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
 
ROHM針對這種節(jié)能化要求日益高漲的歷史潮流,致力將在使分立半導(dǎo)體、IC的開發(fā)與制造過程中積累起來的技術(shù)得到進(jìn)一步發(fā)展的功率元器件產(chǎn)品的陣容壯大。其中,在實現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體(SiC半導(dǎo)體)產(chǎn)品領(lǐng)域,正在實施產(chǎn)品擴(kuò)充戰(zhàn)略,并遙遙領(lǐng)先于業(yè)界。另外,充分發(fā)揮綜合半導(dǎo)體產(chǎn)品制造商的優(yōu)勢,在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域,也在不斷擴(kuò)大與控制IC相結(jié)合的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹ROHM最新的功率元器件。
 
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體產(chǎn)品
    
SiC功率元器件是以碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體碳化硅(Silicon Carbide)為材料制作的功率半導(dǎo)體,因其所具備的優(yōu)異性能與先進(jìn)性,多年來一直作為"理想的元器件"而備受矚目。如今已在工業(yè)、車載、鐵路、家庭等眾多應(yīng)用中被廣為采用與研究,為設(shè)備的節(jié)能化做著貢獻(xiàn)。
 
ROHM的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體產(chǎn)品
   
從SiC功率元器件的研究開發(fā)到量產(chǎn),ROHM一直遙遙領(lǐng)先于業(yè)界。下面簡單介紹一下SiC功率元器件的產(chǎn)品陣容及其特點。
 
SiC肖特基二極管:具有低開關(guān)損耗、低正向電壓特性的產(chǎn)品(圖1)。在高效電源等設(shè)備中應(yīng)用廣泛。ROHM擁有滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的分立產(chǎn)品陣容,已在日本國內(nèi)及海外眾多電動汽車、插入式混合動力車的車載充電電路中得到廣泛應(yīng)用。
 
圖1.SiC肖特基二極管與硅材質(zhì)FRD特性比較(650V/10A級)
 
SiC-MOSFET:耐壓超過1000V的MOSFET元器件,采用硅半導(dǎo)體很難創(chuàng)造出導(dǎo)通損耗足夠低的器件,但通過碳化硅(SiC)半導(dǎo)體則可以實現(xiàn)。另外,與作為耐高壓的開關(guān)元件被廣泛應(yīng)用的硅材質(zhì)IGBT相比,SiC-MOSFET的開關(guān)損耗僅為1/5左右,因此,在驅(qū)動頻率越來越高的設(shè)備小型化(過濾器、冷卻機(jī)構(gòu))和功率轉(zhuǎn)換效率的提升等方面有望獲得顯著效果。(圖2)。
 
圖2. 普通Si-IGBT和ROHM的SiC-MOSFET的開關(guān)損耗比較
 
SiC功率模塊:ROHM實現(xiàn)了功率元件全部由SiC功率元件構(gòu)成的“全SiC”功率模塊的量產(chǎn)(圖3)。
 
圖3. SiC功率模塊的外觀
 
實現(xiàn)了更大電流的1200V/300A“全SiC”功率模塊
  
ROHM已于2012年實現(xiàn)了1200V/120A、180A產(chǎn)品的量產(chǎn)。并于2015年6月開始將1200V/300A新產(chǎn)品投入量產(chǎn)。
  
為充分發(fā)揮SiC功率元器件的高速開關(guān)性能,使模塊內(nèi)部的電感更低是在實現(xiàn)更大電流規(guī)格方面非常重要的技術(shù)。ROHM通過優(yōu)化內(nèi)置SiC元件的配置及內(nèi)部格局,開發(fā)出內(nèi)部電感比已經(jīng)量產(chǎn)中產(chǎn)品(120A、180A)降低約一半的模塊,成功開發(fā)出額定電流300A的產(chǎn)品。
  
與同等額定電流的IGBT模塊相比,開關(guān)損耗可降低77%。使用本產(chǎn)品可大幅降低開關(guān)損耗,從而實現(xiàn)設(shè)備中的冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。不僅如此,還適用高頻驅(qū)動,例如在30kHz的開關(guān)頻率下使用功率模塊時,與IGBT模塊相比,導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗合計共可降低約60%(圖4)。
  
通過更高頻率的開關(guān)動作,還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。不僅有助于設(shè)備的節(jié)能化,還有助于實現(xiàn)進(jìn)一步小型化。
    
 
圖4. ROHM新產(chǎn)品與普通IGBT模塊的損耗比較
 
采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET產(chǎn)品
  
與現(xiàn)有量產(chǎn)中的SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通損耗更低(導(dǎo)通電阻降低約50%),同時實現(xiàn)了更高的開關(guān)性能(輸入電容降低約35%)(圖5)。
  
圖5. 溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻、輸入電容特性
  
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溝槽結(jié)構(gòu)因在SiC-MOSFET中采用,可有效降低導(dǎo)通電阻而備受關(guān)注。但為了確保元器件的長期可靠性,需要設(shè)計能夠緩和Gate Trench部分(通過有無施加電壓來控制MOSFET元件的開關(guān)ON/OFF的部位)產(chǎn)生的電場的結(jié)構(gòu)。因為當(dāng)僅在Gate Trench部位采用溝槽結(jié)構(gòu)時,Gate Trench結(jié)構(gòu)底部電場集中,很難確保元器件的可靠性。ROHM通過采用獨創(chuàng)的結(jié)構(gòu),緩和了Gate Trench結(jié)構(gòu)底部的電場集中現(xiàn)象,從而成功實現(xiàn)了采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET的量產(chǎn)(圖6)。
  
圖6. ROHM的溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET元件結(jié)構(gòu)
 
ROHM首先實現(xiàn)了采用量產(chǎn)中的溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET元件的“全SiC”功率模塊的產(chǎn)品化。該產(chǎn)品的額定電壓為1200V,額定電流為180A,內(nèi)部電路為半橋配置。與同等額定水平的Si-IGBT功率模塊產(chǎn)品相比,其顯著優(yōu)勢當(dāng)然不必言說,即使與量產(chǎn)中的1200V/180A的SiC-MOSFET模塊相比,其開關(guān)損耗也大幅降低(圖7)。
  
 
圖7. 開關(guān)損耗比較
  
今后,ROHM計劃開發(fā)分立封裝的額定電壓650V、1200V的產(chǎn)品,并繼續(xù)擴(kuò)充更大額定電流的產(chǎn)品群。
 
ROHM的智能功率模塊產(chǎn)品
  
與因元器件的特性優(yōu)勢而備受矚目的SiC功率元器件相比,在價格方面更具優(yōu)勢的硅材質(zhì)功率元器件產(chǎn)品的市場規(guī)模依然很大。ROHM也在致力于使用硅材質(zhì)半導(dǎo)體的功率元器件開發(fā)。不僅不斷完善IGBT和MOSFET等分立半導(dǎo)體、IC的產(chǎn)品群,還在不斷擴(kuò)充功率元件和控制IC相結(jié)合的復(fù)合型產(chǎn)品陣容等,積極發(fā)揮綜合半導(dǎo)體元器件制造商的綜合實力優(yōu)勢,使產(chǎn)品陣容不斷壯大。下面簡單介紹一下相關(guān)產(chǎn)品。
 
IGBT智能功率模塊(IGBT-IPM)
  
為降低功耗,眾多電機(jī)應(yīng)用中均實現(xiàn)了設(shè)備的變頻化。這些變頻設(shè)備中廣為采用的產(chǎn)品是將IGBT功率元件、控制它們的IC以及外圍電路1體化封裝的功率模塊產(chǎn)品(IPM:智能功率模塊)。ROHM的IGBT-IPM產(chǎn)品搭載自產(chǎn)的硅材質(zhì)IGBT元器件,并已投入量產(chǎn)(圖8)。
  
 
圖8. ROHM的IGBT-IPM(MOS-IPM)結(jié)構(gòu)
 
MOS智能功率模塊(MOS-IPM)
  
近年來,在白色家電領(lǐng)域,節(jié)能趨勢尤為顯著。產(chǎn)品傾向于采用更接近實際使用情況的能效標(biāo)識APF(Annual Performance Factor),不再僅僅關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動時和額定條件下的節(jié)能,要求在負(fù)載較小的正常運轉(zhuǎn)時更節(jié)能的趨勢日益高漲。
  
ROHM 不僅實現(xiàn)了IGBT-IPM的量產(chǎn),還開發(fā)出搭載自產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻“PrestoMOS”、并融入獨有的IC控制技術(shù)的MOS-IPM產(chǎn)品,并已于2015年8月投入量產(chǎn)。
 
采用可支持大電流的PrestoMOS
 
一般MOSFET具有在高速開關(guān)條件下和低電流范圍內(nèi)的導(dǎo)通損耗較低的優(yōu)勢,以及降低設(shè)備正常運轉(zhuǎn)時的功耗的效果。ROHM通過采用自產(chǎn)PrestoMOS,不僅達(dá)到了以往的MOSFET很難實現(xiàn)的可支持更大電流的功效,更大大降低導(dǎo)通損耗,實現(xiàn)了IPM的產(chǎn)品化。
 
采用ROHM獨有的電路技術(shù)的柵極驅(qū)動器IC
 
ROHM通過采用獨有的柵極驅(qū)動電路,進(jìn)一步實現(xiàn)了IPM產(chǎn)品的高效化。例如,通過導(dǎo)入可防止高電壓條件下高速開關(guān)動作容易產(chǎn)生的MOSFET誤動作的電路,實現(xiàn)高速開關(guān)動作,以降低開關(guān)損耗。另外,考慮到開關(guān)時產(chǎn)生的噪音,優(yōu)化了開關(guān)損耗和噪音的平衡關(guān)系,從而實現(xiàn)了可最大限度充分發(fā)揮PrestoMOS性能的柵極驅(qū)動。
 
由于具備這些特點,在低電流工作條件下,ROHM生產(chǎn)的MOS-IPM產(chǎn)品與IGBT-IPM產(chǎn)品相比,損耗大幅降低。通過業(yè)界頂級的低功耗,為整個應(yīng)用的進(jìn)一步節(jié)能做出貢獻(xiàn)(圖9)。
  
  
圖9. 普通IGBT-IPM與ROHM的MOS-IPM的損耗比較
 
為了進(jìn)一步實現(xiàn)節(jié)能化,ROHM在已經(jīng)實際應(yīng)用的SiC功率元器件領(lǐng)域,進(jìn)一步推進(jìn)技術(shù)革新。另外,在硅材質(zhì)半導(dǎo)體領(lǐng)域,也將不斷完善產(chǎn)品陣容,同時,積極拓展包括控制IC在內(nèi)的復(fù)合型產(chǎn)品群。
  
今后,ROHM將繼續(xù)致力于推進(jìn)在節(jié)能方面為社會貢獻(xiàn)力量的元器件開發(fā)。
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