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Vishay新款二極管MOSFET具低反向恢復電荷與導通電阻

發(fā)布時間:2015-05-22 責任編輯:susan

【導讀】2015 年 5 月22 日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布3款新600V EF系列快恢復二極管N溝道高壓MOSFET,分別是SiHx21N60EF、SiHx47N60EF以及SiHx70N60EF。這三款器件具備低反向恢復電荷和導通電阻,可提高在工業(yè)、電信、計算和可再生能源應用中的可靠性,同時能節(jié)省能耗。
 
今天推出的這些600V快恢復二極管MOSFET采用第二代超級結技術制造,充實了Vishay現(xiàn)有的標準E系列器件,使公司有更多的器件可用于類似移相全橋和LLC半橋的零電壓開關(ZVA)/軟開關拓撲。
   

 
在這些應用里,SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優(yōu)勢,提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿,有助于避免直通擊穿和熱擊穿。
    
21A SiHx21N60EF有四種封裝,47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器和半導體生產設備中的高功率、高頻開關應用里,可實現(xiàn)極低的導通和開關損耗。
   
這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖,保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS,無鹵素。

器件規(guī)格表:

產品編號

VDS (V)

(最小值

ID (A) @ 25 °C

RDS(on) (m?) @ 10 V (最大值)

QG  (nC) @ 10 V (典型值)

封裝

SiHP21N60EF

600

21

176

56

TO-220

SiHB21N60EF

600

21

176

56

TO-263

SiHA21N60EF

600

21

176

56

Thin lead TO-220F

SiHG21N60EF

600

21

176

56

TO-247AC

SiHG47N60EF

600

47

65

152

TO-247AC

SiHW47N60EF

600

47

65

152

TO-247AD

SiHG70N60EF

600

70

38

253

TO-247AC

SiHW70N60EF

600

70

38

253

TO-247AD

 

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