容性負(fù)載？是負(fù)載呈容性，還是帶容性的負(fù)載？呵呵，這不一個意思嘛，中國的語言，難怪老外覺得很難搞懂，自己人都被繞暈了。負(fù)載怎么會呈容性呢？這個主要是在多負(fù)載的情況下，如下圖一所示，由于分支和負(fù)載較多，不可避免的會增加過孔來連通信號，普通過孔是呈容性的，其次還有芯片封裝上的寄生電容（約0.33~0.44pF），另外還有Die上的寄生電容（約0.77~2.12pF），所有的這些電容會降低信號線的有效特征阻抗。

圖一

 

過孔為什么會呈現(xiàn)容性？這和其本身的結(jié)構(gòu)及尺寸有關(guān)，請看下面的近似計算。

 

以8mil孔徑，18mil pad，27mil反焊盤，1.6mm通孔為例計算過孔的參數(shù)。

此公式是將過孔等效為傳輸線的模型來計算的，如果常規(guī)我們單端信號是50歐姆的特征阻抗，過孔的阻抗如上計算約為45歐姆，拉低了整體的特征阻抗，所以說呈現(xiàn)容性效應(yīng)。

 

同樣，如果再考慮封裝電容及Die電容的容性，那么整個負(fù)載的有效阻抗就會更低于PCB的設(shè)計阻抗，這樣就會導(dǎo)致整體的阻抗不連續(xù)。

 

通常我們有兩種方法來進(jìn)行容性負(fù)載的補(bǔ)償（相對于單端50歐姆的目標(biāo)阻抗來說），其一是減小主干線路（變粗）的阻抗，其二是加大分支處（變細(xì)）的線路阻抗，使得整體的負(fù)載阻抗維持在50歐姆左右。

好了，口說無憑，讓我們來聯(lián)系下實(shí)際吧。

 

還是拿芯片行業(yè)的龍頭老大來舉例，如果大家經(jīng)?？碔ntel的設(shè)計指導(dǎo)，就會看到他們關(guān)于DDR3的主干線路阻抗（40歐姆左右）控制都比50歐姆小，而且通常這樣的設(shè)計負(fù)載又很多（DIMM條就更不用說了），這個不正是降低主干線路阻抗的一種印證嘛！請看如下表所示。

出自Intel Romley PDG

 

第二種處理方式就是內(nèi)存條的設(shè)計了，如下圖二為內(nèi)存條的設(shè)計圖。

圖二 內(nèi)存條設(shè)計

 

從上圖可以看到，地址信號的主干線路線寬為7.5mil，而到了顆粒端就變成了3mil，除了布線密度上面的考慮外，主要還是為了補(bǔ)償容性負(fù)載。

 

同時，高速先生也做了仿真來驗(yàn)證容性負(fù)載補(bǔ)償是否真的有效，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖三所示。

圖三  仿真拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

在正?？刂芇CB板上阻抗為50歐姆的情況下（不做容性負(fù)載補(bǔ)償），仿真波形如下圖所示。

將主干線路的阻抗控制為42歐姆（有容性負(fù)載補(bǔ)償），仿真波形如下圖所示。

為了方便比較所以采用眼圖的方法，可知做了補(bǔ)償?shù)难蹐D有更大的眼高，兩者相差180mV左右，相當(dāng)于提升了12%的系統(tǒng)裕量。