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【原創(chuàng)】網(wǎng)友針對防雷保護(hù)接地方案的犀利點(diǎn)評

發(fā)布時(shí)間:2014-03-31 責(zé)任編輯:cicy

【導(dǎo)讀】之前寫的一篇文章:關(guān)于RS485防雷保護(hù)中四種接地方案對比。引發(fā)眾多網(wǎng)友的爭議,孰對孰錯,并不重要,重要的是從爭論的觀點(diǎn)中,我們能夠?qū)W到更多有用的知識。想知道網(wǎng)友們都在說些什么嗎?可以看看電子元件技術(shù)網(wǎng)論壇點(diǎn)評,相信一定會受益匪淺的。

論壇點(diǎn)評來源:化二犀利點(diǎn)評:關(guān)于RS485防雷保護(hù)中四種接地方案對比

網(wǎng)友化二為一點(diǎn)評:

由于TVS共模保護(hù)是要保護(hù)后面的電路或者芯片,所以TVS的地和后端電路的信號地是連接在一起的,這樣才有保護(hù)意義”――說得不錯,化二很支持!

EMC經(jīng)驗(yàn)老到的高手創(chuàng)作,了解接地與防護(hù)的原理!――化二去年才領(lǐng)悟到其中的精妙之處!

方案二的殘壓比第四種的殘壓要稍微低點(diǎn),當(dāng)接地良好的時(shí)候選用第二種比較好;如果接地情況不良,從地面過來的地反擊電壓很容易造成后端電路的異常;從前端過來的大電流大電壓,GDT與TVS組成回路,也可能與從后端電路組成回路,這個(gè)時(shí)候就要看后面芯片的耐壓。經(jīng)過測試,一般485芯片的耐壓是40V到50V,不同廠家的芯片質(zhì)量也不盡相同,耐壓有高有低。當(dāng)?shù)仉妷撼^芯片的耐壓值,芯片會被打死??梢钥闯龇桨付€(wěn)定性不夠好!

(1)第四種方案,比較適合于隔離型的RS485。
——總體來說,如果作者加入隔離防護(hù)與安規(guī)耐壓的技術(shù),應(yīng)該是很完美的。將三極性放電管去掉(很難通過10/700us的雷擊測試),SPC090F更換成1000V的氣體放電管。
(2)RS485芯片內(nèi)部沒有集成TVS管,或耐壓可達(dá)40~50V,否則該類電路會打壞接口芯片——實(shí)際存在bug!!非屏蔽的信號線浪涌(1.2/50us),必須過??!鐵路有這種要求。主要是器件成本過高,如果過1.2/50 us 、4KV的浪涌測試,前級的三極型氣體放電管,我們是直接去掉的。——但是雷擊(2歐、10/700us),沒有三極性放電管,是通不過的。

網(wǎng)友Evanma點(diǎn)評:

真心覺得很一般!作者還沒弄明白RS485是什么類型的接口,需要過什么樣的浪涌波形,1.2/50 和 8/20 組合波,是RS485需要過的嗎?依據(jù)是什么?哪一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)里面規(guī)定的?請知道的同學(xué)明示!

什么是雷擊?什么事浪涌?有啥區(qū)別? 如果一定要分開的話,世界上主流的,存在爭議的雷擊波形應(yīng)該是8/20和10/350(直擊雷)的波形,換算的話,10/350是8/20能量的25倍,非常大,是自然界目前為止被人類所監(jiān)控到最大直接雷波形。

網(wǎng)友walterP點(diǎn)評:

從殘壓來比較,2<4<1<3。

1)比較電路2和電路4,4后級gnd和pgnd之間多了一個(gè)氣體放電管,我們量的是CD的tvs之間的殘壓,殘壓和流過tvs的電流是有關(guān)的,電流越高,殘壓越高。也就是說,電路4多了一個(gè)氣體放電管后,在共模支路上的電流更大了?

2)再比較電路2和電路1,電路1的tvs是直接對gnd進(jìn)行防護(hù),沒有連接pgnd,電路中的gnd和pgnd一般會有電容連接或者寄生電容,對于浪涌這也是一個(gè)通路,但是這個(gè)通路的阻抗肯定是要大于直連,這也會導(dǎo)致施加在tvs上面的電壓變大?

3)比較電路3和電路4,差別在初級的氣體放電管接地方式不通,電路3通過另外一個(gè)放電管接地,電路4直連,電路3的殘壓明顯會大,說明流過CD之間的TVS的電流會大一些,這又是怎么引起的?

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