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實(shí)例分析,MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2013-03-15 責(zé)任編輯:hedyxing

【導(dǎo)讀】本文用IR2130驅(qū)動(dòng)模塊為核心,分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求;計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配;設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能好、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、無二次擊穿現(xiàn)象和安全工作區(qū)域(SOA)寬等優(yōu)點(diǎn),因此,在高性能的開關(guān)電源、斬波電源及電機(jī)控制的各種交流變頻電源中獲得越來越多的應(yīng)用。但相比于絕緣柵雙極型晶體管IGBT或大功率雙極型晶體管GTR等,MOSFET管具有較弱的承受短時(shí)過載能力,因而其實(shí)際使用受到一定的限制。

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求主要有以下幾個(gè)方面:

1)產(chǎn)生的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖必須具有足夠的上升和下降速度,脈沖的前后沿要陡峭:

2)為了使功率MOSFET可靠導(dǎo)通,柵極驅(qū)動(dòng)脈沖應(yīng)有足夠的幅度和寬度;

3)開通時(shí)以低電阻對(duì)柵極電容充電,關(guān)斷時(shí)為柵極電荷提供低電阻放電回路,以提高功率MOSFET的開關(guān)速度;

4)功率MOSFET開關(guān)時(shí)所需的驅(qū)動(dòng)電流為柵極電容的充放電電流,為了使開關(guān)波形有足夠的上升下降陡度,驅(qū)動(dòng)電流要大。

MOSFET驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)MOSFET功率管的功耗主要包括3個(gè)方面:

1)MOSFET柵極電容的充電放電產(chǎn)生的功耗為:

Pc=CG×F×V2DD (1)

其中:CG為MOSFET柵極電容;VDD為MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電壓;F為開關(guān)頻率。

2)MOSFET驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通電流產(chǎn)生的功耗為:

PS=CC×F×VDD (3)

其中:CC為交越常數(shù)。

3)MOSFET驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流產(chǎn)生的功耗為:

PQ=(IQH×D+IQL(1-D))×VDD (2)

其中:IQH為驅(qū)動(dòng)器輸入為高電平狀態(tài)的靜態(tài)電流;D為開關(guān)波形的占空比;IQL為驅(qū)動(dòng)器輸入為低電平狀態(tài)的靜態(tài)電流。

從上述公式可以推導(dǎo)出,在3部分功耗中其中柵極電容充放電功耗在MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗中占的比例最高,特別是在很低的開關(guān)頻率時(shí)。同時(shí)根據(jù)公式減小柵極驅(qū)動(dòng)電壓可以顯著減少驅(qū)動(dòng)器的功耗。

在應(yīng)用中使MOS管驅(qū)動(dòng)器與MOS管匹配主要是根據(jù)功率MOS管導(dǎo)通和截止的速度快慢即柵極電壓的上升和下降時(shí)間,也即是MOS管柵極電容的充放電速度。MOS管柵極電容導(dǎo)通與截止的時(shí)間與MOS管驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流的關(guān)系可以表示為:

T=(VxC)/I (4)

其中:T表示導(dǎo)通與截止時(shí)間,V表示MOS管柵極源極兩端的電壓,C表示柵極電容,I表示驅(qū)動(dòng)器峰值驅(qū)動(dòng)電流。

根據(jù)柵極電壓與柵極電容的乘積為柵極電荷Q則上式可轉(zhuǎn)化為T=Q/I.本設(shè)計(jì)中功率MOSFET采用IR公司的IRF3710S功率MOSFET芯片,從其datasheet可以得到MOSFET的柵極電荷為26 nC,導(dǎo)通/截止時(shí)間為106 ns,可以得到峰值驅(qū)動(dòng)電流為,驅(qū)動(dòng)電壓為12 V,本設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)芯片采用IR公司的IR2130驅(qū)動(dòng)模塊,該芯片可用來驅(qū)動(dòng)工作在母電壓不高于600 V的電路中的功率MOS門器件,其可輸出的最大正向峰值驅(qū)動(dòng)電流為250mA,輸出驅(qū)動(dòng)電壓為10~20V而反向峰值驅(qū)動(dòng)電流為500 mA.它內(nèi)部設(shè)計(jì)有過流、過壓及欠壓保護(hù)、封鎖和指示網(wǎng)絡(luò),使用戶可方便的用來保護(hù)被驅(qū)動(dòng)的MOS門功率管,加之內(nèi)部自舉技術(shù)的巧妙運(yùn)用使其可用于高壓系統(tǒng),它還可對(duì)同一橋臂上下2個(gè)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生2μs互鎖延時(shí)時(shí)間。它自身工作和電源電壓的范圍較寬(3~20 V),在它的內(nèi)部還設(shè)計(jì)有與被驅(qū)動(dòng)的功率器件所通過的電流成線性關(guān)系的電流放大器,電路設(shè)計(jì)還保證了內(nèi)部的3個(gè)通道的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器可單獨(dú)使用,亦可只用其內(nèi)部的3個(gè)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并且輸入信號(hào)與TTL及COMS電平兼容。IR2130管腳如圖1所示。

圖2:IR2130管腳
圖1:IR2130管腳

圖1中HIN1~HIN3、LIN1~LIN3:逆變器上橋臂和下橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端,低電平有效。CA-、CAO、VSO:內(nèi)部放大器的反相端、輸出端和同相端,可對(duì)主電路的電流進(jìn)行檢測(cè)。ITRIP:過流信號(hào)檢測(cè)輸入端,可通過輸入電流信號(hào)來完成過流或直通保護(hù)。FAULT:過流、直通短路、過壓、欠壓保護(hù)輸出端,該端提供一個(gè)故障保護(hù)的指示信號(hào)。它在芯片內(nèi)部是漏極開路輸出端,低電平有效。VB1~VB3:是懸浮電源連接端,通過自舉電容和快速恢復(fù)二極管為3個(gè)上橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)器提供內(nèi)部懸浮電源,其中快速恢復(fù)二極管的作用是防止母線電壓倒流損壞器件,VS1~VS3是其對(duì)應(yīng)的懸浮電源地端。HO1~HO3、LO1~LO3:逆變器上下橋臂功率開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)器信號(hào)輸出端。

在實(shí)際應(yīng)用中,IR2130的設(shè)計(jì)也有一些不合理之處,在使用中應(yīng)特別注意。

1)IR2130的故障輸出只有一個(gè)通道,在實(shí)際應(yīng)用中很難判斷是過流還是欠壓故障,特別是在上電過程中,控制電源必然從0上升至某值,在此過程中,IR2130的故障輸出端因內(nèi)部欠壓而動(dòng)作,將此信號(hào)作為過電流信號(hào)去觸發(fā)前級(jí)保護(hù)電路時(shí),如果前級(jí)保護(hù)電路具有自鎖功能,可能使電路無法起動(dòng)。

2)由于IR2130采用了不隔離的驅(qū)動(dòng)方式,若主電路功率器件損壞,高壓將直接串入IR2130,引起IR2130永久性損壞,嚴(yán)重時(shí)還會(huì)將IR2130前級(jí)電路擊穿。

3)由于IR2130的電流檢測(cè)輸入端直接與主電路連接,很容易引入干擾而使系統(tǒng)停機(jī)或出現(xiàn)異常,因此,電流檢測(cè)電阻應(yīng)采用無感電阻。

4)當(dāng)IR2130的輸入信號(hào)來自微處理器時(shí)必須采取隔離措施,由于IR2130具有高側(cè)驅(qū)動(dòng)功能,因此可使用普通光耦,以降低成本。
 

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