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EPC2014:EPC推出高性能第二代eGaN FET適用于高頻電路

發(fā)布時間:2011-09-05 來源:EDN

產品特性:

  • 面積為1.87平方毫米
  • 最大結溫額定值提高至150℃
  • 柵極電壓為5V 時的RDS(ON)最大值是16mΩ
  • 環(huán)保、無鉛、無鹵化物、符合RoHS

應用范圍:

  • 高速DC/DC電源、負載點轉換器
  • D類音頻放大器、硬開關和高頻電路


宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2014。EPC2014具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例要求。

EPC2014 FET是一款面積為1.87平方毫米的40VDS及10V器件,當柵極電壓為5V 時,RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014器件相比,新一代EPC2014器件具有明顯更高的性能優(yōu)勢,其最大結溫額定值提高至150℃,其性能在更低柵極電壓時也得到全面增強。

與具有相同導通電阻的先進硅功率MOSFET相比,EPC2014體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

“除了性能方面增強了,新一代增強型氮化鎵場效應晶體管-EPC2014是不含鉛、無鹵化物及符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。”共同創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。

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