中心議題：

• 集成電路失效的主要原因是靜電放電
• 分析靜電放電保護(hù)的基本原理，指出傳統(tǒng)ESD 保護(hù)電路的局限性
• 提出新電路結(jié)構(gòu)并仿真得出結(jié)論

解決方案：

• 采用ESD 保護(hù)電路，避免靜電將內(nèi)部電路擊穿
• RC應(yīng)該大于ESD 脈沖的時(shí)間常數(shù)，同時(shí)短于一般上電的時(shí)間常數(shù)
• 建立合適的仿真模型并進(jìn)行有效的仿真

隨著超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)的不斷提高，目前CMOS 集成電路已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米階段，MOS 器件的尺寸不斷縮小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵耐壓能力顯著下降，集成電路失效的產(chǎn)品中有35 %是由于ESD 問題所引起的。 因此CMOS 集成電路的靜電放電( Elect rostaticDischarge ， ESD) 保護(hù)電路的設(shè)計(jì)越來越受到了電路設(shè)計(jì)者的重視。

ESD 保護(hù)電路是為芯片電路提供靜電電流的放電路徑，以避免靜電將內(nèi)部電路擊穿。 由于靜電一般來自外界，例如人體、機(jī)器，因此ESD 保護(hù)電路通常在芯片的壓焊盤( PAD) 的周圍。 輸出壓焊盤一般與驅(qū)動(dòng)電路相連， 即與大尺寸的PMOS 和NMOS 管的漏極相連，因此這類器件本身可以用于ESD 保護(hù)放電，一般情況下為了保險(xiǎn)，輸出端也加ESD 保護(hù)電路;而輸入壓焊盤一般連接到MOS 管的柵極上，因此在芯片的輸入端，必須加ESD 保護(hù)電路。 另外，在芯片的電源(Udd ) 和地(Uss ) 端口上也要加ESD 保護(hù)電路，以保證ESD 電流可以從Udd安全地釋放到Uss。

作者在傳統(tǒng)的模塊電路ESD 保護(hù)電路的基礎(chǔ)上提出了應(yīng)用于高速模擬電路的ESD 保護(hù)電路。

ESD 保護(hù)電路原理分析
數(shù)字電路一般采用兩級(jí)保護(hù)電路，并且在主保護(hù)電路和次保護(hù)電路中串聯(lián)一個(gè)限流電阻，而大的限流電阻和ESD 鉗位器件的節(jié)電容會(huì)產(chǎn)生一個(gè)大的RC 延遲，因此，不適合應(yīng)用于高速模擬CMOS集成電路中。

圖1 是CMOS 模擬集成電路單級(jí)ESD 保護(hù)電路。 ESD 鉗位器件是柵極接地的NMOS 管(ggNMOS) 。 為了承受較大的ESD 電流，ggNMOS管設(shè)計(jì)成很大的尺寸，導(dǎo)致大尺寸的ggNMOS 管以及大的漏極PN 擴(kuò)散結(jié)在輸入端上形成了大的漏極寄生電容。 由于PN 寄生電容是非線性的可變電容，而高精度的高速模擬集成電路要求輸入端寄生電容為常數(shù)，因此ESD 鉗位器件的寄生電容是高速模擬集成電路的一個(gè)主要誤差來源。 另外，當(dāng)靜電壓通過模擬信號(hào)管腳直接加在運(yùn)算放大器的兩個(gè)輸入端或者加在以共源形式連接的差分對(duì)管的柵極時(shí)，極高的靜電壓很容易將MOS 管的柵氧化層擊穿。 此時(shí)單個(gè)的ggNMOS 管無法起到保護(hù)作用。因此， Ket 等人提出了用ggPMOS 和ggNMOS管一起組成ESD 保護(hù)電路，如圖2 所示，其中Dp3 、Dn3各為Mp3 和Mn3 管漏區(qū)的寄生二極管。

圖2 左半邊為嵌位(Clamp) 電路，當(dāng)PAD 上被加上正的ESD 電壓時(shí)，RC 檢測(cè)電路經(jīng)過一個(gè)反相器來觸發(fā)Mn1 管，將大的ESD 電流通過大尺寸的Mn1管釋放到Uss 。 但是該電路的局限性在于不能有效的釋放負(fù)電壓下的ESD 電流。 并且由于RC 的值對(duì)電路能否正常工作至關(guān)重要，所以對(duì)其精度要求較高，而R、C 的實(shí)際工藝誤差較大。

高速模擬電路中的ESD 保護(hù)電路設(shè)計(jì)
圖3 是文中提出的應(yīng)用于高速模擬電路的輸入ESD 保護(hù)電路。 該電路的左半部為對(duì)稱的兩個(gè)嵌位電路，分別檢測(cè)正、負(fù)ESD 電壓，其中M6 ， M4 等效為電阻，而源漏襯底短接的M3 ， M7 等效為電容。當(dāng)正的ESD 電壓產(chǎn)生時(shí)，即某一瞬間，到Udd 有一個(gè)正的大電流， 最左邊的嵌位電路工作， 大尺寸(500/ 0.25) 的NMOS 管M0 導(dǎo)通，瀉放ESD 電流，其中R0 ， R1 為MOS 管的寄生電阻。 一般來說，芯片的上電時(shí)間為毫秒級(jí)，而ESD 造成的芯片上電時(shí)間為納秒級(jí)，因此很容易將它們區(qū)分開來。 設(shè)計(jì)時(shí)RC應(yīng)該大于ESD 脈沖的時(shí)間常數(shù)(100 p F ×1. 5 kΩ)(人體模型的典型值) ，同時(shí)短于一般上電的時(shí)間常數(shù)。 這樣方可保證在正常的電源上電過程中，M0 管是關(guān)閉的。

由于ESD 器件依賴電壓的非線性輸入電容連接到模擬電路輸入管腳，往往會(huì)導(dǎo)致電路不能正常工作，因此，對(duì)于模擬電路的ESD 保護(hù)電路設(shè)計(jì)，除了要能滿足芯片所要求的人體模型下的耐壓要求，所遇到的最大的挑戰(zhàn)是使管腳的輸入電容(包括ESD 保護(hù)器件以及壓焊盤上的電容之和) 盡可能小并且保持恒定。 而文中提出的ESD 保護(hù)電路在0. 25μm 的CMOS 工藝中，可以承受HBM 下的2. 5 kV 的ESD 電壓， 并且輸入電容只有0. 6 p F。為了減小管腳上的輸入電容，M8 和M9 的尺寸不能太大，雖然ESD 電流瀉放的主要器件M0 和M1 的尺寸很大，結(jié)電容也很大，但是該電容并沒有連到壓焊盤上，所以該電路可以承受較高的ESD 電壓，同時(shí)輸入電容又比較小。

該ESD 保護(hù)電路的輸入電容Cin = CPAD + Cn +Cp ，其中， CPAD 為PAD 上電容，NMOS 和PMOS 上漏極電容為Cn和Cp 。 PAD 上電容相對(duì)固定，可以通過一些優(yōu)化來減小。 漏極電容主要有兩部分組成:漏極和柵極之間的電容、漏極的結(jié)電容。 在版圖不變的情況下，漏柵電容大小基本不變，但漏極結(jié)電容會(huì)隨著漏極電壓的變化而出現(xiàn)較大變化。 當(dāng)輸入信號(hào)的電壓幅值增大時(shí)，NMOS 的漏極結(jié)電容會(huì)變小，而PMOS 的漏極結(jié)電容卻會(huì)增大。 因此，在信號(hào)電壓幅值變化的時(shí)候，PMOS 和NMOS 的漏極結(jié)電容可以形成互補(bǔ)，總的寄生電容相對(duì)穩(wěn)定。 文中提出的電路在保證合適的耐壓要求前提下，輸入電容較小并且能保持相對(duì)恒定，所以比較適合應(yīng)用于高速模擬電路。

對(duì)于每一個(gè)輸入或輸出管腳來講，按照對(duì)地或?qū)﹄娫捶烹姷牟煌梢苑譃? 種放電模式[3 ] :正電荷對(duì)地( Positive to Uss ， PS) 、負(fù)電荷對(duì)地(Negative to Uss ， NS) 、正電荷對(duì)電源( Positive toUdd ， PD) 以及負(fù)電荷對(duì)電源( Negative to Udd ，ND) 。 因此在設(shè)計(jì)ESD 保護(hù)電路是需要考慮上述4種不同的放電模式。

以下分析該電路的基本工作原理，由于同一個(gè)MOS 管在不同的ESD 電壓極性下的耐壓值也大不相同，NMOS 管在NS 模式下的耐壓值一般高出PS模式下10 倍以上，而PMOS 管在PD 模式下的耐壓值高出ND 模式下10 倍以上，而一塊芯片的耐壓能力是由其所有管腳在所有模式下的最低耐壓值所決定的，故要分析4 種放電模式下的電路工作原理，尤其是注意PS 和ND 模式下的放電途徑。

該保護(hù)電路在NS 模式下通過M9 釋放ESD 電流，在PD 模式下通過M8 釋放，均能達(dá)到較高的耐壓值(見表1) 。 當(dāng)放電模式是PS 模式時(shí)，利用電源間的保護(hù)電路來形成一條新的放電路徑，電流通過ggPMOS(M8 ) 正向偏置的寄生二極管流向Udd ，Udd和GND 之間的電壓升高，M6 和M3 構(gòu)成的RC 檢測(cè)電路，觸發(fā)大尺寸的MOS 管(M2 ， M0 ) 迅速導(dǎo)通，在Udd 和GND 之間形成通路， 有效放電。 由于ggPMOS 的寄生二極管處于正向偏置，Udd 和GND之間瀉流管尺寸很大，所以電路可以承受很大的電壓。 在ND 模式下原理類似，即通過ggNMOS ( M9 )正向偏置的寄生二極管，以及中間的鉗位電路瀉放ESD 電流。 圖4 是上述Udd到Uss片上保護(hù)電路原理的示意圖。

 Spice 仿真以及ESD 測(cè)試結(jié)果
由于ESD 保護(hù)電路以及封裝所帶來的寄生電容和寄生電感對(duì)原有輸出信號(hào)會(huì)有影響，尤其是在高速模擬電路中，頻率越高信號(hào)畸變?cè)絿?yán)重，所以建立合適的仿真模型并進(jìn)行有效的仿真是必須的。信號(hào)一般經(jīng)過驅(qū)動(dòng)， ESD 保護(hù)，和封裝引線才能傳到芯片外的負(fù)載上，封裝的模型根據(jù)選用的封裝形式和廠家提供的參數(shù)決定。 一般IC 封裝會(huì)給出端口的寄生電容，電阻和電感，其等效模型如圖5所示。 將該模型與前面的ESD 保護(hù)電路(圖3) 串連起來就可以得到端口模型， 可用spice 對(duì)用于USB2.0 的環(huán)境，在480 MHz 頻率下的收發(fā)電路進(jìn)行仿真，其仿真波形如圖6 所示。 輸出端口out1 是不考慮端口模型的影響，480 MHz 時(shí)鐘的輸出較為理想，out2 是加入端口模型后的時(shí)鐘輸出，波形有所畸變，但仍能滿足電路設(shè)計(jì)要求。

上述ESD 保護(hù)電路(見圖3) 在被應(yīng)用于設(shè)計(jì)USB2. 0 接口芯片中。 該芯片的最高時(shí)鐘頻率為480 MHz ，采用TSMC 公司的0. 25μm 混合信號(hào)工藝進(jìn)行了流片。 流片后的芯片用抗靜電測(cè)試儀( Thermo Keytek 公司，型號(hào): ZAPMASTER 714)進(jìn)行了測(cè)試，其結(jié)果如表1 所示，給出了在上述4 種不同的放電模式下的耐壓值。 測(cè)試結(jié)果表明在所有測(cè)試條件下的人體模型最高擊穿電壓(V) 超過了正負(fù)2 500 V。

 結(jié)　論
在高速的模擬電路設(shè)計(jì)中， ESD 成為芯片能否正常工作的重要考慮因素。 文中提出了在用柵極接地的NMOS 和柵極接電源PMOS 管的基礎(chǔ)上，結(jié)合電源與地之間的高速靜電瀉放回路的新的電路結(jié)構(gòu)。 經(jīng)過實(shí)際測(cè)試，在HBM 模型下可以承受正負(fù)2 500 V 的高壓，并且該電路對(duì)正常信號(hào)的影響