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GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲優(yōu)勢以及性能測試
隨著互聯(lián)網(wǎng)時代的到來，人類所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)發(fā)生了前所未有的、爆炸性的增長。IDC預(yù)測，全球數(shù)據(jù)總量將從2019年的45ZB增長到2025年的175ZB[1]。同時，全球數(shù)據(jù)中近30%將需要實時處理，因而帶來了對FPGA等硬件數(shù)據(jù)處理加速器的需求。如圖1所示。
2021-12-02
GDDR6 FPGA 存儲優(yōu)勢
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I2C通信協(xié)議：了解I2C Primer、 PMBus和SMBus
I2C，即Inter-Integrated Circuit，是一種常用的串行通信協(xié)議，用于在器件之間——特別是兩個或兩個以上不同電路之間建立通信。I2C Primer是最常用的I2C。本文將介紹I2C Primer的基本特性和標(biāo)準(zhǔn)，并重點(diǎn)說明在通信實現(xiàn)過程中如何正確使用該協(xié)議。從I2C的基本原理出發(fā)，我們將介紹其變體子集——系統(tǒng)管理...
2021-12-02
wenwei
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貿(mào)澤電子攜手Bourns推出全新電子書探討浪涌保護(hù)技術(shù)的設(shè)計挑戰(zhàn)
專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子宣布與知名電子元器件制造商和供應(yīng)商Bourns聯(lián)手推出全新電子書《How to Choose the Right Surge Protection Technology》（如何選擇合適的浪涌保護(hù)技術(shù)）。在該書中，Bourns和其他知名公司的行業(yè)專家就一些常見問題提供了見解，包括涵蓋浪涌保...
2021-11-30
貿(mào)澤電子 Bourns 浪涌保護(hù)技術(shù)
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低壓差穩(wěn)壓器LDO的基本原理與主要參數(shù)
取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較，兩者的差值經(jīng)放大器A放大后，控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。
2021-11-29
低壓差穩(wěn)壓器LDO
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MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素
許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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了解 3 種靜態(tài)電流 (IQ) 的規(guī)格
靜態(tài)電流 (IQ) 通常定義為集成電路 (IC) 在空載和非開關(guān)但啟用狀態(tài)下消耗的電流。廣義上，靜態(tài)電流是 IC 在任何超低功耗狀態(tài)下消耗的輸入電流，這一定義更有助于我們理解靜態(tài)電流的內(nèi)涵。
2021-11-26
靜態(tài)電流 IQ
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關(guān)于4G/5G智能手機(jī)天線調(diào)諧的4點(diǎn)須知
天線效率在智能手機(jī)的整體 RF 性能中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，當(dāng)前的智能手機(jī)工業(yè)設(shè)計趨勢和 RF 需求（尤其是即將過渡至 5G），意味著智能手機(jī)必須要將更多的天線安裝到更小的空間內(nèi)，并且/或者提高現(xiàn)有天線的帶寬。
2021-11-26
4G/5G 智能手機(jī) 天線調(diào)諧
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用于測試儀表放大器的差分光隔離驅(qū)動器
據(jù)說我們使用的一些電信號相對于地面“浮動”。一個典型的例子可能是電源中分流電阻上的壓降或復(fù)雜的生物醫(yī)學(xué)信號，例如心電圖。在這種情況下，儀表放大器 (IA) 用于放大信號的差模分量并抑制其共模分量。
2021-11-25
測試儀表放大器 差分光隔離驅(qū)動器
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克服過熱問題，維持快速充電時間，這款線性電池充電器你愛了沒？
線性電池充電器通常比一般的開關(guān)型充電器更細(xì)小.簡單和便宜，但是它有一個主要缺點(diǎn)：當(dāng)輸入電壓高和電池電壓低(已放電的電池)時會出現(xiàn)過高的功率耗散。在典型情況下，這些狀態(tài)是暫時性(因為電池電壓隨著充電而增加)，但是在確定充電電流和IC溫度的最大允許值時，必須考慮到這種最壞情況。
2021-11-24
線性電池充電器
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