小小的疏忽毀掉了產(chǎn)品的EMI性能

總之，來自離線開關(guān)電源開關(guān)節(jié)點(diǎn)的100fF電容會(huì)導(dǎo)致超出規(guī)范要求的EMI簽名。這種電容量只需寄生元件便可輕松實(shí)現(xiàn)，例如對漏極連接進(jìn)行路由，使其靠近輸入引線。通?？赏ㄟ^改善間距或屏蔽來解決該問題。要想獲得更大衰減，需要增加濾波或減緩電路波形。

2022-11-30

EMI  濾波

低電感電解電容器尺寸進(jìn)一步縮小，同時(shí)提高工業(yè)自動(dòng)化性能

在工業(yè)4.0和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）等新興行業(yè)趨勢的推動(dòng)下，制造和裝配過程自動(dòng)化繼續(xù)得到越來越普遍地采納，而低電感電解電容器有助于在機(jī)器人和其他工業(yè)設(shè)備中降低成本，提升性能。

2022-11-30

低電感電解電容器  工業(yè)自動(dòng)化

電力電容器運(yùn)行溫度過高的原因

電容器由于內(nèi)部需要過電流，本身就會(huì)存在一定的升溫現(xiàn)象，因此電容器與電容器之間需要保持一定的距離用于散熱，如果電容器之間間距過小，熱量無法及時(shí)散發(fā)出去，從而造成一定的熱量疊加，當(dāng)熱量超過電容器運(yùn)行溫度允許范圍，也會(huì)造成電力電容器運(yùn)行溫度過高。

2022-11-30

電力電容器  DC／DC轉(zhuǎn)換器

傳感器和處理器如何打造更智能、更自主的機(jī)器人？

自主機(jī)器人是智能機(jī)器，無需人工控制或干預(yù)即可理解其環(huán)境并從中導(dǎo)航。盡管自主機(jī)器人技術(shù)相對較新，但已在工廠、倉庫、城市和家庭等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。

2022-11-29

【干貨】帶你解鎖AC／DC、DC／DC轉(zhuǎn)換器

開關(guān)式AC/DC轉(zhuǎn)換器通過二極管電橋?qū)C電壓進(jìn)行整流，再通過電容器實(shí)施平滑處理，將AC電壓轉(zhuǎn)換為DC電壓。然后，通過開關(guān)元件對該DC電壓進(jìn)行斬波（ON/OFF）后，通過高頻變壓器降壓后傳遞到2次側(cè)，再利用電容器進(jìn)行平滑處理，輸出規(guī)定的DC電壓（VDC）。

2022-11-29

AC／DC轉(zhuǎn)換器  DC／DC轉(zhuǎn)換器

【干貨】拋開教材，從實(shí)用的角度聊聊MOS管

我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開關(guān)，指示燈光就會(huì)被打開；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開關(guān)被松開了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡單。

2022-11-28

MOS管

降低工業(yè)和汽車應(yīng)用中陶瓷電容器的電源要求

在過去幾年中，多層陶瓷電容器（MLCC）的價(jià)格急劇上漲，跟蹤了汽車，工業(yè)，數(shù)據(jù)中心和電信行業(yè)中使用的電源數(shù)量的擴(kuò)展。陶瓷電容器用于輸出端的電源中，以降低輸出紋波，并控制由于高壓擺率負(fù)載瞬變引起的輸出電壓過沖和欠沖。輸入端需要陶瓷電容器進(jìn)行去耦和濾除EMI，因?yàn)樗鼈冊诟哳l下具有低ESR和...

2022-11-28

工業(yè)應(yīng)用  汽車應(yīng)用  陶瓷電容器

利用先進(jìn)的電源管理技術(shù)滿足5G通信和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用需求

縱觀日益先進(jìn)的通信世界，當(dāng)今電力電子產(chǎn)品中頗具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用面臨尺寸、重量和功率(SWaP)等技術(shù)障礙。幾乎所有的應(yīng)用似乎都在變得更小、更輕，同時(shí)需要更高的功率，優(yōu)化SWaP的需求正在以多種新的方式推動(dòng)電力電子行業(yè)的發(fā)展。電源管理技術(shù)在當(dāng)今的數(shù)據(jù)中心和通信行業(yè)的創(chuàng)新中發(fā)揮著重要作用。

2022-11-28

電源管理技術(shù)  5G通信  數(shù)據(jù)中心應(yīng)用

談?wù)劅衢T的氧化鎵

高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動(dòng)增加...

2022-11-28

氧化鎵