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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

發(fā)布時間:2024-04-15 責任編輯:lina

【導讀】眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電源產(chǎn)品。然而,Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結構”FET器件(如圖2所示)使這項技術更進一步。這些器件基于獨特的“共源共柵結構”電路配置,將一個常開型SiC JFET器件與一個硅基MOSFET共同封裝,形成一個集成的常關型SiC FET器件。在接下來的段落中,我們將詳細闡述 Qorvo 研發(fā)的 SiC FET(共源共柵結構FET)相較于同類SiC MOSFET的顯著優(yōu)勢。


在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術優(yōu)勢,因此我們不難理解為何它已成為電動汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。


Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

圖1.硅與碳化硅的對比


眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電源產(chǎn)品。然而,Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結構”FET器件(如圖2所示)使這項技術更進一步。這些器件基于獨特的“共源共柵結構”電路配置,將一個常開型SiC JFET器件與一個硅基MOSFET共同封裝,形成一個集成的常關型SiC FET器件。在接下來的段落中,我們將詳細闡述 Qorvo 研發(fā)的 SiC FET(共源共柵結構FET)相較于同類SiC MOSFET的顯著優(yōu)勢。


Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

圖2.Qorvo SiC FET(“共源共柵結構”FET)器件結構框圖


與硅基器件相比,采用SiC可獲得哪些優(yōu)勢

SiC MOSFET或SiC FET與硅基器件相比擁有幾個顯著優(yōu)勢。首先,SiC作為一種寬帶隙材料,具有更高的擊穿電壓,因而可以使用更薄的器件來支持更高的電壓。除此之外,SiC相較于硅基器件還有以下優(yōu)勢:


  • 對于給定的電壓和電阻等級,SiC可以實現(xiàn)更高的工作頻率,因此可以減少無源器件的體積,從而減小整個系統(tǒng)的尺寸及成本

  • 對于更高的電壓等級(1200V或更高),SiC能夠以較低的功率損耗實現(xiàn)高頻開關;而在如此電壓等級下仍能勝任的硅基器件實際上幾乎不存在

  • 在任何給定的封裝中,SiC相對硅基產(chǎn)品具有更低的導通電阻和開關損耗

  • 在與硅器件相同的設計中,SiC能夠讓客戶獲得更高的效率、更出色的散熱性能,和更高的系統(tǒng)額定功率


這些優(yōu)勢同樣體現(xiàn)在Qorvo SiC FET的性能上。作為一種更新且功能更強大的器件,Qorvo SiC FET針對多種功率應用進行了優(yōu)化,并帶來了以下額外收益:


  • Qorvo SiC FET的架構采用標準硅柵極驅動器,這使得從硅到SiC的過渡更加順暢,同時也為設計師提供了更大靈活性

  • 在給定封裝中,具有行業(yè)最低的漏-源導通電阻 RDS(ON),可最大程度提升系統(tǒng)效率

  • 更低的電容允許更快的開關速度,進而實現(xiàn)更高的工作頻率;這進一步減小了電感器和電容器等大體積無源元件的尺寸

  • 與硅基IGBT相比,SiC FET在更高電壓等級(1200V或更高)能夠實現(xiàn)更高的工作頻率。硅基IGBT雖然傳統(tǒng)上服務于這一細分市場,但通常速度較慢,僅在較低頻率下使用,因此開關損耗較高

  • Qorvo SiC FET器件能在給定RDS(ON)的條件下獲得更小的裸片尺寸,并減輕SiC MOSFET產(chǎn)品常見的柵極氧化物可靠性問題


SiC MOSFET vs. Qorvo SiC FET:深入對比

讓我們花一些時間更深入地了解SiC MOSFET與Qorvo SiC FET兩種功率技術間的差異。從下面的圖3中,我們會發(fā)現(xiàn)SiC MOSFET技術不同于Qorvo的集成SiC FET——這是精心設計的結果。Qorvo利用SiC JFET消除了SiC MOSFET的柵極氧化層,進而消除了溝道電阻,讓裸片尺寸更為緊湊。


Qorvo SiC JFET較小的裸片尺寸成為其差異化優(yōu)勢的一個關鍵所在,并通過圖4所示的‘RDS(ON) x A’(RdsA)品質因數(shù)(FOM)得到最佳體現(xiàn)。這意味著對于給定的芯片尺寸,Qorvo SiC FET提供了更低的導通電阻額定值;換言之,在相同的RDS(ON)條件下,Qorvo SiC FET所需的SiC裸片尺寸更小。Qorvo憑借在RdsA FOM方面的卓越表現(xiàn)樹立了行業(yè)領先地位;其所提供的超低額定電阻產(chǎn)品能適用TOLL和D2PAK等相對較小的行業(yè)標準封裝,讓這一點得以充分展現(xiàn)。


Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

圖3.SiC MOSFET與Qorvo SiC FET的比較


Qorvo的SiC FET與SiC MOSFET相比具有更低的輸出電容Coss。輸出電容較低的器件在低負載電流下開關速度更快,電容充電延遲時間更短。這意味著,由于減少了對電感器和電容器等較大體積無源元件的需求,使得終端設備能夠實現(xiàn)更小的體積、更輕的重量、更低的成本,并獲得更高的功率密度。


Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

圖4.Qorvo SiC FET與SiC MOSFET競品對比


SiC MOSFET還面臨以下技術挑戰(zhàn):


  • SiC MOS溝道電阻高,導致電子遷移率較低

  • 在柵極偏壓較高的情況下,Vth可能發(fā)生漂移;這限制了柵極到源極的電壓驅動范圍

  • 體二極管具有較高的拐點電壓,因此需要同步整流


然而,采用Qorvo SiC FET后,上述缺陷得以根本解決,原因如下:


  • SiC JFET 結構的器件上摒棄了MOS(金屬氧化物)結構,因此器件更加可靠

  • 相同芯片面積下,漏極至源極電阻更低

  • 電容更低,相當于更快的開關轉換和更高的頻率


主要結論

盡管市場上可供選擇的SiC功率半導體種類繁多,但在某些特定應用中,一些器件的表現(xiàn)確實比其它器件更為出色。Qorvo的集成SiC“共源共柵結構”FET技術便是其中的佼佼者;其憑借低RDS(ON)、低輸出電容,和高可靠性等獨特優(yōu)勢提供了卓越性能。這些品質因數(shù)推動Qorvo的SiC FET技術在其它技術無法企及的領域大放異彩。此外,SiC FET的附加性能使其在AC/DC電源單元、DC/DC儲能和可再生能源應用,以及電動汽車快速充電器中實現(xiàn)更高的效率。


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