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逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護(hù)詳解

發(fā)布時(shí)間:2012-02-07

中心議題:
  • 逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護(hù)詳解
解決方案:
  • 采用的IGBT為IXYS的,IXGH48N60B3D1
  • 串聯(lián)一個(gè)電阻做0FF關(guān)閉時(shí)候的柵極電阻

這幾天沉下心來專門給逆變器的后級,也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子,用來深入了解相關(guān)的特性。

大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?,同樣電流容量的IGBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變H橋里頭,MOSFET上去沒有問題,但是IGBT上去,可能開機(jī)帶載就炸了。這一點(diǎn)很多人估計(jì)都深有體會。當(dāng)時(shí)我看到做魚機(jī)的哥們用FGH25N120AND這個(gè),反映很容易就燒了,當(dāng)時(shí)不以為然。

只到我在工作中遇到,一定要使用IGBT的時(shí)候,我才發(fā)現(xiàn)我錯(cuò)了,當(dāng)初我非常天真的認(rèn)為,一個(gè)IRFP460,20A/500V的MOSFET,我用個(gè)SGH40N60UFD40A/600V的IGBT上去怎么樣也不會炸的吧,實(shí)際情況卻是,帶載之后,突然加負(fù)載和撤銷負(fù)載,幾次下來就炸了,我以為是電路沒有焊接好,然后同樣的換上去,照樣炸掉,這樣白白浪費(fèi)了好多IGBT。

后來發(fā)現(xiàn)一些規(guī)律,就是采用峰值電流保護(hù)的措施就能讓IGBT不會炸,下面我就會將這些東西一起詳細(xì)的說一說,說的不好請大家見諒,這個(gè)帖子會慢慢更新,也希望高手們多多提出意見。

我們將這個(gè)問題看出幾個(gè)部分來解決:

1,驅(qū)動電路;

2,電流采集電流;

3,保護(hù)機(jī)制;

一、驅(qū)動電路

這次采用的IGBT為IXYS的,IXGH48N60B3D1,詳細(xì)規(guī)格書如下:IXGH48N60B3D1

驅(qū)動電路如下:
這是一個(gè)非常典型的應(yīng)用電路,完全可以用于IGBT或者M(jìn)OSFET,但是也有些不一樣的地方。

1,有負(fù)壓產(chǎn)生電路,

2,隔離驅(qū)動,

3,單獨(dú)電源供電。

首先我們來總體看看,這個(gè)電路沒有保護(hù),用在逆變上100%炸,但是我們可以將這個(gè)電路的實(shí)質(zhì)摸清楚。

先講講重點(diǎn):

1:驅(qū)動電阻R2,這個(gè)在驅(qū)動里頭非常重要,圖上還有D1配合關(guān)閉的時(shí)候,讓IGBT的CGE快速的放電,實(shí)際上看需要,這個(gè)D1也可以不要,也可以在D1回路里頭串聯(lián)一個(gè)電阻做0FF關(guān)閉時(shí)候的柵極電阻。
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下面發(fā)幾個(gè)波形照片,不同的柵極電阻,和高壓HV+400V共同產(chǎn)生作用的時(shí)候,上下2個(gè)IGBT柵極的實(shí)際情況。
上面的圖,是在取消負(fù)壓的時(shí)候,上下2管之間的柵極波形,柵極電阻都是在10R情況下。

上面的圖是在不加DC400V情況下測量2管G極波形,下圖是在DC400V情況下,2管的柵極波形。

為何第二個(gè)圖會有一個(gè)尖峰呢。這個(gè)要從IGBT的內(nèi)部情況說起,簡單來說,IGBT的GE上有一個(gè)寄生的電容,它和另外的CGC一個(gè)寄生電容共同組成一個(gè)水池子,那就是QG,其實(shí)這個(gè)和MOSFET也很像的。

那么在來看看為何400V加上去,就會在下管上的G級上產(chǎn)生尖峰。借花獻(xiàn)佛,抓個(gè)圖片來說明:
如上圖所示,當(dāng)上官開通的時(shí)候,此時(shí)是截止的,由于上官開通的時(shí)候,這個(gè)時(shí)候要引入DV/DT的概念,這個(gè)比較抽象,先不管它,簡單通俗的說就是上管開通的時(shí)候,上管等效為直通了,+DC400V電壓立馬加入到下管的C級上,這么高的電壓立刻從IGBT的寄生電容上通過產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電流,這個(gè)感應(yīng)電流上圖有公式計(jì)算,這個(gè)電流在RG電阻和驅(qū)動內(nèi)阻的共同作用下,在下管的柵極上構(gòu)成一個(gè)尖峰電壓,如上面那個(gè)示波器的截圖所示。到目前為止,沒有引入米勒電容的概念,理解了這些,然后對著規(guī)格書一看,米勒電容是什么,對電路有何影響,就容易理解多了。

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