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分析高壓LED基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2011-07-22

中心議題:
  • 研究高壓LED基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)
  • 低壓、交流及高壓二極體的驅(qū)動(dòng)方式的討論
解決方案:
  • 高壓發(fā)光二極體的效率優(yōu)于傳統(tǒng)低壓發(fā)光二極體
  • 高壓發(fā)光二極體建立有關(guān)的模擬光、電及熱模型

最近幾年由于技術(shù)及效率的進(jìn)步,LED的應(yīng)用越來(lái)越廣;隨著LED應(yīng)用的升級(jí),市場(chǎng)對(duì)于LED的需求,也朝更大功率及更高亮度,也就是通稱的高功率LED方向發(fā)展。

對(duì)于高功率LED的設(shè)計(jì),目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主,做法有二,一為傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu),另一則為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。就第一種做法而言,其製程和一般小尺寸晶粒幾乎相同,換句話說(shuō),兩者的剖面結(jié)構(gòu)是一樣的,但有別于小尺寸晶粒,高功率LED常常需要操作在大電流之下,一點(diǎn)點(diǎn)不平衡的P、N電極設(shè)計(jì),都會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的電流叢聚效應(yīng)(Current crowding),其結(jié)果除了使得LED晶片達(dá)不到設(shè)計(jì)所需的亮度外,也會(huì)損害晶片的可靠度(Reliability)。

當(dāng)然,對(duì)上游晶片製造者/晶片廠而言,此作法製程相容性(Compatibility)高,無(wú)需再添購(gòu)新式或特殊機(jī)臺(tái),另一方面,對(duì)于下游系統(tǒng)廠而言,週邊的搭配,如電源方面的設(shè)計(jì)等等,差異并不大。但如前所述,在大尺寸LED上要將電流均勻擴(kuò)散并不是件容易的事,尺寸愈大愈困難;同時(shí),由于幾何效應(yīng)的關(guān)係,大尺寸LED的光萃取效率往往較小尺寸的低。

圖:低壓二極體、交流二極體及高壓二極體驅(qū)動(dòng)方式的差異。
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第2種做法較第1種復(fù)雜許多,由于目前商品化的藍(lán)光LED幾乎都是成長(zhǎng)于藍(lán)寶石基板之上,要改為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),必須先和導(dǎo)電性基板做接合之后,再將不導(dǎo)電的藍(lán)寶石基板予以移除,之后再完成后續(xù)製程;就電流分布而言,由于在垂直結(jié)構(gòu)中,較不需要考慮橫向傳導(dǎo),因此電流均勻度較傳統(tǒng)水準(zhǔn)結(jié)構(gòu)為佳;除此之外,就基本的物理塬理而言,導(dǎo)電性良好的物質(zhì)也具有高導(dǎo)熱的特質(zhì),藉由置換基板,我們同時(shí)也改善了散熱,降低了接面溫度,如此一來(lái)便間接提高了發(fā)光效率。但此種做法最大的缺點(diǎn)在于,由于製程復(fù)雜度提高,導(dǎo)致良率較傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)低,製作成本高出不少。

高壓發(fā)光二極體(HV LED)基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)

晶元光電于全球率先提出了高壓發(fā)光二極體(HV LED)作為高功率LED的解決方案;其基本架構(gòu)和AC LED相同,乃是將晶片面積分割成多個(gè)cell之后串聯(lián)而成。其特色在于,晶片能夠依照不同輸入之電壓的需求而決定其cell數(shù)量與大小等,等同于做到客製化的服務(wù)。由于可以針對(duì)每顆cell加以優(yōu)化,因此能夠得到較佳的電流分布,進(jìn)而提高發(fā)光效率。

高壓發(fā)光二極體和一般低壓二極體在技術(shù)上最主要的差異有叁,第一為溝槽(Trench)。溝槽的目的在于將復(fù)數(shù)顆的晶胞獨(dú)立開來(lái),因此其溝槽下方需要達(dá)到絕緣的基板,其深度依不同的外延結(jié)構(gòu)而異,一般約在4~8um,溝槽寬度方面則無(wú)一定的限制,但是溝槽太寬代表著有效發(fā)光區(qū)域的減少,將影響HV LED的發(fā)光效率表現(xiàn),因此需要開發(fā)高深寬比的製程技術(shù),縮小製程線寬以增加發(fā)光效率。

第二為絕緣層(Isolation),若絕緣層不具備良好的絕緣特性,將使整個(gè)設(shè)計(jì)失敗,其困難點(diǎn)在于必須在高深寬比的溝槽上披覆包覆性良好、膜質(zhì)緊密及絕緣性佳的膜層,這也是單晶AC LED製程上的關(guān)鍵。

第三個(gè)是晶片間的互連導(dǎo)線(Interconnect)。一般而言,要做到良好的連結(jié),導(dǎo)線在跨接時(shí)需要一個(gè)相對(duì)平坦的表面,一個(gè)深邃的階梯狀結(jié)構(gòu)將使得導(dǎo)線結(jié)構(gòu)薄弱,在高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)下易產(chǎn)生毀損,造成晶片的失效,因此平坦化製程的開發(fā)就變得重要。理想的狀態(tài)是在做絕緣層時(shí),能一併將深邃的溝槽予以平坦化,使互連導(dǎo)線得以平順連接。
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此外,高壓發(fā)光二極體在應(yīng)用上和一般低壓二極體最主要的不同點(diǎn)為,它不僅僅能夠應(yīng)用于定直流(Constant DC)中,只要外接橋式整流器,它也能夠應(yīng)用于交流環(huán)境,非常具有彈性。在高壓發(fā)光二極體中,外部整流器捨棄AC LED採(cǎi)用同質(zhì)氮化鎵的做法而改採(cǎi)用硅整流器,不僅使得耗能少,更可防止逆向偏壓過(guò)大對(duì)晶片所造成的影響;最后,因?yàn)楦邏喊l(fā)光二極體較AC LED少了內(nèi)部橋整的發(fā)光區(qū),使發(fā)光效率相對(duì)較高,耐用度也較佳。

作為大尺寸、高功率LED的解決方案

高壓發(fā)光二極體的效率優(yōu)于一般傳統(tǒng)低壓發(fā)光二極體,主要可歸因?yàn)樾‰娏?、多cell的設(shè)計(jì)能均勻地將電流擴(kuò)散開來(lái),進(jìn)而提升光萃取效率。在一些應(yīng)用當(dāng)中,除了需要考慮晶片本身效率外,最終產(chǎn)品的售價(jià)也是一項(xiàng)重要指標(biāo);例如在當(dāng)前照明領(lǐng)域中,LED燈源仍不被視為主流性產(chǎn)品,關(guān)鍵點(diǎn)在于其售價(jià)仍舊偏高。LED燈源價(jià)格高昂的塬因,除了晶片本身的價(jià)格之外,尚需要考慮整體的物料清單(Bill of material;BOM),例如由于發(fā)光二極體本質(zhì)上為一具有極性的元件,必須供給一順向偏壓才得以點(diǎn)亮,因此一般LED照明光源內(nèi)都必須附加交流轉(zhuǎn)直流(AC/DC)的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),這是必須付出的成本。

又因LED本身體積小,熱源容易集中,而造成所謂熱點(diǎn)(Hot spot)現(xiàn)象,使得發(fā)光元件本身壽命變短。為了解決熱點(diǎn)的問(wèn)題,LED燈源上的散熱設(shè)計(jì)也不可缺少,目前散熱設(shè)計(jì)方面以金屬散熱片最為常見,但金屬散熱片除了增加燈源的重量,也增加燈源的成本。由于高壓發(fā)光二極體本身效率高,會(huì)減少?gòu)U熱及對(duì)散熱的需求,進(jìn)而削減成本;從電源轉(zhuǎn)換的角度而言,高電壓小瓦數(shù)的電源轉(zhuǎn)換器如返馳拓僕式電路,除了體積小外,因?yàn)閽?cǎi)用的元件少,成本也較低。因此,高壓發(fā)光二極體的優(yōu)點(diǎn)不僅在于晶片本身,它能直接或間接進(jìn)一步提升整體模組的效率。

總括而言,在應(yīng)用及設(shè)計(jì)上,單晶片的高壓發(fā)光二極體有下列好處:

1、節(jié)省變壓器能量轉(zhuǎn)換的損耗及降低成本。

2、除了高電壓直流的應(yīng)用外,利用外部橋式整流電路也可設(shè)計(jì)于交流下操作。

3、體積小不佔(zhàn)空間,對(duì)封裝及光學(xué)設(shè)計(jì)都具有極佳的運(yùn)用彈性。

4、除了紅色螢光粉外,也可以運(yùn)用藍(lán)、紅HV LED搭配適當(dāng)?shù)狞S、綠色螢光粉製成更高效率的高CRI暖白LED。
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目前在晶元光電中,會(huì)首先依據(jù)客戶的各項(xiàng)參數(shù)需求,做設(shè)計(jì)準(zhǔn)則的基本檢查;進(jìn)一步根據(jù)相關(guān)的光、電及熱模型執(zhí)行模擬,決定單位晶胞的大小、數(shù)目及最終產(chǎn)品呈現(xiàn)形式后,再加以實(shí)踐驗(yàn)證;并根據(jù)實(shí)踐所收集到的資料,驗(yàn)證塬始設(shè)計(jì),或是加以修改達(dá)到優(yōu)化的結(jié)果。目前晶元光電研發(fā)中心已經(jīng)著手進(jìn)行高壓發(fā)光二極體相關(guān)模擬光、電及熱模型的建立。

總結(jié):

本文著重討論了高壓LED基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)在個(gè)主題,并通過(guò)討論低壓二極體、交流二極體及高壓二極體驅(qū)動(dòng)方式的差異,從而得出單晶片的高壓發(fā)光二極體具有眾多的好處,它可以作為大尺寸、高功率LED的解決方案,高壓發(fā)光二極體的效率優(yōu)于一般傳統(tǒng)低壓發(fā)光二極體,主要可歸因?yàn)樾‰娏?。發(fā)現(xiàn)了這一點(diǎn),可以為工程師選擇合適的元器件提供了參考的價(jià)值。
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