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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2010-06-01

產(chǎn)品特性:

  • 第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)
  • 增強(qiáng)了電感性能,提高了靈活性
  • 配合設(shè)計(jì)高精度、高性價(jià)比的集成無源元件
應(yīng)用范圍:
  • 電子設(shè)備中的射頻(RF)系統(tǒng)級(jí)封裝
  • 用于最新便攜和無線應(yīng)用
     
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù),第二層的銅層厚度僅為5微米(μm),增強(qiáng)了電感性能,提高了靈活性,配合設(shè)計(jì)高精度、高性價(jià)比的集成無源元件,用于便攜電子設(shè)備中的射頻(RF)系統(tǒng)級(jí)封裝應(yīng)用。

HighQ™ IPD2工藝是安森美半導(dǎo)體定制代工部眾多創(chuàng)新制造服務(wù)之一,采用先進(jìn)的8英寸晶圓技術(shù),典型設(shè)計(jì)包括平衡/不平衡轉(zhuǎn)換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器,用于最新便攜和無線應(yīng)用?;贗PD2的設(shè)計(jì)為電路設(shè)計(jì)人員提供重要優(yōu)勢(shì),如降低成本、減小厚度、小占位面積,以及更高性能(等同于延長電池使用時(shí)間)。

安森美半導(dǎo)體為其IPD2工藝技術(shù)提供全功能設(shè)計(jì)工具和設(shè)計(jì)支援,以及快速的原型制造能力,幫助潛在用戶快速和高性價(jià)比地評(píng)估,不管他們復(fù)雜度較低的分立或集成印制電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案,還是基于更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉(zhuǎn)換至IPD2工藝。

安森美半導(dǎo)體定制代工部高級(jí)總監(jiān)Rick Whitcomb說:“在高性價(jià)比、小尺寸和低插入損耗的平臺(tái)上集成無源器件,能為電池供電便攜電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供極有用的方案。我們以全套設(shè)計(jì)工具和技術(shù)配合這新工藝,能夠幫助客戶以最短的時(shí)間和最大的信心,從效用相對(duì)較低的技術(shù)轉(zhuǎn)換至我們的IPD2工藝。”

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