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凌華科技發(fā)布AES-100 邊緣智能服務(wù)器
中國上海 – 2022年6月16日，全球領(lǐng)先的邊緣計(jì)算解決方案提供商—凌華科技推出基于華為Ascend Atlas200的全新邊緣智能服務(wù)器AES-100，突破固有服務(wù)器的設(shè)計(jì)理念，采用分布式AI節(jié)點(diǎn)加彈性靈活的處理器設(shè)計(jì)方案，可在緊湊的1U空間內(nèi)布置多路邊緣處理單元，也可以根據(jù)場景和需求不同搭配不同的CPU模塊，...
2022-06-16
凌華科技 AES-100 服務(wù)器
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時(shí)代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信
對(duì)于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接，串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實(shí)上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(yuǎn)（不大于1米）時(shí)...
2022-06-14
工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI
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手機(jī)無線充電器壞了
對(duì)于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機(jī)無線充電器進(jìn)行拆卸，觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計(jì)。但是由于電路上主要芯片型號(hào)文字顯示不清，故此對(duì)于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機(jī) 無線充電器
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對(duì)于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對(duì)于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對(duì)于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實(shí)現(xiàn)方法是：
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第五部分)：控制算法、調(diào)制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-13
直流快充 設(shè)計(jì)指南 控制算法
- 帶寬可調(diào)+毫米波集成：緊湊型濾波器技術(shù)全景解析
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