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如何利用高精度MOSFET模型,設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器

發(fā)布時(shí)間:2023-08-07 來(lái)源:英飛凌 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),可以使用仿真模型,綜合權(quán)衡多個(gè)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。其中,使用基于開(kāi)關(guān)的有源器件簡(jiǎn)易模型進(jìn)行快速仿真,可以帶來(lái)更多工程參考。然而,與制造商精細(xì)的器件模型相比,這種簡(jiǎn)易模型在設(shè)計(jì)中無(wú)法提供相等的精度。本文探討了功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)員如何結(jié)合系統(tǒng)級(jí)模型和精細(xì)模型,探索更多設(shè)計(jì)空間,并提高精度。本文使用MathWorks系統(tǒng)級(jí)建模工具Simulink? 和 Simscape?,以及精細(xì)的SPICE子電路(代表英飛凌車規(guī)級(jí)MOSFET),對(duì)該過(guò)程進(jìn)行示范展示。


引言


在開(kāi)發(fā)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),在理論和可行性研究期間,通常進(jìn)行數(shù)值仿真。其仿真模型需要包含模擬電路和相應(yīng)的數(shù)字控制器。通過(guò)該模型,可以解答下列設(shè)計(jì)問(wèn)題:


-應(yīng)該使用哪種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?

-對(duì)于特定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)什么性能?

-應(yīng)該使用什么PWM開(kāi)關(guān)頻率?

-對(duì)于無(wú)源組件,需要使用什么數(shù)值和額定值?

-應(yīng)該使用什么類型的功率開(kāi)關(guān):


類型(例如,MOSFET、IGBT或BJT)?


技術(shù)和額定電壓(例如,英飛凌的OptiMOS?或CoolMOS?)和材料(例如,Si、SiC或GaN)?


-對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器電路有何要求(包括所需最小死區(qū)時(shí)間)?


最后,基于之前的評(píng)估:


-可以評(píng)估系統(tǒng)效率和組件損耗,進(jìn)而開(kāi)發(fā)出一個(gè)合適的冷卻系統(tǒng);

-可研究如何權(quán)衡系統(tǒng)效率與電磁兼容性。開(kāi)關(guān)損耗和EMI都取決于開(kāi)關(guān)頻率和功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速率。


SPICE仿真工具是電路設(shè)計(jì)人員的首選解決方案。然而,相關(guān)設(shè)計(jì)步驟取決于能否在合理的時(shí)間內(nèi)仿真功率轉(zhuǎn)換器。諸如Simscape? Electrical?等電路仿真工具,具有簡(jiǎn)易的器件模型,這些模型是理想的開(kāi)關(guān)以及可滿足高效仿真需求的列表式開(kāi)關(guān)損耗。此外,與Simulink?的緊密集成,意味著數(shù)字控制器也在此仿真范圍內(nèi),而無(wú)需協(xié)同仿真。然而,假設(shè)的理想開(kāi)關(guān)會(huì)給后續(xù)以確定效率和微調(diào)設(shè)計(jì)為重點(diǎn)的設(shè)計(jì)步驟帶來(lái)不確定性。通過(guò)使用組件制造商開(kāi)發(fā)的精細(xì)SPICE器件模型,則可以解決這種不確定性。本文定義了一個(gè)流程,在快速探索設(shè)計(jì)空間的同時(shí),又可以利用代工廠精細(xì)的SPICE組件模型。本流程的核心在于,利用多個(gè)不同精度的模型匹配有待解決的具體設(shè)計(jì)問(wèn)題。另外重要的一點(diǎn)在于,利用低精度水平預(yù)初始化精細(xì)仿真模型,以縮短初始化時(shí)間。


降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)示范


圖1顯示的是本文作為示例使用的48V/12V DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器。降壓轉(zhuǎn)換器將輸入電壓(V_IN)降至更低級(jí)別的輸出電壓(V_OUT),用于表征其行為的主要等式見(jiàn)下:


等式1:


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式中:


d 代表高邊功率開(kāi)關(guān)(HS_SW)的占空比(0 ≤d ≤1);低邊功率開(kāi)關(guān)(LS_SW)的占空比為d’,其定義如下: 


等式2:


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圖 1:降壓 DC/DC 功率轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)


基于參考電壓(V_ref)和測(cè)得的輸出電壓(V_meas),使用離散時(shí)間比例+積分電壓控制器計(jì)算所需的占空比(d)。


英飛凌SPICE MOSFET模型


SPICE仿真器是最常用的模擬電路仿真技術(shù),因此,作為事實(shí)上的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),很多半導(dǎo)體制造商都為自己的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)了SPICE模型,以便為電路設(shè)計(jì)提供支持。


英飛凌的車規(guī)級(jí)OptiMOS?功率MOSFET產(chǎn)品組合,樹(shù)立了20V-300V范圍內(nèi)的質(zhì)量標(biāo)桿,提供了多種封裝和低至0.55 m?的Rds(on)。英飛凌經(jīng)典的MOSFET SPICE模型結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2。該MOSFET行為模型[1]描述了功率開(kāi)關(guān)的電氣特性和熱特性。


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圖 2:英飛凌 MOSFET SPICE 模型的原理圖


該模型反應(yīng)出,流經(jīng)MOSFET的電流會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體的溫度發(fā)生變化,進(jìn)而影響MOSFET的電氣參數(shù),例如,電荷載流子遷移率、電壓閾值、漏極電阻、柵漏電容和柵源電容。參考圖 2,熱行為按照以下方式建模:代表MOSFET耗散功率的電流源(Pv)將熱量注入PN結(jié)(Tj),然后,熱量通過(guò)MOSFET封裝一直傳導(dǎo)到外殼(Tc)。接著,將熱動(dòng)力學(xué)建模為,由集總熱阻(Rthi)和熱電容(Cthi)組成的 Cauer 網(wǎng)絡(luò)。然后,通過(guò)對(duì)熱模型進(jìn)行模擬仿真,根據(jù)給定的設(shè)計(jì)參數(shù)(例如,負(fù)載電流、最大允許結(jié)溫(Tj)、環(huán)境溫度(Tamb) 和PCB的層厚/層數(shù)(Rth PCB和Cth PCB),確定最佳冷卻/散熱器。


將子電路導(dǎo)入Simscape


MathWorks的Simscape [5] 提供了框圖環(huán)境,來(lái)模擬多域系統(tǒng)(包括電氣、機(jī)械、磁和熱)。隨附的Simscape語(yǔ)言使用微分方程、相關(guān)代數(shù)約束、事件和模式圖,來(lái)表達(dá)基礎(chǔ)物理特性。


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圖 3:英飛凌采用 TOLL 封裝(PG-HSOF-8)的車規(guī)級(jí) MOSFET IAUT300N08S5N012


Simscape? Electrical [6]可以將目標(biāo)SPICE器件模型(例如,MOSFET)導(dǎo)入Simscape中[7]。Simscape與Simulink的密切集成,使得單一求解器可以對(duì)數(shù)字控制器和模擬電子元件進(jìn)行仿真,與在不同的仿真工具之間進(jìn)行協(xié)同仿真相比,這種仿真更加高效。


SPICE的模型導(dǎo)入能力,可用于將英飛凌IAUT300N08S5N012 [2][4]器件(見(jiàn)圖3)導(dǎo)入到Simscape中。導(dǎo)入到Simscape后,為了提供從已發(fā)布模塊中訪問(wèn)Cauer模型狀態(tài)的權(quán)限,我們對(duì)Simscape代碼進(jìn)行了少許編輯。進(jìn)行流程初始化時(shí),需要提供自定義的內(nèi)部狀態(tài)訪問(wèn)權(quán)限。


仿真工作流程


將英飛凌器件導(dǎo)入Simscape后,下一步是創(chuàng)建完整的轉(zhuǎn)換器Simulink模型,其中包括已導(dǎo)入的英飛凌器件、剩余模擬組件和控制器。如圖4所示。


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圖 4:降壓轉(zhuǎn)換器的精細(xì)模型


控制器是通過(guò)Simulink離散時(shí)間庫(kù)模塊實(shí)現(xiàn)的,整個(gè)模型使用可變步長(zhǎng)求解器進(jìn)行仿真,以便能夠準(zhǔn)確地捕獲與寄生效應(yīng)和MOSFET電荷模型有關(guān)的較快時(shí)間常數(shù)。在Intel? Core? i7-9700 CPU @ 3.00GHz上運(yùn)行R2021b 版本的MATLAB,一個(gè)控制器PWM周期的仿真時(shí)間為2.3秒。這個(gè)速度足以分析當(dāng)前工作狀態(tài)下的電路性能,但無(wú)法評(píng)估電路敏感性,以用于設(shè)計(jì)參數(shù)掃描或直接優(yōu)化電路參數(shù)。但這個(gè)速度無(wú)法仿真到周期穩(wěn)態(tài)——在10秒左右熱時(shí)間常數(shù)下,相當(dāng)于20萬(wàn)個(gè) 20kHz PWM周期。


為了滿足有效探索設(shè)計(jì)空間需求,我們創(chuàng)建了一個(gè)系統(tǒng)級(jí)降壓轉(zhuǎn)換器模型。為此,導(dǎo)入的MOSFET器件模型被替換為理想開(kāi)關(guān),將數(shù)據(jù)手冊(cè)Rds(on)值設(shè)定為其固定的導(dǎo)通電阻。參見(jiàn)圖5。忽略了某些較快的寄生效應(yīng),例如,MOSFET的引線電感。該系統(tǒng)級(jí)模型具有固定的溫度,用戶為假定的結(jié)溫設(shè)定一個(gè)適當(dāng)?shù)腞ds(on)值即可。該模型仿真一個(gè)PWM周期需要大約0.05秒,比精細(xì)模型要快46倍。由于沒(méi)有熱時(shí)間常數(shù),現(xiàn)在,最慢的動(dòng)態(tài)與電壓調(diào)節(jié)有關(guān),約為5 ms或100個(gè)PWM周期。因此,仿真到穩(wěn)態(tài)大約需要5秒。


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圖 5:降壓功率轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)級(jí)模型


憑借這種仿真性能,這個(gè)系統(tǒng)級(jí)模型可以用來(lái)徹底地探索設(shè)計(jì)空間和優(yōu)化控制器。做好主要的設(shè)計(jì)決策后,最后一步就是,使用英飛凌開(kāi)發(fā)的MOSFET精細(xì)仿真模型對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行驗(yàn)證。該驗(yàn)證通常在由負(fù)載功率和環(huán)境溫度定義的一組工作點(diǎn)上進(jìn)行。不過(guò),我們已經(jīng)看到,將精細(xì)模型仿真到穩(wěn)態(tài),需要20萬(wàn)個(gè)PWM周期,如果每個(gè)周期需要2.3秒來(lái)仿真的話,這是不切實(shí)際的。


為了在特定的操作點(diǎn),初始化該精細(xì)模型,我們提出了一種涉及多個(gè)模型的迭代方法??傮w而言,這個(gè)理念就是將較慢的時(shí)間常數(shù)分離出來(lái),作為運(yùn)行速度較快的獨(dú)立模型。在做進(jìn)一步的解釋之前,還需要使用一個(gè)模型,這個(gè)模型只對(duì)MOSFET和環(huán)境熱狀態(tài)進(jìn)行建模。見(jiàn)圖6。


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圖 6:兩個(gè) MOSFET 的“純”熱模型


為了構(gòu)建這個(gè)“純”熱模型,我們先對(duì)已導(dǎo)入的英飛凌SPICE子電路進(jìn)行編輯,只留下Cauer網(wǎng)絡(luò)。兩個(gè)Cauer網(wǎng)絡(luò)的輸入是兩個(gè)恒定熱流源Q1和Q2,代表每個(gè)PWM周期的平均結(jié)熱流。這個(gè)“純”熱模型可以運(yùn)行到穩(wěn)態(tài),或使用Simscape,從穩(wěn)態(tài)選項(xiàng)啟動(dòng)。不論哪種方式,與其他方式相比,它們求解Cauer網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)溫度的時(shí)間都是可以忽略不計(jì)的。


現(xiàn)在,我們使用這三個(gè)模型來(lái)初始化周期穩(wěn)態(tài)下的精細(xì)模型,如下所示:


1. 運(yùn)行系統(tǒng)級(jí)模型(圖4)到周期穩(wěn)態(tài)。對(duì)最后一個(gè)完整的PWM周期的MOSFET損耗取平均值,以估算Q1和Q2結(jié)損耗。


2. 運(yùn)行“純”熱模型(見(jiàn)圖6)到熱穩(wěn)態(tài),并記錄兩個(gè)Cauer模型節(jié)點(diǎn)的最終溫度。


3. 將精細(xì)模型(見(jiàn)圖5)的熱狀態(tài)設(shè)為上述步驟2中的值,然后,將其余模型狀態(tài)設(shè)為上述步驟1中確定的值。


4. 讓精細(xì)模型運(yùn)行4個(gè)完整的PWM周期。對(duì)最后一個(gè)完整的PWM周期的MOSFET損耗取平均值,然后得出Q1和Q2結(jié)損耗的修正估計(jì)值。


5. 重復(fù)步驟2,修正熱節(jié)點(diǎn)溫度。


6. 重復(fù)步驟4,修正初始狀態(tài)和結(jié)損耗估值。


如有需要,可重復(fù)步驟5和6,但對(duì)于本例而言,是不必要的。該模型現(xiàn)在已經(jīng)足夠接近周期穩(wěn)態(tài),可以用來(lái)評(píng)估電路性能。


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圖 7:功率開(kāi)關(guān)的損耗和機(jī)系統(tǒng)的效率


圖7顯示了為2.85kW負(fù)載供電時(shí)的瞬時(shí)開(kāi)關(guān)損耗和轉(zhuǎn)換器的總效率。該效率級(jí)別是低邊的,設(shè)計(jì)員的下一步可能是為高邊和低邊開(kāi)關(guān)并聯(lián)兩個(gè)或三個(gè)MOSFET。需要注意的是,鑒于使用了經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的代工廠SPICE MOSFET模型來(lái)生成這些結(jié)果,而且這些結(jié)果是針對(duì)實(shí)際電路的,因此,其結(jié)果具有很高的精度。與偶爾使用的、基于代表性測(cè)試電路的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗數(shù)據(jù)表的替代方案相比,這具有更高的精度。


整個(gè)過(guò)程總結(jié)下來(lái)如圖8所示。該過(guò)程以MATLAB腳本的形式實(shí)現(xiàn),可在MathWorks File Exchange [3]下載。該腳本需要花費(fèi)4分鐘,來(lái)運(yùn)行和產(chǎn)生如圖7所示的結(jié)果。而從非初始化狀態(tài)運(yùn)行非線性模型,以獲得相同的結(jié)果,需要一天的時(shí)間。


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圖 8:開(kāi)關(guān)功率轉(zhuǎn)換器仿真流程建議


結(jié)論


本文介紹了如何在應(yīng)用電路模型中,使用代工廠精細(xì)的SPICE半導(dǎo)體模型,對(duì)預(yù)期的電路性能,做出高精度預(yù)測(cè)。使用了一種雙管齊下的方法,解決了時(shí)間常數(shù)迥異并有周期穩(wěn)態(tài)的模型的初始化難題。首先,通過(guò)將SPICE子電路導(dǎo)入Simulink,并使用可變步長(zhǎng)求解器,求解完整的模擬系統(tǒng)和控制器,來(lái)避免緩慢的協(xié)同仿真。其次,使用多個(gè)精度水平的模型,通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的迭代方案,來(lái)找到穩(wěn)態(tài)。其結(jié)果是端到端設(shè)計(jì)和仿真速度要比單獨(dú)使用SPICE仿真引擎要快。


參考文獻(xiàn)


[1]M?rz, M., Nance, P., “Thermal Modeling of Power-electronic Systems,” February 2000. Available online at www.infineon.com/dgdl/Thermal+Modeling.pdf?fileId=db3a30431441fb5d011472fd33c70aa3..


[2]Huang, A., “Infineon OptiMOSTM Power MOSFET Datasheet Explanation,” Application Note AN 2012-03 V1.1 March 2012. Available online at www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4.


[3]Vuletic, R., Hyde, R., John., D., “Infineon Buck Simscape Example,“ MathWorks File Exchange, February 2022. Available online at https://de.mathworks.com/matlabcentral/fileexchange/106925-infineon-buck-simscape-example.


[4]Available online at https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/automotive-mosfet/iaut300n08s5n012/


[5]mathworks.com/help/physmod/simscape


[6]mathworks.com/help/physmod/sps


[7]mathworks.com/help/physmod/simscape/get-started-with-simscape-language.html


作者:英飛凌Radovan Vuletic與MathWorks 的Rick Hyde



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