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AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇

發(fā)布時間:2021-03-16 來源:美新 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】磁傳感器是一種把外界磁場引起的敏感元件磁性能的變化轉(zhuǎn)換成電信號,來檢測相應(yīng)物理量的器件。磁傳感器主要用于感測方向、角度、位置和速度等,廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車和工業(yè)領(lǐng)域。
 
傳統(tǒng)的磁傳感器利用霍爾效應(yīng)來感測磁場的強度和方向。近年來,隨著磁阻(Magnetic Resistance)技術(shù)的逐步發(fā)展和成熟,無論在消費類還是在汽車和工業(yè)類市場上,越來越多的產(chǎn)品開始使用基于磁阻技術(shù)的磁傳感器。
 
1 AMR磁傳感器的原理和優(yōu)勢
 
某些金屬或半導(dǎo)體在遇到外加磁場時,其電阻值會隨著外加磁場的大小發(fā)生變化,這種現(xiàn)象叫做磁阻效應(yīng)。磁阻技術(shù)主要包括各向異性磁阻(AMR)、巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)。
 
各向異性磁電阻(AMR)效應(yīng)是指當(dāng)外部磁場與磁體內(nèi)建磁場方向成零度角時, 電阻不隨外加磁場變化而發(fā)生改變;但當(dāng)外部磁場與磁體的內(nèi)建磁場有一定角度的時候, 磁體內(nèi)部磁化矢量會偏移,電阻降低。各向異性磁阻的磁場作用效果如下圖:
 
AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
 
AMR磁傳感器的基本結(jié)構(gòu)是由四個磁阻組成了惠斯通電橋,其中供電電源為Vb,電流流經(jīng)電阻。當(dāng)施加一個偏置磁場H在電橋上時,兩個相對放置的電阻的磁化方向就會朝著電流方向轉(zhuǎn)動,這兩個電阻的阻值會增加;
 
而另外兩個相對放置的電阻的磁化方向會朝與電流相反的方向轉(zhuǎn)動,該兩個電阻的阻值則減少。通過測試電橋的兩輸出端輸出電壓差信號,可以得到外界磁場值。
 
AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
 
基于各向異性磁阻(AMR)技術(shù)的磁傳感器具有以下優(yōu)勢:
 
●     AMR磁傳感器具有高頻、低噪和高信噪比特性,性能遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的霍爾傳感器;
●     AMR磁傳感器在地球磁場范圍內(nèi)性能優(yōu)良,且不隨溫度變化,指南針應(yīng)用,測量精確度可達(dá)1度;
●     AMR可與CMOS或MEMS集成在同一硅片上;  
●     AMR技術(shù)只需一層磁性薄膜,工藝簡單,成本低。
 
2 世界已知最小尺寸AMR磁傳感器
 
美新半導(dǎo)體(MEMSIC)最新一代的磁傳感器MMC5603NJ是基于先進(jìn)的AMR技術(shù)的單芯片集成的三軸磁傳感器,晶圓級封裝, 是世界上迄今已知最小尺寸(0.8x0.8x0.4mm)的磁傳感器。多項美新所獨有的新技術(shù)和新工藝被應(yīng)用在MMC5603NJ這顆磁傳感器上。
 
AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
 
1、高度集成的單芯片設(shè)計
 
早期的MEMS磁傳感器需要兩個MEMS的Die(一個感測X/Y軸的磁場,另一個感測Z軸磁場)和一個用來處理信號的ASIC的Die。這樣的設(shè)計結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積大、且成本高。隨著設(shè)計和制造工藝技術(shù)的進(jìn)步,Die體積越來越小,但一般還是需要一個MEMS的Die和一個ASIC的Die。
 
美新采用專有的技術(shù),將MEMS技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝完美結(jié)合,直接在ASIC材料表面集成了AMR磁阻材料,并采用獨創(chuàng)的斜坡結(jié)構(gòu)來感測Z軸方向的磁場信號。這樣高度集成的單芯片設(shè)計,并采用了晶圓級的封裝,鑄成了業(yè)界最小尺寸的三軸磁傳感器。
 
2、數(shù)倍或數(shù)十倍領(lǐng)先于同級別產(chǎn)品 
 
磁傳感器在電子設(shè)備中最常見的應(yīng)用是感測地球磁場的方向,我們將此應(yīng)用稱為電子羅盤(eCompass)。電子羅盤容易受到周圍環(huán)境中各類的軟磁和(或)硬磁的磁場干擾而造成方向失準(zhǔn)。
 
對此,美新在軟件方面提供了成熟的、可定制的算法來校準(zhǔn)方向。然而,當(dāng)干擾磁場非常大的時候,磁感應(yīng)元件內(nèi)部會殘留明顯的剩磁,軟件校準(zhǔn)算法對此無能為力;
 
MMC5603NJ在芯片設(shè)計上使用了Auto Set/Reset的機制。此機制是在磁感應(yīng)元件的敏感極上進(jìn)行正反兩個方向上的成對操作,可以消除磁傳感器內(nèi)部固有的offset,并且抵消時間、溫度等變化等因素帶來的漂移。
 
MMC5603NJ的溫漂只有±0.01μT/℃,遠(yuǎn)低于同類產(chǎn)品。因此,MMC5603NJ能在各種苛刻的使用環(huán)境下保持始終如一的測量精度和穩(wěn)定可靠的性能。
 
AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
 
此外,MMC5603NJ還提供了20/18/16位的可選擇的靈敏度,最高可達(dá)1000Hz的數(shù)據(jù)輸出速率,RMS噪聲水平最低為0.15μT,磁滯僅為0.02%,使得快速校準(zhǔn)甚至免校準(zhǔn)的電子指南針成為可能...
 
以上主要性能參數(shù),與市場上同級別產(chǎn)品相比較,MMC5603NJ保持?jǐn)?shù)倍或數(shù)十倍的領(lǐng)先。
 
3 小結(jié)
 
美新深耕磁傳感技術(shù)多年,在基于AMR技術(shù)的磁傳感器的設(shè)計、制造和應(yīng)用等方面積累深厚,并且還首創(chuàng)將高性能的AMR磁傳感器引入智能手機市場。
 
作為全新一代基于AMR技術(shù)的三軸磁傳感器,美新的MMC5603NJ已廣泛應(yīng)用于智能手機、平板電腦等眾多消費類電子產(chǎn)品中,也是目前全球出貨量最大的基于AMR技術(shù)的磁傳感器之一。
 
AMR磁傳感器-主流智能終端的選擇
 
 
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