盡管制造商盡了最大努力，但許多白色家電仍舊常常需要大量能源才能實現(xiàn)自身功能，包括加熱水或空氣（電燒水壺、烤箱、淋浴器、洗衣機）、冷卻空氣或其他流體（冰箱）、對流加熱（烤面包機和烤箱）或一般運動（洗衣機/烘干機和吸塵器的電動機）。在消費環(huán)境下，這些設備的能耗都差不多以kW計算，是業(yè)主最大的電力成本來源。

 

除此之外，越來越多的消費類設備采用越來越復雜的控制功能或用戶界面。這些輔助功能本質(zhì)上都是低功率應用，如傳感器、顯示屏和觸控面板。從實質(zhì)上講，使用旨在提供高電流的電源來為這些輔助功能供電會使效率變得很低，尤其是當這些功能需要在未使用主要功率密集型功能的情況下工作時。這就提高了對輔助離線電源裝置的需求，這種裝置可以通過交流電源提供功率相對較低、不到40W（典型值）的直流電源。

 

這樣做的主要目標就是在待機期間也可以盡可能高效地提供電源。為實現(xiàn)這一目標，需要以最具成本、空間和能效優(yōu)勢的方式實現(xiàn)電源功能。

 

產(chǎn)品設計工程師還需要考慮白色家電的安全要求。就電源而言，這通常要求采用隔離式解決方案，但在某些情況下，相關規(guī)范要求的電氣隔離水平可通過物理設計來實現(xiàn)。正因如此，市場對面向低功耗輔助離線電源應用空間的低功耗SMPS解決方案（隔離式和非隔離式）的需求不斷增長。

 

完全集成的解決方案

 

隨著半導體制造工藝向更高集成度和更穩(wěn)健方向發(fā)展，這一總趨勢使得器件制造商能夠開發(fā)出單芯片解決方案來實現(xiàn)離線功率轉(zhuǎn)換。通過將開關型MOSFET和控制電路集成至單個器件中，現(xiàn)在可以更加輕松地設計具有更高功率密度的開關型電源，從而提供出色的輔助電源，這類輔助電源不僅可以部署在白色家電的多個區(qū)域，而且還針對上文所述輔助功能所需的功率進行了優(yōu)化。

 

根據(jù)具體的應用和功能，輔助電源所需提供的功率會有所不同，從不到1W到高達70W不等。安森美半導體在開發(fā)該應用領域的解決方案方面有著悠久的歷史，并擁有廣泛且不斷增長的器件產(chǎn)品組合。

 

隨著超低功耗輔助電源需求的增長，安森美半導體最近推出了NCP1067x系列高壓開關。該系列開關專為采用非隔離式（圖 1）或隔離式（圖 2）設計的低功耗離線開關型電源而開發(fā)。它將控制器和功率MOSFET完全集成在一個SOIC7封裝中，尺寸非常小巧。

 

 

雖然NCP1067x采用固定頻率模式工作，但在負載下降時會自動切換至待機模式，以降低功耗，即采用空載間歇模式。盡管該器件采用自供電設計，即變壓器上無需輔助繞組，但如果包含輔助繞組，則可用于實現(xiàn)自動恢復過壓保護功能。此外，還可以通過基于時間的檢測功能實現(xiàn)輸出短路自動恢復保護。

 

由于采用了安森美半導體的超高壓技術，NCP1067x還搭載了一個RDS(on)低至12Ω的集成式700V功率MOSFET。在連接至230V交流電源的開放式框架配置中，開發(fā)人員可以實現(xiàn)能夠提供15.5W的電源。為提高EMI，NCP1067x采用了頻率抖動設計，即通過在標稱開關頻率上增加一個±6%的變量。用于應用抖動的掃描鋸齒波形由器件內(nèi)部生成。非隔離式設計采用了一個反饋引腳，該引腳將小部分的輸出電壓施加于集成式跨導放大器。

 

對更高擊穿電壓的需求不斷增加

 

輔助電源設計的另一個關鍵趨勢就是要求功率MOSFET上具有更高的擊穿電壓（即BVDS）。通常，這與晶體管的物理尺寸有關，也就是說擊穿電壓越大，所需的晶體管就越大。在許多情況下，這會導致解決方案尺寸過大和過于昂貴，不適合大多數(shù)目標應用。

 

大多數(shù)集成MOSFET的SMPS開關均采用平面工藝。為滿足市場對尺寸和成本的限制要求，出現(xiàn)了具有700V BVDS的器件。不過，BVDS越高，提供的電源浪涌和峰值電壓保護能力就越大，因此終端產(chǎn)品就越穩(wěn)健。為此，越來越多的公司推出具有更高BVDS但仍能提供低成本、小型BoM解決方案的開關。

 

為此，安森美半導體開發(fā)了一款開關模塊，該模塊集成了SMPS控制器和采用自身SUPERFET® 2超級結(jié)技術構(gòu)建的功率MOSFET，以便打造出能夠提供800V BVDS、同時又仍可采用雙列直插式塑料封裝的模塊。這一革新產(chǎn)品系列首次為制造商提供了一種既可提高產(chǎn)品性能又能滿足市場商業(yè)需求的可行解決方案。

 

FSL5x8電流型開關系列采用PDIP-7封裝，并包含PWM控制器和SUPERFET 2功率MOSFET。通常，實現(xiàn)800V擊穿電壓需要使用控制器和單獨的分立式MOSFET。然而，安森美半導體的SUPERFET 2技術成功將這兩個器件集成至一個小型封裝中。

 

這樣，設計人員只需使用一個適用于隔離式（圖 3）和非隔離式（圖 4）反激設計的器件，就可以解決大約40W的高端低功耗離線輔助電源設計問題。

 

 

在NCP1067x和FSL5x8產(chǎn)品中，跨導放大器用作比較器，使設計人員能夠更輕松地開發(fā)非隔離式反激電源，從而優(yōu)化可用的電路板空間，并最大程度地降低BoM。

 

當絕大多數(shù)低功耗離線PSU在反激模式下運行的情況下，安森美半導體的電源解決方案組合中新增了這兩款產(chǎn)品，帶來了新的益處，通過更高的集成度，實現(xiàn)更高的性能和可靠性，從而提高功率密度，降低BoM成本。

 

雖然所有非隔離式PSU設計都只能提供有限的供電功率，但本文概述的發(fā)展表明，可以為輔助PSU設計出一種適用于低端和高端低功耗離線PSU應用的開關。由于非隔離式反激轉(zhuǎn)換器通常比隔離式轉(zhuǎn)換器更加高效，所以也可以實現(xiàn)操作成本。

 

使用輔助離線PSU的主要目的就是為了減少終端產(chǎn)品消耗的待機電流。通過選用針對應用優(yōu)化的高度集成器件，開發(fā)人員如今能夠以更小的電路板空間和最低的BoM成本實現(xiàn)這一目標。

 

 

推薦閱讀：