電路級(jí)靜電防護(hù)設(shè)計(jì)技巧與ESD防護(hù)方法
發(fā)布時(shí)間:2019-04-19 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】常見的靜電模型有:人體模型(HBM),帶電器件模型,場感應(yīng)模型,場增強(qiáng)模型,機(jī)器模型和電容耦合模型等。芯片級(jí)一般用HBM做測試,而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測試。為對(duì) ESD 的測試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范,在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面,歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn);電子產(chǎn)品必須符合這一標(biāo)準(zhǔn)之后方能銷往歐共體的各個(gè)成員國。
靜電放電(ESD)理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟,為了模擬分析靜電事件,前人設(shè)計(jì)了很多靜電放電模型。
因此,大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 61000-4-2看作是 ESD 測試的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。我國的國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T 17626.2-1998)等同于I EC 6 1000-4-2。大多是實(shí)驗(yàn)室用的靜電發(fā)生器就是按 IEC 6 1000-4-2的標(biāo)準(zhǔn),分為接觸放電和空氣放電。靜電發(fā)生器的模型如圖 1。 放電頭按接觸放電和空氣放電分尖頭和圓頭兩種。
IEC 61000-4-2的 靜電放電的波形如圖2,可以看到靜電放電主要電流是一個(gè)上升沿在1nS左右的一個(gè)上升沿,要消除這個(gè)上升沿要求ESD保護(hù)器件響應(yīng)時(shí)間要小于這個(gè)時(shí)間。靜電放電的能量主要集中在幾十MHz到500MHz,很多時(shí)候我們能從頻譜上考慮,如濾波器濾除相應(yīng)頻帶的能量來實(shí)現(xiàn)靜電防護(hù)。其放電頻譜如下,這個(gè)圖是我自己畫的,只能定性的看,不能定量。
IEC 61000-4-2規(guī)定了幾個(gè)試驗(yàn)等級(jí),目前手機(jī)CTA測試執(zhí)行得是3級(jí),即接觸放電6KV,空氣放電8KV。很多手機(jī)廠家內(nèi)部執(zhí)行更高的靜電防護(hù)等級(jí)。
當(dāng)集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時(shí),放電回路的電阻通常都很小,無法限制放電電流。例如將帶靜電的電纜插到電路接口上時(shí),放電回路的電阻幾乎為零,造成高達(dá)數(shù)十安培的瞬間放電尖峰電流,流入相應(yīng)的 IC 管腳。瞬間大電流會(huì)嚴(yán)重?fù)p傷 IC ,局部發(fā)熱的熱量甚至?xí)诨杵苄尽?ESD 對(duì) IC的損傷還包括內(nèi)部金屬連接被燒斷,鈍化層受到破壞,晶體管單元被燒壞。
ESD 還會(huì)引起 IC 的死鎖( LATCHUP)。這種效應(yīng)和 CMOS 器件內(nèi)部的類似可控硅的結(jié)構(gòu)單元被激活有關(guān)。高電壓可激活這些結(jié)構(gòu),形成大電流信道,一般是從 VCC 到地。串行接口器件的死鎖電流可高達(dá) 1A 。死鎖電流會(huì)一直保持,直到器件被斷電。不過到那時(shí), IC 通常早已因過熱而燒毀了。
電路級(jí)ESD防護(hù)方法
1、并聯(lián)放電器件
常用的放電器件有TVS,齊納二極管,壓敏電阻,氣體放電管等。如圖
1.1、齊納二極管( Zener Diodes ,也稱穩(wěn)壓二極管 ) : 利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護(hù) ESD敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十 pF 的電容,這對(duì)于高速信號(hào)(例如 500MHz)而言,會(huì)引起信號(hào)畸變。齊納二極管對(duì)電源上的浪涌也有很好的吸收作用。
1.2、瞬變電壓消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor): TVS 是一種固態(tài)二極管,專門用于防止 ESD 瞬態(tài)電壓破壞敏感的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)的齊納二極管相比, TVS 二極管 P/N 結(jié)面積更大,這一結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)使 TVS 具有更強(qiáng)的高壓承受能力,同時(shí)也降低了電壓截止率,因而對(duì)于保護(hù)手持設(shè)備低工作電壓回路的安全具有更好效果。
TVS二極管的瞬態(tài)功率和瞬態(tài)電流性能與結(jié)的面積成正比。該二極管的結(jié)具有較大的截面積,可以處理閃電和 ESD所引起的高瞬態(tài)電流。TVS也會(huì)有結(jié)電容,通常0.3個(gè)pF到幾十個(gè)pF。TVS有單極性的和雙極性的,使用時(shí)要注意。手機(jī)上用的TVS大約0.01$,低容值的約2-3分$。
1.3、多層金屬氧化物結(jié)構(gòu)器件 (MLV):大陸一般稱為壓敏電阻。 MLV也可以進(jìn)行有效的瞬時(shí)高壓沖擊抑制,此類器件具有非線性電壓 - 電流 ( 阻抗表現(xiàn) ) 關(guān)系,截止電壓可達(dá)最初中止電壓的 2 ~ 3倍。這種特性適合用于對(duì)電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪涌保護(hù),如電源回路,按鍵輸入端等。手機(jī)用壓敏電阻約0.0015$,大約是TVS價(jià)格的1/6,但是防護(hù)效果沒有TVS好,且壓敏電阻有壽命老化。
2、串聯(lián)阻抗
一般可以通過串聯(lián)電阻或者磁珠來限制ESD放電電流,達(dá)到防靜電的目的。如圖。如手機(jī)的高輸入阻抗的端口可以串1K歐電阻來防護(hù),如ADC,輸入的GPIO,按鍵等。不要擔(dān)心0402的電阻會(huì)被打壞,實(shí)踐證明是打不壞的。這里不詳細(xì)分析。用電阻做ESD防護(hù)幾乎不增加成本。如果用磁珠,磁珠的價(jià)格大 約0.002$,和壓敏電阻差不多。
3、增加濾波網(wǎng)絡(luò)
前面提到了靜電的能量頻譜,如果用濾波器濾掉主要的能量也能達(dá)到靜電防護(hù)的目的。
對(duì)于低頻信號(hào),如GPIO輸入,ADC,音頻輸入可以用1k+1000PF的電容來做靜電防護(hù),成本可以忽略,性能不比壓敏電阻差,如果用1K+50PF的壓敏電阻(下面講的復(fù)合防護(hù)措施),效果更好,經(jīng)驗(yàn)證明這樣防護(hù)效果有時(shí)超過TVS。
對(duì)于射頻天線的微波信號(hào),如果用TVS管,壓敏等容性器件來做靜電防護(hù),射頻信號(hào)會(huì)被衰減,因此要求TVS的電容很低,這樣增加ESD措施的成本。對(duì)于微波信號(hào)可以對(duì)地并聯(lián)一個(gè)幾十nH的電感來為靜電提供一個(gè)放電通道,對(duì)微波信號(hào)幾乎沒有影響,對(duì)于900MHZ和1800MHz的手機(jī)經(jīng)常用22nH的電感。這樣能把靜電主要能量頻譜上的能量吸收掉很多。
4、復(fù)合防護(hù)
有一種器件叫EMI filter,他有很好的ESD防護(hù)效果,如圖。EMI filter也有基于TVS管的和基于壓敏電阻的,前者效果好,但很貴,后者廉價(jià),一般4路基于壓敏電阻的EMI價(jià)格在0.02$。
實(shí)際應(yīng)用中可以用下面的一個(gè)電阻+一個(gè)壓敏電阻的方式。他既有低通濾波器的功能,又有壓敏電阻的功能,還有電阻串聯(lián)限流的功能。是性價(jià)比最好的防護(hù)方式,對(duì)于高阻信號(hào)可以采用1K電阻+50PF壓敏;對(duì)于耳機(jī)等音頻輸出信號(hào)可以采用100歐電阻+壓敏電阻;對(duì)于TP信號(hào)串聯(lián)電阻不能太大否則影響TP的線性,可以采用10歐電阻。雖然電阻小了,低通濾波器效果已經(jīng)沒有了,但限流作用還是很重要的。
5、增加吸收回路
可以在敏感信號(hào)附件增加地的漏銅,來吸收靜電。道理和避雷針原理一樣。在信號(hào)線上放置尖端放電點(diǎn)(火花隙)在山寨手機(jī)設(shè)計(jì)中也經(jīng)常應(yīng)用。
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