你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

只需7步,秒懂MOS管選型

發(fā)布時(shí)間:2018-12-07 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】MOS管是電子制造的基本元件,但面對(duì)不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí),該如何抉擇?有沒(méi)有省心、省力的遴選方法?下面我們就來(lái)看一下老司機(jī)是如何做的。
 
選擇到一款正確的MOS管,可以很好地控制生產(chǎn)制造成本,最為重要的是,為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷?,這在產(chǎn)品未來(lái)的使用過(guò)程中,將會(huì)充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用,確保設(shè)備得到最高效、最穩(wěn)定、最持久的應(yīng)用效果。
 
那么面對(duì)市面上琳瑯滿(mǎn)目的MOS管,該如何選擇呢?下面,我們就分7個(gè)步驟來(lái)闡述MOS管的選型要求。
 
首先是確定N、P溝道的選擇
 
MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式,即N溝道型和P溝道型,結(jié)構(gòu)不一樣,使用的電壓極性也會(huì)不一樣,因此,在確定選擇哪種產(chǎn)品前,首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。
 
MOS管的兩種結(jié)構(gòu):N溝道型和P溝道型
 
在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。
 
當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。
 
要選擇適合應(yīng)用的器件,必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓,以及在設(shè)計(jì)中最簡(jiǎn)易執(zhí)行的方法。
 
第二步是確定電壓
 
額定電壓越大,器件的成本就越高。從成本角度考慮,還需要確定所需的額定電壓,即器件所能承受的最大電壓。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,一般會(huì)留出1.2~1.5倍的電壓余量,這樣才能提供足夠的保護(hù),使MOS管不會(huì)失效。
 
就選擇MOS管而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大電壓會(huì)隨溫度變化而變化,設(shè)計(jì)人員必須在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)測(cè)試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個(gè)變化范圍,確保電路不會(huì)失效。
 
此外,設(shè)計(jì)工程師還需要考慮其他安全因素:如由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(常見(jiàn)有電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。另外,不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同;通常便攜式設(shè)備選用20V的MOS管,F(xiàn)PGA電源為20~30V的MOS管,85~220V AC應(yīng)用時(shí)MOS管VDS為450~600V。
 
第三步為確定電流
 
確定完電壓后,接下來(lái)要確定的就是MOS管的電流。需根據(jù)電路結(jié)構(gòu)來(lái)決定,MOS管的額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下都能夠承受的最大電流;與電壓的情況相似,MOS管的額定電流必須能滿(mǎn)足系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)的需求。
 
電流的確定需從兩個(gè)方面著手:連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。
 
選好額定電流后,還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下,MOS管并不是理想的器件,因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗,也就是導(dǎo)通損耗。MOS管在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻,由器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。
 
器件的功率損耗PTRON=Iload2×RDS(ON)計(jì)算(Iload:最大直流輸出電流),由于導(dǎo)通電阻會(huì)隨溫度變化,因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOS管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會(huì)越?。环粗甊DS(ON)就會(huì)越高。
對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),這就需要折中權(quán)衡。
 
對(duì)便攜式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),采用較低的電壓即可(較為普遍);而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),可采用較高的電壓。需要注意的是,RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。
 
技術(shù)對(duì)器件的特性有著重大影響,因?yàn)橛行┘夹g(shù)在提高最大VDS(漏源額定電壓)時(shí)往往會(huì)使RDS(ON)增大。對(duì)于這樣的技術(shù),如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,從而增加與之配套的封裝尺寸及相關(guān)的開(kāi)發(fā)成本。業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術(shù),其中最主要的是溝道和電荷平衡技術(shù)。
 
在溝道技術(shù)中,晶片中嵌入了一個(gè)深溝,通常是為低電壓預(yù)留的,用于降低導(dǎo)通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDS對(duì)RDS(ON)的影響,開(kāi)發(fā)過(guò)程中采用了外延生長(zhǎng)柱/蝕刻柱工藝。例如,飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)的SupeRFET技術(shù),針對(duì)RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。
 
這種對(duì)RDS(ON)的關(guān)注十分重要,因?yàn)楫?dāng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的擊穿電壓升高時(shí),RDS(ON)會(huì)隨之呈指數(shù)級(jí)增加,并且導(dǎo)致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數(shù)關(guān)系變成了線性關(guān)系。
 
只需7步,秒懂MOS管選型
 
這樣,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在擊穿電壓達(dá)到600V的情況下,實(shí)現(xiàn)理想的低RDS(ON)。結(jié)果是晶片尺寸可減小達(dá)35%。而對(duì)于最終用戶(hù)來(lái)說(shuō),這意味著封裝尺寸的大幅減小。
 
SuperFET III MOSFET系列參數(shù)
 
第四步是確定熱要求
 
在確定電流之后,就要計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況:最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù),比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,以及最大的結(jié)溫。
 
器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積,即結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+(熱阻×功率耗散)。根據(jù)這個(gè)方程可解出系統(tǒng)的最大功率耗散=I2×RDS(ON)。
 
由于設(shè)計(jì)人員已確定將要通過(guò)器件的最大電流,因此可以計(jì)算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是,在處理簡(jiǎn)單熱模型時(shí),設(shè)計(jì)人員還必須考慮半導(dǎo)體結(jié)/器件外殼及外殼/環(huán)境的熱容量;即要求印刷電路板和封裝不會(huì)立即升溫。
 
雪崩擊穿(指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過(guò)最大值,并形成強(qiáng)電場(chǎng)使器件內(nèi)電流增加)形成的電流將耗散功率,使器件溫度升高,而且有可能損壞器件。半導(dǎo)體公司都會(huì)對(duì)器件進(jìn)行雪崩測(cè)試,計(jì)算其雪崩電壓,或?qū)ζ骷姆€(wěn)健性進(jìn)行測(cè)試。
 
計(jì)算額定雪崩電壓有兩種方法;一是統(tǒng)計(jì)法,另一是熱計(jì)算。而熱計(jì)算因?yàn)檩^為實(shí)用而得到廣泛采用。除計(jì)算外,技術(shù)對(duì)雪崩效應(yīng)也有很大影響。例如,晶片尺寸的增加會(huì)提高抗雪崩能力,最終提高器件的穩(wěn)健性。對(duì)最終用戶(hù)而言,這意味著要在系統(tǒng)中采用更大的封裝件。
 
第五步是確定開(kāi)關(guān)性能
 
選擇MOS管的最后一步是確定其開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)這些電容充電,會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗;MOS管的開(kāi)關(guān)速度也因此被降低,器件效率隨之下降;其中,柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大。
 
為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗,設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff),進(jìn)而推導(dǎo)出MOS管開(kāi)關(guān)總功率:Psw=(Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。
 
增強(qiáng)型NMOS管構(gòu)成的開(kāi)關(guān)電路
 
第六步為封裝因素考量
 
不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率,需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度(如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素),基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下,選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。
 
常見(jiàn)的MOS管封裝有:
 
①插入式封裝:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;
②表面貼裝式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN。
 
TO封裝MOS管
 
不同的封裝形式,MOS管對(duì)應(yīng)的極限電流、電壓和散熱效果都會(huì)不一樣,簡(jiǎn)單介紹如下。
 
TO-3P/247:是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式,產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等特點(diǎn),適于中壓大電流(電流10A以上、耐壓值在100V以下)在120A以上、耐壓值200V以上的場(chǎng)所中使用。
 
TO-220/220F:這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多,可以互換使用,不過(guò)TO-220背部有散熱片,其散熱效果比TO-220F要好些,價(jià)格相對(duì)也要貴些。這兩個(gè)封裝產(chǎn)品適于中壓大電流120A以下、高壓大電流20A以下的場(chǎng)合應(yīng)用。
 
TO-251:該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積,主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。
 
TO-92:該封裝只有低壓MOS管(電流10A以下、耐壓值60V以下)和高壓1N60/65在采用,主要是為了降低成本。
 
TO-263:是TO-220的一個(gè)變種,主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì),支持極高的電流和電壓,在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見(jiàn)。
 
TO-252:是目前主流封裝之一,適用于高壓在7N以下、中壓在70A以下環(huán)境中。
 
SOP-8:該封裝同樣是為降低成本而設(shè)計(jì),一般在50A以下的中壓、60V左右的低壓MOS管中較為多見(jiàn)。
 
SOT-23:適于幾A電流、60V及以下電壓環(huán)境中采用,其又分有大體積和小體積兩種,主要區(qū)別在于電流值不同。
 
DFN:體積上,較SOT-23大,但小于TO-252,一般在低壓和30A以下中壓MOS管中有采用,得益于產(chǎn)品體積小,主要應(yīng)用于DC小功率電流環(huán)境中。
 
第七步要選擇好品牌
 
MOS管的生產(chǎn)企業(yè)很多,大致說(shuō)來(lái),主要有歐美系、日系、韓系、臺(tái)系、國(guó)產(chǎn)幾大系列。
 
歐美系代表企業(yè):IR、ST、仙童、安森美、TI、PI、英飛凌等;
日系代表企業(yè):東芝、瑞薩、新電元等;
韓系代表企業(yè):KEC、AUK、美格納、森名浩、威士頓、信安、KIA等;
臺(tái)系代表企業(yè):APEC、CET;
國(guó)產(chǎn)代表企業(yè):吉林華微、士蘭微、華潤(rùn)華晶、東光微、深?lèi)?ài)半導(dǎo)體等。
 
在這些品牌中,以歐美系企業(yè)的產(chǎn)品種類(lèi)最全、技術(shù)及性能最優(yōu),從性能效果考慮,是為MOS管的首選;以瑞薩、東芝為代表的日系企業(yè)也是MOS管的高端品牌,同樣具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì);這些品牌也是市面上被仿冒最多的。另外,由于品牌價(jià)值、技術(shù)優(yōu)勢(shì)等原因,歐美系和日系品牌企業(yè)的產(chǎn)品價(jià)格也往往較高。
 
韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的MOS管企業(yè)也是行業(yè)的重要產(chǎn)品供應(yīng)商,不過(guò)在技術(shù)上,要稍弱于歐美及日系企業(yè),但在價(jià)格方面,較歐美及日系企業(yè)更具優(yōu)勢(shì);性?xún)r(jià)比相對(duì)高很多。
 
而在中國(guó)大陸,同樣活躍著一批本土企業(yè),他們借助更低的成本優(yōu)勢(shì)和更快的客戶(hù)服務(wù)響應(yīng)速度,在中低端及細(xì)分領(lǐng)域具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力,部分實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代;目前也在不斷沖擊高端產(chǎn)品線,以滿(mǎn)足本土客戶(hù)的需求。另外,本土企業(yè)還通過(guò)資本運(yùn)作,成功收購(gòu)了安世半導(dǎo)體等國(guó)際知名的功率器件公司,將更好地滿(mǎn)足本土對(duì)功率器件的需求。
 
小結(jié)
 
小到選N型還是P型、封裝類(lèi)型,大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等,不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化,工程師在選擇MOS管時(shí),一定要依據(jù)電路設(shè)計(jì)需求及MOS管工作場(chǎng)所來(lái)選取合適的MOS管,從而獲得最佳的產(chǎn)品設(shè)計(jì)體驗(yàn)。當(dāng)然,在考慮性能的同時(shí),成本也是選擇的因素之一,只有高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品,才能讓工程師設(shè)計(jì)的產(chǎn)品在品質(zhì)與收益中達(dá)到平衡。
 
 
推薦閱讀:
 
MEMS氣體傳感器的設(shè)計(jì)與工藝
電感知識(shí):參數(shù)、線圈、作用、與磁珠的聯(lián)系與區(qū)別、計(jì)算公式、注意事項(xiàng)
無(wú)刷電機(jī)IPM模塊存在哪些問(wèn)題?高效逆變器驅(qū)動(dòng)IC將取而代之?
雷電對(duì)流量傳感器的影響及應(yīng)對(duì)措施
高可靠性陶瓷電容
要采購(gòu)開(kāi)關(guān)么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉