接地和去耦:第三部分:去耦續(xù)篇
發(fā)布時(shí)間:2018-03-22 來(lái)源:Walt Kester 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】在上篇文章中,我們介紹了去耦的基礎(chǔ)知識(shí)及其在實(shí)現(xiàn)集成電路(IC)期望性能方面的重要性。在本篇文章中,我們將詳細(xì)探討用于去耦的基本電路元件——電容。
實(shí)際電容及其寄生效應(yīng)
圖1所示為實(shí)際電容的模型。電阻RP代表絕緣電阻或泄漏,與標(biāo)稱電容(C)并聯(lián)。第二個(gè)電阻RS(等效串聯(lián)電阻或ESR)與電容串聯(lián),代表電容引腳和電容板的電阻。
圖1.實(shí)際電容等效電路包括寄生元件。
電感L(等效串聯(lián)電感或ESL)代表引腳和電容板的電感。最后,電阻RDA和電容CDA一起構(gòu)成稱為電介質(zhì)吸收(DA)現(xiàn)象的簡(jiǎn)化模型。在采樣保持放大器(SHA)之類精密應(yīng)用中使用電容時(shí),DA可造成誤差。但在去耦應(yīng)用中,電容的DA不重要,予以忽略。
圖2顯示了不同類型的100 μF電容的頻率響應(yīng)。理論上,理想電容的阻抗隨著頻率提高而單調(diào)降低。實(shí)際操作中,ESR使阻抗曲線變得平坦。隨著頻率不斷升高,阻抗由于電容的ESL而開始上升。"膝部"的位置和寬度將隨著電容結(jié)構(gòu)、電介質(zhì)和電容值而變化。因此,在去耦應(yīng)用中,常??梢钥吹捷^大值電容與較小值電容并聯(lián)。較小值電容通常具有較低ESL,在較高頻率時(shí)仍然像一個(gè)電容。電容并聯(lián)組合覆蓋的頻率范圍比組合中任何一個(gè)電容的頻率范圍都要寬。
圖2.各種100μF電容的阻抗
電容自諧振頻率就是電容電抗(1/ωC)等于ESL電抗(ωESL)時(shí)的頻率。對(duì)這一諧振頻率等式求解得到下式:
所有電容的阻抗曲線都與圖示的大致形狀類似。雖然實(shí)際曲線圖有所不同,但大致形狀相同。最小阻抗由ESR決定,高頻區(qū)域由ESL決定,而后者在很大程度上受封裝樣式影響。
去耦電容類型
電解電容系列具有寬值范圍、高電容體積比和廣泛的工作電壓,是極佳的高性價(jià)比低頻濾波器元件。該系列包括通用鋁電解開關(guān)類型,提供10 V以下直至約500 V的工作電壓,大小為1 μF至數(shù)千μF不等(以及成比例的外形尺寸)。
所有電解電容均有極性,因此無(wú)法耐受約1 V以上的反向偏置電壓而不造成損壞。此類元件具有相對(duì)較高的漏電流(可能為數(shù)十μA),具體漏電流在很大程度上取決于特定系列的設(shè)計(jì)、電氣尺寸、額定電壓及施加電壓。不過(guò),漏電流不可能是基本去耦應(yīng)用的主要因素。
大多數(shù)去耦應(yīng)用不建議使用通用鋁電解電容。不過(guò),鋁電解電容有一個(gè)子集是"開關(guān)型",其設(shè)計(jì)并規(guī)定用于在最高達(dá)數(shù)百kHz的頻率下處理高脈沖電流,且損耗很低。此類電容在高頻濾波應(yīng)用中可直接媲美固態(tài)鉭電容,且具有更廣泛的可用值。
固態(tài)鉭電解電容一般限于50 V或更低的電壓,電容為500 μF或更低。給定大小時(shí),鉭電容比鋁開關(guān)電解電容呈現(xiàn)出更高的電容體積比,且具有更高的頻率范圍和更低的ESR。鉭電容一般也比鋁電解電容更昂貴,對(duì)于浪涌和紋波電流,必須謹(jǐn)慎處理應(yīng)用。
最近,使用有機(jī)或聚合物電解質(zhì)的高性能鋁電解電容也已問(wèn)世。這些電容系列擁有略低于其他電解類型的ESR和更高的頻率范圍,另外低溫ESR下降也最小。此類元件使用鋁聚合物、特殊聚合物、POSCAP™和OS-CON™等標(biāo)簽。
陶瓷或多層陶瓷(MLCC)具有尺寸緊湊和低損耗特性,通常是數(shù)MHz以上的首選電容材料。不過(guò),陶瓷電介質(zhì)特性相差很大。對(duì)于電源去耦應(yīng)用,一些類型優(yōu)于其他類型。采用X7R的高K電介質(zhì)配方時(shí),陶瓷電介質(zhì)電容的值最高可達(dá)數(shù)μF。Z5U和Y5V型的額定電壓最高可達(dá)200 V。X7R型在直流偏置電壓下的電容變化小于Z5U和Y5V型,因此是較佳選擇。
NP0(也稱為COG)型使用介電常數(shù)較低的配方,具有標(biāo)稱零TC和低電壓系數(shù)(不同于較不穩(wěn)定的高K型)。NP0型的可用值限于0.1 μF或更低,0.01 μF是更實(shí)用的上限值。
多層陶瓷(MLCC)表面貼裝電容的極低電感設(shè)計(jì)可提供近乎最優(yōu)的RF旁路,因此越來(lái)越頻繁地用于10 MHz或更高頻率下的旁路和濾波。更小的陶瓷芯片電容工作頻率范圍可達(dá)1 GHz。對(duì)于高頻應(yīng)用中的這些及其他電容,通過(guò)選擇自諧振頻率高于最高目標(biāo)頻率的電容,可確保有用值符合需要。
薄膜型電容一般使用繞線,增加了電感,因此不適合電源去耦應(yīng)用。此類型更常用于音頻應(yīng)用,此時(shí)需要極低電容和電壓系數(shù)。
最后,務(wù)必選擇擊穿電壓至少為電源電壓兩倍的電容,否則當(dāng)電路上電時(shí),可能會(huì)發(fā)生意外。
不良去耦技術(shù)對(duì)性能的影響
圖3顯示1.5 GHz高速電流反饋運(yùn)算放大器AD8000的脈沖響應(yīng)。兩幅示波器圖均是利用評(píng)估板獲得。左側(cè)曲線顯示正確去耦的響應(yīng),右側(cè)曲線顯示同一電路板上去除去耦電容后的響應(yīng)。兩種情況中,輸出負(fù)載均為100 Ω。
圖3. 去耦對(duì)AD8000運(yùn)算放大器性能的影響
示波器圖說(shuō)明,沒(méi)有去耦時(shí),輸出表現(xiàn)出不良響鈴振蕩,這主要是因?yàn)殡娫措妷弘S負(fù)載電流變化而偏移。
現(xiàn)在考察正確及錯(cuò)誤去耦對(duì)14位、105 MSPS/125 MSPS高性能數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器ADC AD9445 的影響。雖然轉(zhuǎn)換器通常無(wú)PSRR規(guī)格,但正確去耦仍非常重要。圖4顯示正確設(shè)計(jì)電路的FFT輸出。這種情況下,我們使用AD9445的評(píng)估板——注意頻譜很干凈。
圖4:正確去耦時(shí)AD9445評(píng)估板的FFT圖
AD9445的引腳排列如圖4所示。請(qǐng)注意,電源和接地引腳有多個(gè)。這是為了降低電源阻抗(并聯(lián)引腳)。
圖5.AD9445引腳排列圖
模擬電源引腳有33個(gè)。18個(gè)引腳連接到AVDD1(電壓為3.3 V ± 5%),15個(gè)引腳連接到AVDD2(電壓為5 V ± 5%)。DVDD(電壓為5 V ± 5%)引腳有4個(gè)。在本實(shí)驗(yàn)所用的評(píng)估板上,每個(gè)引腳有0.1 μF陶瓷去耦電容。此外,沿電源走線還有數(shù)個(gè)10 μF電解電容。
圖6顯示了從模擬電源去除去耦電容后的頻譜。請(qǐng)注意,高頻雜散信號(hào)增加了,還出現(xiàn)了一些交調(diào)產(chǎn)物(低頻成分)。信號(hào)SNR已顯著降低。本圖與上圖的唯一差異是去除了去耦電容。
圖6.從模擬電源去除去耦電容后AD9445評(píng)估板的FFT圖
圖7顯示從數(shù)字電源去除去耦電容的結(jié)果。注意雜散同樣增加了。另外應(yīng)注意雜散的頻率分布。這些雜散不僅出現(xiàn)在高頻下,而且跨越整個(gè)頻譜。本實(shí)驗(yàn)使用轉(zhuǎn)換器的LVDS版本進(jìn)行??梢韵胂?,CMOS版本會(huì)更糟糕,因?yàn)長(zhǎng)VDS的噪聲低于飽和CMOS邏輯。
圖7.從數(shù)字電源去除去耦電容后AD9445評(píng)估板的SNR圖
這些實(shí)驗(yàn)表明,除去大多數(shù)或所有去耦電容會(huì)導(dǎo)致性能降低,但要分析或預(yù)測(cè)除去一兩個(gè)去耦電容的影響是很困難的。當(dāng)拿不定主意時(shí),最佳策略是放上電容。雖然成本略有增加,但消除了性能降低的風(fēng)險(xiǎn),這樣做通常是值得的。
去耦總結(jié)
關(guān)于去耦的內(nèi)容還有很多,但我們希望大家對(duì)其在實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)期望性能方面所起的作用有了一個(gè)大致了解。這些文章中的基本綱要說(shuō)明了關(guān)鍵概念,欲了解詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱其他參考資料。另一個(gè)寶貴的指導(dǎo)資源是制造商的評(píng)估板,大部分IC產(chǎn)品都有相應(yīng)的評(píng)估板。很多情況下,您只需下載原理圖、布局和元件列表,然后了解關(guān)于去耦做了些什么,而不必實(shí)際購(gòu)買評(píng)估板。您可以確信,這些評(píng)估板的設(shè)計(jì)非常用心,旨在實(shí)現(xiàn)待評(píng)估IC的最佳性能。
現(xiàn)在我們用圖8所示的傳統(tǒng)電路測(cè)驗(yàn)結(jié)束本文。
圖8.測(cè)驗(yàn):三個(gè)理想電容充電到所示電壓。先閉合S1,再閉合S2之后,該組電容的最終電壓是多少?如果開關(guān)閉合的先后順序相反,該組電容的最終電壓是多少?
推薦閱讀:
特別推薦
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
技術(shù)文章更多>>
- 意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器,成為眾多新型應(yīng)用的核心所在
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則?
- 智能電池傳感器的兩大關(guān)鍵部件: 車規(guī)級(jí)分流器以及匹配的評(píng)估板
- Quobly與意法半導(dǎo)體攜手, 加快量子處理器制造進(jìn)程,實(shí)現(xiàn)大型量子計(jì)算解決方案
- DigiKey和MediaTek強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,開啟物聯(lián)網(wǎng)邊緣AI和連接功能新篇章
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
單向可控硅
刀開關(guān)
等離子顯示屏
低頻電感
低通濾波器
低音炮電路
滌綸電容
點(diǎn)膠設(shè)備
電池
電池管理系統(tǒng)
電磁蜂鳴器
電磁兼容
電磁爐危害
電動(dòng)車
電動(dòng)工具
電動(dòng)汽車
電感
電工電路
電機(jī)控制
電解電容
電纜連接器
電力電子
電力繼電器
電力線通信
電流保險(xiǎn)絲
電流表
電流傳感器
電流互感器
電路保護(hù)
電路圖