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低側(cè)柵極驅(qū)動器中MOSFET的設(shè)計技巧

發(fā)布時間:2013-11-13 責任編輯:sherryyu

【導讀】在照明、功率轉(zhuǎn)換和電機控制等負載應(yīng)用中電壓不穩(wěn)很常見,這主要是低側(cè)柵極驅(qū)動器的MOSFET在作祟。柵極驅(qū)動器能設(shè)計為可提供能高效驅(qū)動所需的高峰值電流,那么如何降低不穩(wěn)定因素呢?首先要了解驅(qū)動它們所需的功率MOSFET管的基本特征和驅(qū)動所需信號。下文將針對MOSFET在低側(cè)柵極驅(qū)動器如何設(shè)計做一些經(jīng)驗分享。

使用低側(cè)柵極驅(qū)動器驅(qū)動MOSFET在照明、功率轉(zhuǎn)換、電磁閥驅(qū)動、電機控制和其他負載應(yīng)用的地電壓不穩(wěn)的系統(tǒng)中很常見。柵極驅(qū)動器能設(shè)計為可提供能高效驅(qū)動所需的高峰值電流。許多HVIC(高電壓IC)設(shè)備用來驅(qū)動半橋拓撲應(yīng)用,因此包括一個低側(cè)柵極驅(qū)動器。為大多數(shù)應(yīng)用設(shè)計并選擇低端柵極驅(qū)動器很簡單,只需基本了解驅(qū)動它們所需的功率MOSFET管的基本特征和驅(qū)動所需信號即可。盡管照明和阻性發(fā)熱等阻性負載可能在應(yīng)用中占少數(shù),但為簡潔性本文以驅(qū)動純阻性負載為列來做說明。

MOSFET的柵極電荷基本特性

MOSFET的柵極電荷參數(shù)反映了正常工作時區(qū)域的工作狀況。飛兆AN-7502功率MOSFET開關(guān)波形深入解釋了MOSFET在不同應(yīng)用中相對應(yīng)的不同區(qū)域。

在選擇合適大小的柵極驅(qū)動器時,與輸出電流能力的相關(guān)的MOSFET參數(shù)主要包括:

Qg(th) – 達到閾值電壓所需的柵極電荷

Qgs2 – 從閾值電壓到平臺電壓所需的柵極電荷

Qg(tot) – 達到徹底“導通”電壓的總柵極電荷

在圖1a中,Pspice模型中的1mA恒流源用于幫助創(chuàng)建帶阻性負載時導通期間典型柵極波形(圖1b)的曲線。柵極電荷與顯示的時間軸成正比,比例系數(shù)為0.001。可為良好建模的任何MOSFET輕松創(chuàng)建類似設(shè)備特定的曲線。

低側(cè)柵極驅(qū)動器中MOSFET的設(shè)計技巧

在區(qū)域I中,柵極電壓上升至Vth(柵極閾值電壓),然后MOSFET開始導通。區(qū)域I結(jié)束時的柵極電荷為Qg(th)。
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低側(cè)柵極驅(qū)動器中MOSFET的設(shè)計技巧

在區(qū)域II中,柵極電壓上升至平臺區(qū),漏極電壓達到Vdk(漏極膝點電壓)標志來到這一區(qū)域,同時漏極電流的上升斜率(dI/dt)顯著減小。在區(qū)域II中,不僅柵極驅(qū)動電路驅(qū)動柵極,而且源極電感和漏極至柵極的電容提供負反饋影響柵極的驅(qū)動。源極電感主要由MOSFET的綁定線(bond wires)和封裝引腳構(gòu)成。實際使用中,此區(qū)域可能表現(xiàn)為高速振鈴。新的無引線MOSFET封裝往往具有更低的寄生電感,因此自電流快速變化帶來的影響也更小。區(qū)域II結(jié)束時的柵極電荷為Qg(th) + Qgs2。

在區(qū)域III或稱柵極平臺區(qū)(米勒平臺)域中,漏極的dV/dt減小。漏極電流的dI/dt也相應(yīng)減小。注意電壓和電流波形中的膝點Vdk和Idk。在區(qū)域III中,柵極電荷增加,但柵極電壓幾乎不變,直到器件達到完全導通狀態(tài)。區(qū)域III結(jié)束時的柵極電荷通常不由制造商標出。

在區(qū)域IV中,也就是在柵極平臺區(qū)后,增大柵極電壓將繼續(xù)降低導通電阻Rds(漏極至源極電阻)。在特定柵極電壓和環(huán)境溫度下達到已知Rds點所需的柵極電荷標為Qg(tot)。對于標準柵極器件來說,這通常為10V,而對于邏輯電平器件來說,為4.5至5V。用于特定低電壓開關(guān)應(yīng)用中具有較低閾值的MOSFET的柵極電壓則有所不同。

如Rds(漏極至源極電阻) 和Vth (柵極閾值電壓)等MOSFET的參數(shù)將隨溫度而變化,這在大多數(shù)設(shè)計中都很重要。但是,柵極電荷參數(shù)不那么依賴半導體工藝處理,而更多地與裸片幾何尺寸相關(guān),因此具有最小的溫度變化影響。

初始設(shè)計考量

通常,設(shè)計人員需要先確定最小柵極驅(qū)動輸出要求。柵極驅(qū)動電路必須能夠在一段既定的時間內(nèi)提供所需的Qg(tot)。其次,必須減少區(qū)域II和III上的轉(zhuǎn)換時間以最大程度地減少開關(guān)損耗。

柵極驅(qū)動器標出了多個參數(shù),以幫助設(shè)計人員根據(jù)這些要求確定驅(qū)動器的大小。在固定容性負載下,吸入Isink和輸出Isource電流能力在對應(yīng)Vdd/2或中值電壓點時標出。同樣標有上升和下降時間。在某些情況下,負載特性可能需要不同的導通和關(guān)斷能力。盡管MOSFET的Vth通常比用于驅(qū)動柵極的Vdd小,柵極Rg上的電壓在關(guān)斷期間的柵極平臺區(qū)較低。因此, 許多低側(cè)柵極驅(qū)動器為比高側(cè)驅(qū)動器設(shè)計得有更強的的電流能力來補償Rg上電壓的降低帶來的影響。

額定電流值是柵極驅(qū)動器選擇中的主要參數(shù)。實際上,柵極驅(qū)動器系列通常用額定電流值來區(qū)分。飛兆提供1、2、4和9A的低電壓系列。

第二重要的因素包括在多通道器件中的傳導延遲,傳導匹配柵極驅(qū)動器的輸出驅(qū)動能力也受到裸片和封裝的總熱耗散能力搜限制,同時也受到開關(guān)頻率的影響。

相關(guān)閱讀:

 原創(chuàng)經(jīng)典:開關(guān)電源設(shè)計中MOSFET驅(qū)動技術(shù)圖解
http://forexsooq.com/power-art/80021287
基于MOSFET的高能效電源設(shè)計
http://forexsooq.com/power-art/80020873
鋰電池短路保護:功率MOSFET及驅(qū)動電路的選擇與設(shè)計
http://forexsooq.com/cp-art/80021668

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